《电子材料包括哪些》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子材料包括哪些（13页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划电子材料包括哪些一、什么是先进的电子材料?包括哪些?答:先进电子材料是相对传统电子材料而言.传统电子材料是指已在大量生产,价格一般较低,在工业应用上已有较长期使用的经验和数据,先进电子材料则指具有优异的性能的高科技产品,正在进行商品化或研制之中,并且有一定的保密性.电子材料分类:1:按化学组成分:金属材料,无机非金属材料2:按物质状态分:单晶材料,多晶材料3按物理性能分:绝缘材料,导电材移率的显著改变.湿敏元件就是基于上述原理制成的.八、解释BaTiO3半导瓷的PTC效应内部机理.答
2、:添加Y元素的BaTiO3原料在空气中烧结,其反应式如下:PTC现象是价控型BaTiO3半导体所特有的性质,BaTiO3单晶和还原型半导体都不具有这种特性.PTC现象.归结如下:在多晶BaTiO3半导体材料的晶粒边界存在一个由受主表面态引起势垒层,其厚度仅为晶粒的直径的五十分之一左右.2)该势垒层高度与材料的相对介电常数4:按功能原理分:铁电材料,热电材料5.按用途分:半导体材料,磁性材料二、对电极材料有什么要求?答:应具有优良的导电性能,体积电阻率要小,2,具有良好的化学稳定性和抗腐蚀性,不易氧化,并且对介质材料的才华,催化作用要小;3.应有良好的机械性能.如不易变形,压延性和柔韧性要好,抗
3、拉强度高,与蛇口工艺还配.4:密度小热导率大;5:易于焊接,具有适当的熔点和沸点;6材料来源广泛,价格便宜.三、防止滑石瓷的老化的措施答:1:在瓷料中加入形成玻璃的成分,形成粘度大数量足够多的玻璃,玻璃相把晶粒紧紧包住,民阻止原顽辉石的晶型转变.2)控制粒度的大小.3)必须严防游离石英混入,因为瓷料中方石英的晶相转变会引起体积收缩,而产生内应力,由此会诱发原顽辉石的晶型转变.四、对蛇口用电介质材料的要求.答:主要有四个方面要求.第一为达到高比容量的目的,应采用介电常数值尽可能高的材料.第二为了保证电容器具有纯容抗,即避免因极化过程造成能量损耗,产生热量,要求具有尽可能低的损耗角下切值特别要求在
4、高工作频率或脉冲使用时,正切值极低.第三,电容器电介质还应具有高的绝缘电阻值.并保证电阻值在不同频率与温度条件下尽稳定,避免因为杂质的分解和材料的才华引起绝缘电阻值下降.第四要求电介质具有高的地窖电场强度.五、石英晶体IEC标准,切型的意义.答:IEC标准规定的切型符号包括一组字母(x,y,z,t,l,w)和角度,用中任意二个字母的先后排列来表示石英晶片的厚度和长度的原始方向:用字母(厚度)(长度)(宽度)来表示旋转轴的位置.六、PZT压电陶瓷中的软性添加物或硬性添加物?答软性添加物包括La+3Nb+4,Bi+3,Sb+5,W3+以及其他稀土元素.所谓软化就是指使介电常数升高.介质增大,弹性柔
5、顺系数上升,才华性能较好.硬性添加物是指用较低电价的阳离子去置换陶瓷中的P它们的加入使陶瓷材料的性能变硬.具体地说,就是介电常数降低,介质降低,弹性柔顺系数下降.七、湿敏半导瓷中半导化过程使陶瓷的晶粒内产生了大量的载流子电子与空穴,便晶粒体的电阻率降低.所以一般半导瓷的粒界电阻都要比体内高得多,正因为这种粒界高阴效应存在,使半导瓷具有良好的湿敏我.水分子在半导体=瓷表面或界面附着时,能引起其载流子浓度或迁成反比,在低于居里温度时,由于介电常数很大,因而材料电阻率较低,超过居里温度,由于按居里一外斯定律衰减,致使材料电阻率发生四个数量级以上的变化.九、晶体的主要特征:答:1)有规则的外形2)均匀
6、性3)解离性4)固定的熔点5)各向异性十、压电材料的四个重要参数及含义答:1)介质:在电场作用下,压电材料也会发生极化与漏导损耗,且其损耗的参数仍用损耗角正切角表示.显然材料的正切角越大,其性能就俞差.因此,介质损耗是判别材料性能好性,选择材料和制作器件的重要依据.2)机械品质因数许多压电元器件,如滤波器,压电换能器,压电音叉等,主要是利用其谐振特性.压电振子谐振时,由于其内部质点运动的内摩擦要消耗一部分能量,因而造成损耗.机械品质因数就是反映压电振子在谐振时的损耗程度.其定义为:3)机电耦合系数机电耦合系数K是衡量压电体的机电能量转换能力的一个重要参数,在实用方面有很重要的意义,其定义为4)
7、频率常数N压电体的频率常数N是指振子的谐振频率与主振动方向尺寸常数，单位为Hzm0对于直径为d的薄圆片径向伸缩振动模式的压电振子，Nd=frd对于长为l的薄圆片径向伸缩振动模式的压电振子,Nc=frl对于厚度为t的薄圆片径向伸缩振动模式的压电振子,Nt=frt由于谐振频率fr与压电振子主振动方向的尺寸成反比，所以频繁常数N与振子尺寸无关，只与压电材料的性质、振动模式有关。频率常数N在工程上是一个很有用的参数。当已知材料的频率常数N后，就可根据所需要的谐振频率fr来确定压电振子尺寸；还可根据工艺上可能获得的压电振子几何尺寸，估算谐振频fr的极限。12半导化的半导体瓷的电性能与一般绝缘电子瓷和半导
8、体浸提的性能差别？答：半导瓷的晶粒电阻率比其他电子瓷低得多，而且可以在约10个数量级范围内变化。半导瓷的晶粒间界上多数存在一定的界面势垒层，并由此产生各种各样的势垒效应。13画图说明光纤材料的传光原理答：16.电位器、接触器，电阻体，耐磨性，固溶体。-名词解释答：电位器是具有三个引出端，阻值可按某种变化规律的调节的电阻元件。通常有电阻体和可移动的电刷组成。固溶体：固态条件下，在一种组分内溶解了其它组分而形成的均匀的晶态固体、称固溶体。接触刷：在电位器中，电刷是沿电阻体滑动的导电构件，也称接点或接触刷。电阻体：常规意义上的电阻，称电阻体更为正式。耐磨性：接触刷与电阻体之间的匹配情况，影响电刷与电
9、阻体之间的接触电阻，接触噪声、平滑性、稳定性和耐磨性等。因而影响电位器的输出特性-此处指接触刷与电阻体之间的耐磨性。17、晶体的概念：晶面、晶列、各向异性-名词解释晶体是结晶状态的固体，自然界中的固体物质绝大多数是晶体物质。晶面：晶体的某一个面，通常用密勒指数来表示晶面指数晶列：联结任意二个个点的一条直线上包含无限个相同的格点。这样的一条直线晶体的各向异性：即沿着晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体在不同方向的物理化学特性也不同。18气体的j-e图分析1)当电场强度很小时,电流密度随电场强度近似成正比增加,大致符合欧姆定律2)当电场增加到E1附近时电流密度趋于饱和.
10、3)当电场强度增加到E2附近时,又出现电流的增长.4)当电场强度升高到临界值E3时,电流端午节,并伴随有明显的声光现象.19;气体击穿后的放电现象相当复杂,随着气体压力电极形状,极间距离,电源功率等因素的不同,放电有种种不同的形式,利用图B气体放电管,可以鸡窝到均匀电场中的放电现象.解释B图如下:在气体压力较小,电源功率很低的情况下,当外加电压增加到一定的数值时,回路中的电流豁然明显增加,管内电极间整个空间忽然出现发光现象,这种形式的放电称为辉光放电.特点:放电电流密度较小,放电区域占据整个电极间的空间.1.金属、半导体、绝缘体是如何区分的？答：它们分为良导体电阻率?10-6?m，绝缘体电阻率
11、?10121022?m，介于这两者之间的半导。2.常见的半导体材料有哪些？列出三种以上答：，硅锗砷化镓3.从能带理论解释半导体材料的导电性，并说明其与导体和半导体的不同点。答：半导体价带被电子填满，而导带被空穴填满。受到激发时，电子能够从导带的低能级跃迁到高能级，形成导电现象。导体价带被填满，而最外层电子为自由电子，填充导带，且金属的禁带宽度小于半导体的，因此电子可以从能级比较低的导带跃迁到能级比较高的导带，形成导电现象。4.什么是本征半导体？什么是掺杂半导体？各有什么特点？答：本征半导体即不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在%以上。特点：价电子不易挣脱原子核束缚而成为自由电子，本征半导体导电能
12、力较差，空穴与电子是成对出现。当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，也称杂质半导体，特点：半导体导电性大大增强。5.请以硅为例，叙述本征半导体的导电过程答：从外界获得能量，价电子就会挣脱共价键的束缚成为自由电子，在共价键中留下一个“空穴”。同时，这个自由电子又会去填补其它空穴。电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在运动。空穴越多，半导体的载流子数目就越多，因此形成的电流就越大。6.掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种？答：N型半导体与P型型半导体。7.什么是p型半导体？什么是n型半导体？答：在本征半导体中加入5价元素如磷形成n型半导体，电子导电为主。如果加入3价元素如硼形成p型半导体，
13、以空穴导电为主。8.p型与n型半导体杂质能级分布是什么样的？答：P型半导体的杂质能级靠近价带，n型半导体的杂质能级靠近导带，非简并半导体其杂质能级位于导带和价带之间。9.pn结是如何形成的？它的V-I特性是怎样的？答：p型半导体和n型半导体接触后，N区的电子要向P区扩散，而P的空穴也要向N区扩散，两种半导体交界处两边的载流子减少，而剩下不可移动的杂质离子形成空间电荷区，形成内建电场阻止载流子继续扩散，达到动态平衡形成Pn结。10.什么是电迁移率？它是怎样决定电导率的？答：单位电场强度所产生的电子迁移速度称电迁移率。它与电导率的关系为11.半导体的电导率受哪些因素影响？是如何影响的？?ne?n?
14、pe?p。答：掺杂浓度掺杂越高，载流子浓度越大，电导率越大，电阻率越小。对本征半导体来说，温度升高，载流子浓度增加，电导率增加，电阻率下降，对非本征半导体，在低温区与温度成3/2次方，在饱和区与温度成-3/2次方。12.非本征半导体的电导率与温度的关系如何？答：对非本征半导体，在低温区与温度成3/2次方，在饱和区与温度成-3/2次方，在高温区则与本征激发有关13.什么是半导体光敏器件的相对光电导率？?答：由于光照引起的附加电导率和原电导率的比值：?0?ne?n?pe?pne?n?pe?p。14.分别说明本征半导体、n型和p型半导体霍尔系数符号。2R?(p?p?n?e2)/e(n?e?p?p)2
15、答：霍尔系数，对于本征半导体，n=p。因为一般?e?p，故Rp，Rthelargespecificsurfaceareaandstrongmechanicalinthefieldofsupercapacitorelectrodematerialsshowedgreatapplicationprospect.Atpresent,forthesakeoflarge-scale,low-costpreparationofgraphene,chemicalreductionofgrapheneoxideisused.Howeverintheprocessofreduction,atraditionalhydrazinehydratereductantistoxic,environmentalpollution,andtheas-preparedgrapheneiseasytorenite,severelylimitingthegrapheneandgraphenecompositeapplication.Therefore,thispaperbasedont
