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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划材料的应用,ppt第一章绪论考点：发展历史：高分子材料创始人；橡胶的发展史高分子材料常见的加工方法；注塑成型工艺原理、控制因素；挤出成型的原理知识点：1.高分子材料创始人：施陶丁格1907年出现合成高分子酚醛树脂，标志着人类应用合成高分子材料的开始。1869年美国人JohnWesleyHyatt把硝化纤维、樟脑和乙醇的混合物在高压下共热，制造出了第一种人工合成塑料“赛璐珞”。2.橡胶的发展史按来源分为天然橡胶和合成橡胶，最初使用的全是天然橡胶，二战中用量激增，天然橡胶远不能满足需求，
2、于是合成橡胶工业开始发展，合成橡胶按性能及用途可分为通用合成橡胶和特种合成橡胶。3.高分子材料的加工高分子材料常用的加工方法：挤出成型、注射成型、吹塑成型、压制成型4、注塑成型的原理：将塑料颗粒经注塑机的料斗送至加热的料筒，使其受热熔融至流动状态，然后在柱塞或螺杆的连续加压下，熔融料压缩至流动状态，然后熔融料被压缩并向前移动，从料筒前端的喷嘴中射出，注入一个温度较低的预先闭合好的模具中，充满模具型腔的熔融料经降温硬化，即可保持模具型腔所赋予的形状，打开模具后即可得到所需要的制品。5.注射成型最重要的控制因素：影响塑化、流动和冷却的温度、压力和相应的各个作用时间等6.挤出成(来自:写论文网:材料
3、的应用,ppt)型的：也称为挤塑，它是在挤出成型机中通过加热、加压而使物料以流动状态连续通过口模成型的方法.主要用于热塑性塑料的成型，挤出成型是借助螺杆的挤压作用。聚酰胺为什么具有吸水性？答：1.聚酰胺纤维结构中含有羰基结构。2.该结构中碳氧双键结构中的氧有很强的电负性，易于与H2O中H原子形成氢键3.氢键结构较为稳定。综上所述，PA具有吸水性。第二章通用塑料考点：聚乙烯结构、简称、性能特点、各类聚乙烯的分子结构特点、物理机械性能；聚丙烯结构、简称、性能特点、改性方法；聚氯乙烯、聚苯乙烯结构、简称、性能特点；PMMA、聚四氟乙烯结构、简称、合成方法。知识点：1.聚乙烯：PE分子式：CH2CH2
4、n结构：LDPE、HDPE和LLDPE的链结构：LDPE：存在大量的长支链和短支链；HDPE：只有少量的短支链；LLDPE：有较多的短支链，但没有长支链。PE分子链的特点：分子链非常柔顺，Tg-125；结构单元对称、规整PE非常容易结晶、而且结晶度很高。性能：无臭、无味、无毒；乳白色蜡状固体，半透明或不透明；透水率低但透气性大；易燃，是最易燃的塑料之一。力学性能一般拉伸强度较低，表面硬度不高，抗蠕变性差，只有抗冲击性能较好耐热性不高，热导率较高(HDPELLDPELDPE)，膨胀系数较大(与热导率相反)良好的化学稳定性无极性，吸湿性很低(多晶硅难容金属硅化物多晶硅的人们提出了栅工程和沟道零掺杂
5、的概念存储电容材料存储电容是数字电路中的动态随机存储器和模拟电路中的重要部件。主要需满足：集成度、存储容量高、存取速度快、能随机存取非挥发性新型氧化物铁电材料：高介电常数作为DRAM的存储电容绝缘介质层材料电极化强度随电压变化的电滞效应制备铁电随机存储器高介电常数的DRAM影响高介电常数铁电材料在DRAM中应用的主要因素：较大的漏电流较高的体和界面缺陷较低的介电击穿强度与硅工艺的兼容性非挥发性铁电存储器NVFRAM利用铁电材料具有自发极化以及自发极化在电场作用下反转的特性存储信息。当前NVFRAM研究的主要方向：影响铁电材料抗疲劳性能和自发极化强度因素改进制备工艺开发新的铁电材料铁电材料物理主
6、要研究方向：电极化的极限开关速度铁电材料层能保持稳定的铁电性能的最小厚度开关参数局域互连材料局域互连多晶硅线条的纵向和横向尺寸都越来越小。由于多晶硅的电阻率较高，接触和局域互连成了影响集成电路速度的重要因素之一。作为栅和局域互连材料必须具有可以实现自对准、热稳定性好，与氧化硅的界面特性好、与MOS工艺兼容等特点。SALICIDE的桥接问题发展方向将以CoSi2或TiSi2/CoSi2复合结构的栅和局域互连材料为主。互连材料互连材料包括金属导电材料和相配套的绝缘介质材料。连线层数和互连线长度的迅速增加以及互连线宽度的减小，将引起连线电阻增加，使电路的互连时间延迟、信号衰减及串扰增加。互连线宽的减
7、小还会导致电流密度增加，引起电迁移和应力迁移效应的加剧，从而严重影响电路的可靠性。减小互联延迟的主要途径：优化互连布线系统设置采用新的互连材料为了减少寄生连线的电容和串扰，需要采用较SiO2介电常数更低的绝缘介质材料改进电路系统的互连特性。当器件特征尺寸缩小到深亚微米以下时，铝金属的互连可靠性成为主要问题。Cu互连性能在延迟性和可靠性方面都优于Al。Cu的缺点：Cu污染问题Cu淀积到硅片后便会形成高阻的铜硅化物，而Cu和SiO2的粘附性较差。Cu的布线问题钝化层材料钝化就是通过在不影响已经完成的集成电路的性能前提下，在芯片表面覆盖一层绝缘介质薄膜，以尽可能少地减少外界环境对电路的影响，使电路封
8、装后可以长期稳定可靠的工作。钝化方法分类：收集型钝化发通过化学键结合淀积阻挡层方法淀积适当的薄膜加工工艺应变量子阱结构：发展趋势：结构更新、波段拓展态密度和量子限制效应光跃迁：半导体导带和价带的电子-空穴对的产生和复合过程，以光子的形式吸收或者释放能量。一般同时涉及电子和空穴两种载流子光吸收过程主要是从有大量电子布据的价带到几乎长波长InP基激光器材料980nmInGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料GaInAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器材料InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器材料中远红外量子级联激光器材料基于斜角跃迁的量子级联激光器基于垂直跃迁的量子级联激光器化学机械抛光技
9、术是一种新型的平坦化工艺技术。CMP进行平坦化的基本工作原理是在CMP设备磨盘中，辅以各种成分的磨料，对需要进行平坦化的材料层进行磨抛，从而实现芯片表面平坦化的目的。磨抛过程：在磨盘和磨料的作用下，材料表面薄层被部分软化，随后在磨料中硬度高的细微颗粒摩擦剂的作用下被磨掉。2半导体光电材料半导体光电材料的发展半导体光电材料是指具有光电功能的半导体材料。半导体激光：在半导体pn结材料上，通过电注入pn结的两种载流子的复合产生受激辐射。实现激射，且激射波长是由半导体材料的带隙决定，并只有直接带隙半导体材料才能实现激射。半导体激光材料：三维同质结构材料异质结构材料量子阱结构材料应变量子阱结构材料半导体
10、探测器材料：光电导型和光伏型半导体激光器材料同质结构材料：第一只半导体激光器异质结构材料：量子阱结构：为空的导带之间产生的。公式：I=Iz0exp-吸收系数与光子能量的关系由于杂质所引起的能带填充效应，使得实际吸收边变软。由于量子结构的限制效应，使得量子阱和空穴形成的一系列分裂的子能带，因此，吸收系数谱成阶跃性。粒子数分布反转条件：当吸收系数(?)EcEv?产生受激辐射*入射光子激发电子从导带到价带跃迁，并伴随发射一个与入射光子具有相同能量、相位以及传播方向的光子形成粒子数反转的条件：大量的注入载流子不限制载流子和光波，会导致极高的阈值电流密度和很差的输出光波模式。限制载流子和光波可采用异质结
11、构实现。是第一个完成上述两种限制的结构）激光阈值条件：半导体要获得激光输出，辐射必须是相干的，并且增益至少不小于损耗。对半导体激光器的主要要求：低的工作电流、高的输出功率、高电光转换效率和较佳的温度特性。紫外至可见光量子阱激光器材料GaN基激光器材料AlGaInP红光激光器材料红外波段量子阱激光器材料短波长AlGaAs/GaAs激光器材料室温工作的量子级联激光器单纵模量子级联激光器量子线、量子点激光器材料一维限制量子阱结构实现了对载流子在一维方向上的限制，从而改变了半导体材料的能带结构及态密度分布。相比异质结激光器，量子阱结构激光器性能得到了很大的提高，阶跃性质的态密度使得载流子的能量分布变窄
12、，从而导致较窄的荧光谱线和较高的微分增益。二维限制量子线结构(QWR)三维限制量子点结构刻蚀再生长自组织生长量子点非平面衬底上生长半导体光电探测器基础光电探测器将光信号转换成电信号的器件半导体光电探测器分类：光电导型、光伏型电导型光电探测器半导体材料在光的作用下产生光生载流子，从而使材料的电导率发生变化并形成光电导。利用光电导可构成光电导型光电探测器。本征型光电导如果光子的能量大于此种材料的禁带宽度，能将价带中的电子激发到导带上去，产生电子-空穴对，即产生带间吸收形成光电导。非本征光电导如果光子的能量小于此种材料的禁带宽度，可能将束缚在杂质能级上的载流子激发到导带或价带上去，产生光电导。常规光
13、电探测器本征光电导型中远红外光电探测器非本征光电导型光伏型光电探测器光伏型光电探测器是利用半导体pn结或肖特基结在光的作用下产生光电压进行光电探测的器件。光伏型光电探测器主要优点：无需偏执电压直接进行光电能量转换雪崩型的光电探测器也是光伏型的光电探测器，具有与光电倍增管类似的内部增益，具有更高的探测灵敏度，但是只能工作于光电导模式。光电探测器工作性能参数响应度RI、RV与波长有关RI=IpPi；RV=VpPi;RV=RIRd.外量子效率EE=hRI/q;E=/暗电流Id决定噪声特性宽禁带紫外光电探测器材料采用禁带较宽的材料可望在较短的波长上获得较好的响应。2eV以上的宽禁带半导体材料主要包括I
14、V族的SiC和金刚石，III-V族的氮化物GaN、AlN、InN及其合金，以及不少II-VI族化合物及其合金。对于紫外光电探测器，要充分抑制在可见光及红外光波段的响应。除需选用具有合适的禁带宽度的材料体系以充分利用自身的波长选择作用外，另一个重要的方面是必须提高材料的晶体结构完整性，避免引入不必要的杂质。短波红外新型光电探测器材料中波、长波红外量子阱光电探测器材料光电子集成电路及光子集成电路材料3有机光电子材料光诱导电子转移与电荷转移光诱导电子转移在一个反应体系里，如存在着几种不同化合物的分子，当其中之一被激发后，被激发的分子容易和另一种分子发生分子间的电子转移。特别是前者具有电子给体性质、后者具有电子受体性质时。光诱导电子转移化合物除了有发色团间相互隔离的体系外，还有发色团间的相互共轭的化合物。电荷转移分子内共轭的电荷转移化合物在受光照后发生的并非是“一个”电子转移的过程，而
