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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划单侧导电的材料新型导电材料一、无机半导体无机半导体材料有硒、锗和单晶硅。后来发现由两种元素构成的化合物中，有些也有类似的性能。这两种元素分别来自元素周期表的第三主族和第五主族。由这两族元素形成的化合物如锑化铟是半导体材料，1975年来已用它制成最灵敏的近红外检测器。后来又研制成功用砷化镓单晶作为半导体材料，用于激光、激光显示器和长波光通讯中。二、高分子半导体高分子半导体一般认为有机化合物和高分子化合物都是不导电的绝缘体。如果改变高分子化合物的化学结构，可以改变它的导电性，制成高分子导
2、体、半导体和超导体。能形成长共轭体系的高分子化合物，有可能成为半导体。例如，聚乙炔CH=CHn中CHCH是一个共轭体系，聚乙炔中的许多单体单元如果形成长共轭体系，聚乙炔就成为高分子半导体。能形成高分子半导体的还有聚丙烯腈、聚蒽、聚酞菁和三氮杂茂等。三、超导体超导体人工合成的纯单晶体无机聚合物聚氮化硫SNn，它有金属的导电性，在-温度下还显示超导性。它是第一个不含金属元素而有金属导电性的共价聚合物，也是第一个不含金属元素而显示超导性的共价聚合物。化学家研究了由三种元素组成的无机化合物，它在几千高斯的强磁场下仍有超导性。利用这种特性，用这超导体建立质密的高场强磁铁。到1986年末，科学家们发现钇钡
3、铜复合氧化物具有超导性，如YBa2Cu3Ox，俗称为“123”化合物，当x值约为时，这就是一种有氧缺陷的非整比化合物，具有导电性。在上述化合物中，钇可以为其他的任何镧系元素取代，钡也可以部分用钙或锶取代，取代后的Tc值没有什么影响，一般都在188175之间。我国在超导体上的研究也已取得显著的成就。人们正在寻求在室温下也有超导性能的材料。导电性相关资料一、根据电磁屏蔽性能已掌握资料电导率和哪些因素有关电导率受温度、材料表面的氧化程度和化学成分的影响；电导率的测试方法：试样的电导率用电导率仪在20恒温条件下测定，试样加工成高10mm，直径15mm的圆柱标准电导率试样，每个试样测定不少于10个数据，
4、结果取平均；单位为：%IACS(internationalannealingcopperstandard)国际退火铜标准，电导率为58.0MS/m)时确定为100%IACS(国际退火铜标准)，其他任何材料的导电率(%IACS)可用下式进行计算:导电率(%IACS)=/*100%Mg-Zn合金的电导率在30%-40%IACS左右；ZK60镁合金相对电导率28%-32%左右；Mg-Zn-Y-Zr合金电导率30%IACS左右；根据Mattiessen的规则，所有材料的电阻率可以用如下的数学式表达：式中t代表物质本身热效应对电阻率的贡献，i表示杂质对电阻率的贡献，d表示缺陷对电阻率的贡献。由于各种状态
5、下同类合金样品有相同的测量程序和相同的纯度，故热效应和杂质对电阻率的影响一般可以忽略。但缺陷对电阻率的贡献是复杂的，这是与缺陷的类型、数量和结构有关。我们知道，缺陷可分为：(1)点缺陷；(2)线缺陷；(3)面缺陷。实际上在对镁合金进行热挤压时，会在挤压变形过程中发生动态再结晶，所以点缺陷中的空位和位错可以忽略。因此不同样本电阻率的差异应该只需从面缺陷和固溶元素方面考虑。1、面缺陷对于面缺陷中的晶界：合金晶界的密度是由晶粒尺寸决定的。但对所研究的样品的电阻率来说，晶界对电阻率的贡献是可以忽略不计的【原因来自引文1：不同样品晶粒尺寸为5-11m，晶界密度为10106m2/m3，如果认为镁合金晶界电
6、阻率和铝类似，即都为10-16，则晶界对电阻率的贡献为10-10-10-10则对于这些样品来说，晶界对电阻率的贡献可以忽略不计】。此外，人工时效处理几乎没有改变晶粒的大小，而整体的电阻率却变化明显。这就进一步说明晶界因素并不是引起该实验中不同样品电阻率差异的原因。【未考虑相界的影响】2、固溶元素由上面分析可知，对电阻率造成影响的因素只有固溶原子了。机理：热处理后第二相析出，晶格中固溶原子减少导致晶格畸变恢复，使电子传输更顺畅，导致电导率增加。3、第二相作用论文2实验中发现：第二相对电导率也会产生很大的影响，依据XRD和EDS分析，随Y含量增加，I相减少，W相增加，Y量低于%时，随着W相增加，相
7、对电导率增加，似乎表明W相比I相有更好的导电性。另有研究表明基体中大量分布的第二相有利于增加电磁波的散射损耗；还有报告称，具有不同取向的第二相可以协助建立电导率网络，对提高电导率可能有较大贡献。4、织构的影响有文献报道：织构可以通过改变镁合金的磁特性来对电磁屏蔽性能产生影响；具体见文章：Effectoftextureontheelectromagneticshieldingpropertyofmagnesiumalloy5、致密度粒子穿越物质过程中，结构越紧密即空隙越小，粒子越难以穿越，导致电导率降低；SigmaXXA涡流电导率仪技术参数产品型号项目SigmaXXA电导率测量范围%IACS到1
8、10%IACS或MS/m到64MS/m或电阻率到?cm分辨率%IACS(小于51%IACS时)；%IACS测量精度%；1%提离效应探头补偿mm温度测量0到+50自动补偿功能电导率测量结果自动矫正为20数值正常工作环境温度0到+50，相对湿度0到95%显示大屏幕液晶，有背光屏幕同时显示多项重要参数供电3节AA充电电池或3节伏AA碱性电池可充电电池连续工作时间超过16小时探头A型机配直径14mm工作频率60KHz探头一支，B，C型机配直径14mm工作频率60KHz和直径8mm工作频率500KHZ探头各一支，探头都可自行更换读数存储器可保存500个测量数据文件PC机通讯方式RS232串口主机重量主机
9、尺寸220mm95mm55mm仪器外壳高抗冲击、防水淋工程塑料外壳包装及防护高抗冲击、防水淋的铝合金手提箱，内装有仪器、探头、通讯电缆、操作手册、电导率标块、充电器、仪器支架附件电导率标准试块随机3片，可提供更多标准试块供用户选购附录：常用材料电导率值及温度系数参考表涡流电导率仪测量原理：当有交变电流的线圈接近导电材料表面时，由于线圈交变磁场的作用，在材料表面和近表面感应出涡状电流，此电流即为涡流。材料中的涡流又产生自己的磁场反作用于线圈，这种反作用的大小与材料表面和近表面的导电率有关。通过涡流电导率仪可直接检测非铁磁性导电材料的导电率。导电材料发展史及其发展趋势【摘要】文章概述了导电材料的发
10、展史，着重介绍了导电高分子聚乙炔的发展状况，介绍了几种典型导电高分子材料，列举了结构型导电高分子材料的若干应用情况，并讨论了目前导电高分子材料的发展趋势。【关键词】导电高分子；聚乙炔；导电材料；发展趋势TheHistoryandDevelopmentTrendofConductiveMaterialAbstract：Thepapersummariedthehistoryofconductivematerialandemphasizethedevelopmentofakindofconductivepolymermaterial,introducedseveraltypicalconductiv
11、epolymermaterials,discussedthedevelopmenttrend.Keywords:conductivepolymermaterial;polyacetylene;conductivematerial;developmenttrend.1.导言1800年，一个中年的科学家发表了一篇论文，宣传他发明了一种电的发生装置伏打电堆，一种能够产生持续的直流电的装置。在法国科学院，他表演了他的实验，拿破仑立即下令授予伏特一枚特制金质奖章，以表彰他做出的贡献，他就是伏特。1800年因为他的发明而显得不平凡：我们走进了19世纪，也走进了“电气时代”。图1：伏打电堆2.人类所依赖的电
12、经过200多年的发展，电的理论和应用已经日趋成熟，人类也越来越依赖电。曾经就有一个经济学家说：“如果没有了电，全世界都会瘫痪。”这并不是危言耸听，因为电气已经渗透到我们生活的各个领域：照明、取暖、包括我现在写论文用的计算机等等。为什么电能得到如此的发展？我认为这主要是得益于两点：1.各种电器的设计、研究。2.导电材料的发展。现在，我就来谈一谈有关导电材料方面的最新进展和其对电气发展的影响。3.传统的电导体我们知道，导电现象实际上是电子定向移动的结果。因为这一点，金属材料得到了最早的应用，因为金属内部的电子可以脱离原子核的束缚，在核外自由运动，当电路中有了电流1后，自由电子会向同一个方向运动，也
13、就是形成了定向移动，这样金属就可以导电了。在相当长的一段时间里，人类都完全使用金属材料作为导体。后来经过研究，科学家们又发现半导体具有良好的导电性。当半导体两端加上外电压时,半导体中将出现两部分电流:一是自由电子作定向运动所形成的电子电流,一是应被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的空穴电流。在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。现在，半导体已经广泛地应用与高新电子产业，如晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探图2：半导体中的自由电子和空穴测器件、微波器件等。科学的发展永不会止步，即使越来越多的导电材料被研发出来，
14、科学家仍然会孜孜不倦地奋斗。只要能被广泛应用的零电阻材料没有被开发出来，关于导体材料的研究就一定会是化学研究的一个重头戏。而在如今，这个重头戏之中的重头戏，就是对于高分子导体材料的研究。4.导电高分子的发现导电高分子材料还需要从“共轭高分子”说起。导电高分子是从七十年代末发展起来的一类新型高分子，导电高分子通过掺杂可具备一定的电导率，通过掺杂-去掺杂，可在绝缘态和导电态之间切换，同时伴随许多独特的性质共轭高分子最简单的例子是聚乙炔。它由长链的碳分子以sp2键链结而成。由于sp2键结的特性，使得每一个碳原图3：导电高分子经常具有单双键交替的结构子有一个价电子未配对，且在垂直于sp2面上形成未配对
15、键。我们可以想像，相邻原子的未配对键的电子云互相接触，会使得未配对电子很容易沿着长链移动。然而，实际的情况较为复杂，未配对电子很容易和邻居配对而形成单键-双键交替出现的结构。这种转变称为配对化(dimerization)，物理上称为派若斯(Peirels)不稳定性。1导电高分子最初是很偶然地被发现的，1974年日本筑波大学在合成聚乙炔的实验中，偶然地投入了过2图4：白川英树量1000倍的催化剂，合成了一个漂亮的银色薄膜。后来的研究发现，这薄膜就是纯度很高的顺式聚乙炔。最令人惊喜的是，这种薄膜具有比较好的电导性。这个发现打破了人们长久以来“有机物不能导电”的传统观念。随后白川英树对其进行了深入的研究，他发现当聚乙炔暴露与碘蒸气中进行掺杂氧化反应后，其电导率达到了惊人的3000s/m！
