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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划半导体材料测试及分析(共3篇)常规材料测试技术一、适用客户：半导体，建筑业，轻金属业，新材料，包装业，模具业，科研机构，高校，电镀，化工，能源，生物制药，光电子，显示器。二、金相实验室?LeicaDM/RM光学显微镜主要特性：用于金相显微分析，可直观检测金属材料的微观组织，如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成，从而判断材质优劣。须进行样品制备工作，最大放大倍数约1400倍。?Leica体视显微镜主要特性：1、用于观察
2、材料的表面低倍形貌，初步判断材质缺陷；2、观察断口的宏观断裂形貌，初步判断裂纹起源。?热振光模拟显微镜?图象分析仪?莱卡DM/RM显微镜附CCD数码照相装置三、电子显微镜实验室?扫描电子显微镜(附电子探针)(JEOLJSM5200，JOELJSM820，JEOLJSM6335)主要特性：1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析，如解理断裂、疲劳断裂、晶间断裂、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。2、附带能谱，用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析，测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率：10X300,000
3、X；样品尺寸：10cm；分辩率:150nm。?透射电子显微镜主要特性：1、需进行试样制备为金属薄膜，试样厚度须)量的变化，来寻找样品相变开始及结束的温度。2、用于形状记忆合金及多组分材料Tg的测量。?差热分析仪DTA/DSC主要特性：用于热重量分析，利用热效应分析材料及合金的组织、状态转变；可用于研究合金及聚合物的熔化及凝固温度、多型性转变、固溶体分解、晶态与非晶态转变、聚合物的各组份含量分析。?动态机械分析仪/热机械分析仪主要特点：1、用于低温合金和低熔点合金材料的热力学及热机械性能分析。2、用于测定材料的热膨胀系数、内耗、弹性模量。材料的热膨胀系数受到材料的化学成分，冷加工变形量，热处理工
4、艺等因素的影响。七、薄膜加工实验室物理气相沉积(PVD)设备?射频和直流源磁控溅射系统。?离子束沉积系统?电子枪沉积系统?热蒸发沉积系统?脉冲激光沉积系统?闭合磁场非平衡磁控溅射离子镀主要特性：制备高品质的表面涂层，赋予产品新的性能(譬如：提高表面硬度，抗磨损性及抗刮擦质量，减低摩擦系数等)。在苛刻的工作环境中提高产品的使用寿命，并且改善产品的外观。例如在工业生产涂层的种类：1、氮化钛膜(TiN)：常用于大多数工具的涂层，包括模具、钻头、冲头、切割刀片等。2、类金刚石涂层(DLC)-Ti+DLC涂层具有良好硬度及低摩擦系数，适用于耐磨性表面、铸模、冲模、冲头及电机原件；Cr+DLC涂层为不含氢
5、的固体润滑溅射涂层，适用于汽车部件、纺织工业、讯息储存及潮湿环境。、含MoS2的金属复合固体润滑涂层适用于铣刀、钻头、轴承、及极低磨擦需求的环境、如航空及航天科技的应用化学气相沉积(CVD)设备?热丝化学气相沉积系统?射频和直流源化学气相沉积系统?金属有机分解及熔解凝固沉积系统?电子回旋共振-微波等离子化学气相沉积系统1、等离子体化学气相沉积是一种新型的等离子体辅助沉积技术。在一定压力、温度及脉冲电压作用下，在产品表面形成各种硬质膜如TiN,TiC,TiCN,(Ti、Si)CN及多层复合膜，显微硬度高达HVXX-2500。2、PCVD技术可实现离子渗氮、渗碳和镀膜依次渗透复合，可提高产品表面的
6、耐磨损、耐腐蚀及抗热疲劳等性能。适用于钛合金，硬质合金，不锈钢，高速钢及一些模具材料的表面涂层处理。PIII等离子实验室1、PIII等离子实验室由一个半导体等离子注入装置和一个多源球形等离子浸没离子注入装置组成，通过将高速等离子体注入工件表面，改变表面层的结构及性能，提高产品的硬度，耐蚀性，减少磨擦力以达到表面强化，延长产品的使用寿命及灵敏度的目的。2、PIII球形等离子注入技术广泛应用于半导体、生物、材料、航空航天关键组件等各个领域，是一种综合技术，用于合成薄膜及修正强化材料的表面性能。与传统的平面线性等离子注入技术相比，PIII技术可从内壁注入作表面强化处理，极适用于体积庞大而形状不规则的
7、工业产品。八、材料加工实验室金属及合金加工实验室?行星球磨机?激光粒度分析仪(CoulterLS100)?比表面积分析仪(NOVA1000)?滚动磨床?水银孔隙率计?交流磁化率计?振动磁力计聚合物加工实验室?加工成型设备?性能测试设备(霍普金森压力系统、FTIR、扫描电镜、透射电镜、光学显微镜及所有来自热学实验室的仪器)高级陶瓷实验室?陶瓷加工成形设备?微平衡系统、球磨机与等静压系统(ABBQIH-3)?电子陶瓷性能测试仪器标准精度铁电测试系统(镭射技术)，MTIXX键盘薄膜传感器，压电尺，精密电阻分析仪(HP4294A)，Pico-AmpMeter，直流电压环境。?超声波测试系统先进电子陶瓷
8、-标准化电性能测试系统SignatoneModelS106R用于测试先进电子陶瓷材料的铁电和压电及热释电性能。测试不同温度下电容、电阻的变化曲线及频谱曲线。九、机械性能测试实验室?单一拉伸实验机主要特性：1、拉伸试验是最常规的塑性材料准静载试验。2、用于测量各类材料的屈服强度，抗拉强度，剪切强度，断面收缩率，屈服点及制定应力应变曲线。3负荷由30KN1KN。?金属疲劳强度测试仪?冲击性能测试机：，落锤式重力冲击测试仪）主要特性：1、用于测定塑胶及电子材料的冲击韧性k、应力应变曲线，对材料品质、宏观缺陷、显微组织十分敏感，故常成为材质优劣的度量。2、最大负荷为19KN，温度变化范围为-50150
9、，能测出百万分之一秒内时间与力的变化。?蠕变测试仪XX-2021年半导体测试行业深度调查及发展前景研究报告杭州先略投资咨询有限公司二一六年报告目录报告摘要研究背景研究方法第一章半导体测试行业发展综述第一节半导体测试行业定义第二节半导体测试行业基本特点第三节半导体测试行业分类第四节半导体测试行业统计标准一、统计部门和统计口径二、行业主要统计方法介绍三、行业涵盖数据种类介绍第五节半导体测试行业经济指标分析一、赢利性二、成长速度三、附加值的提升空间第二章全球半导体测试行业运行形势分析第一节全球半导体测试行业发展历程第二节全球半导体测试行业市场发展情况一、全球半导体测试行业供给情况分析二、全球半导体测
10、试行业需求情况分析第三节全球半导体测试行业主要国家及区域发展情况分析一、欧洲二、美国三、日本第四节全球半导体测试行业市场发展趋势预测分析第三章XX-XX年中国半导体测试行业发展环境分析第一节XX-XX年中国经济环境分析一、宏观经济环境二、国际贸易环境第二节XX-XX年半导体测试行业发展政策环境分析一、行业政策影响分析二、相关行业标准分析三、行业发展规划第三节技术环境分析一、主要生产技术分析二、技术发展趋势分析第四节XX-XX年半导体测试行业发展社会环境分析第四章中国半导体测试行业市场总体运行情况分析第一节XX-XX年中国半导体测试市场规模分析第二节中国半导体测试行业规模情况分析一、行业单位规模
11、情况分析二、行业人员规模状况分析三、行业资产规模状况分析四、行业市场规模状况分析第三节XX年中国半导体测试区域市场规模分析一、XX年东北地区市场规模分析二、XX年华北地区市场规模分析三、XX年华东地区市场规模分析四、XX年华中地区市场规模分析五、XX年华南地区市场规模分析六、XX年西部地区市场规模分析第四节XX-2021年中国半导体测试市场规模预测图表：我国半导体测试产品区域规模预测(图表模型，具体数值以报告内容为准)第五章XX-XX年中国半导体测试行业供需情况分析第一节XX-XX年中国半导体测试产量分析一、XX-XX年中国半导体测试产业总体产能规模统计分析二、XX-XX年中国半导体测试产业产
12、量统计分析图表：XX-XX年我国半导体测试产品产量统计(图表模型，具体数值以报告内容为准)三、XX年半导体测试行业生产区域分布第二节XX-XX年中国中国半导体测试市场需求分析第三节行业供需平衡状况分析一、XX-XX年中国半导体测试行业供需平衡分析二、影响行业供需平衡的因素分析三、半导体测试行业供需平衡走势预测第六章半导体测试行业产品价格分析第一节XX-XX年中国半导体测试行业产品价格回顾图表：XX-XX年我国半导体测试产品价格统计(图表模型，具体数值以报告内容为准)第二节中国半导体测试产品当前市场价格统计分析第三节中国半导体测试产品价格影响因素分析第四节XX-2021年中国半导体测试产品价格预
13、测第七章半导体测试行业替代品及互补产品分析第一节半导体测试行业替代品分析一、替代品种类二、主要替代品对半导体测试行业的影响三、替代品发展趋势分析第二节半导体测试行业互补产品分析一、行业互补产品种类二、主要互补产品对半导体测试行业的影响三、互补产品发展趋势分析半导体材料测量(measurementforsemiconductormaterial)用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。在半导体半barl材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而且由于制备半导体薄层和多层结构的外
14、延材料，使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质，不仅使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。另一方面，有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制造的需要。因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。一般采用发射光谱和质谱法，但对于薄层和多层结构的外延材料，必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测，这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。半导体晶体中杂质控制情况见表1。表1半导体晶体中杂质检测法晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质，因此，必须根据器件制造的要求，生长具有一定晶向的单晶体，而且要经过切片、研磨、
