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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划半导体所考研心得新祥旭中国科学院大学考研辅导第一品牌XX中国科学院半导体研究所考研经验英语我用的张健黄皮书系列，简直是英语宝典。这个系列一定要好好看，时间充裕的话，最好读一读华尔街日报和经济学人这两个纯英语杂志，能读懂几篇对阅读中的长难句是很有帮助的，同时还能拓宽知识面，尤其是些经济问题。政治的复习可以放在后三个月，我就是在这段期间复习的政治，光在最后一个月报了一个新祥旭的冲刺班，政治主要是老师的预测题和模考，这个班的模式是能在短期内把你调整到应试状态，当然除了政治，这个班还包括另外
2、两门公共课。数学我在大三下半年开始,在大三结束前，主要是把课本过了一遍，主要是把书上的知识点都梳理出来，把课后的习题都仔细做了一遍，这有助于巩固知识点，大家一定不要偷懒哟。从暑假开始，开始做李永乐的全书，刚开始做时觉得好难，这很正常，我是边做边把不会的习题整理出来作为错题集，这也是个耗时的工程，但是都做完了，在接下来的复习过程中能起到事半功倍的作用。全书做完了，之后开始做400题，我个人觉得这题有些难，但是做完后，很能打开你的做题思路，好比能打通任督二脉一般，哈哈，所以当遇到困难时，我选择了坚持，所以希望大家都要坚持下来。再说说专业课考题的选择，这个其实是很重要滴，我就在这个问题上吃了点亏。我
3、考的专业是固体电子学与微电子学，方向是光电子方向，初试专业课考题分两套，一套是固体物理，一套是半导体物理，复试时有面试和笔试，其中笔试考的半导体物理和半导体器件的内容比较多，固体物理的内容很少，接近于没有。由于我本科学的物理，学习过固体物理这门课程，所以就直接选择了固体物理这套，这门课程其实很好拿高分，考题的内容基本上都在中科大出版的一本习题集上，习题集的名字是固体物理与物理量的测量，这本书其实是中科大出版的物理学大题典中的一册，黑皮的。我建议大家如果选择考固体物理的话，那么这本书是大家的必备参考用书。选择固体物理有这样的好处，也有十分大的弊端，前面说过在复试笔试时，考的是半导体物理和半导体器
4、件的内容比较多，固体物理的内容很少，所以我的笔试成绩不高，所以对于专业课考题的选择，大家必须慎重。距离17年考研，时间越来越近，希望考研的小伙伴们能考个好成绩！地址：北京市海淀区苏州街长远天地大厦B1座5层.新祥旭中国科学院大学考研辅导第一品牌地址：北京市海淀区苏州街长远天地大厦B1座5层.第一章晶体结构晶格1晶格相关的基本概念1.2.3.4.5.6.7.8.晶体：原子周期排列，有周期性的物质。晶体结构：原子排列的具体形式。晶格：典型单元重复排列构成晶格。晶胞：重复性的周期单元。晶体学晶胞：反映晶格对称性质的最小单元。晶格常数：晶体学晶胞各个边的实际长度。简单晶格&复式晶格：原胞中包含一个原子
5、的为简单晶格，两个或者两个以上的称为复式晶格。布拉伐格子：体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。9.基失：以原胞共顶点三个边做成三个矢量，1，2，3，并以其中一个格点为原点，则布拉伐格子的格点可以表示为L=L11+L22+L33。把1，2，3称为基矢。10.平移对称性：整个晶体按9中定义的矢量L平移，晶格与自身重合，这种特性称为平移对称性。11.晶向&晶向指数：参考教材。12.晶面&晶面指数：参考教材。立方晶系中，若晶向指数和晶面指数相同则互相垂直。2金刚石结构，类金刚石结构金刚石结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格，它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成
6、。常见的半导体中Ge，Si，-Sn都属于这种晶格。金刚石结构的特点：每个原子都有四个最邻近原子，它们总是处在一个正四面体的顶点上。每两个邻近原子都沿一个方向，处于四面体顶点的两个原子连线沿一个方向，四面体不共顶点两个棱中点连线沿一个方向。金刚石结构的密排面：1，1，1晶面的原子都按六方形的方式排列。每两层1，1，1原子层完全相同，ABCABC在这种结构中，关于任何两个相邻原子连线中点具有反演对称性。类金刚石结构：GaAs，InSb，GaP等化合物晶体的晶格是由两种不同原子组成的面心立方晶格套构而成的，称为类金刚石结构或闪锌矿结构，显然闪锌矿不再具有反演中心。3共价结合晶体结合的四种基本方式1.
7、2.3.4.离子结合：原子间交换电子，形成正负离子，之间相互库仑作用结合成固体。共价结合：相邻原子共用电子对形成共价键。金属结合：价电子共有化形成负电子云，正离子浸泡在电子云中。范德瓦尔结合：发生在饱和电子结构中，相互作用靠很弱的瞬时偶极矩。成键态与反键态(以H2为例)A，B两原子相互靠近形成分子，两个价电子为A，B共有。AB成键态：=C(A+B)反键态：=C(A-B)其中C和C为归一常数成键态电子云集中在两原子核之间，同时受到两个原子核的库仑吸引作用，库仑能下降，故形成共价键。反键态使能量升高1，成键态能量下降2且有12，只有未成对电子才能形成共价键。SP3杂化Si的原子组态为：(1S)2(
8、2S)2(2P)6(3S)2(3P)2稳定电子价电子由Si原子组态可知，若不改组的话只能形成2个共价键，但实际上有4个共价键，成四面体，这是因为发生了SP3杂化的缘故。即价电子的组态发生了如下改组：(3S)2(3P)2(3S1)(3Px)(3Py)(3Pz)组成了新的4个轨道态，实际上四个共价键是以S态和P态波函数线形组合为基础的，这样使得系统能量最低。杂化的好处：成键数增多，四个杂化态上全部是未成对电子。成键能力增强，电子云集中在四面体方向，电子重叠大，使能量下降更多，抵消杂化的能量，使总能量减小。4晶格缺陷晶格缺陷分3类：?点缺陷的类型：?弗兰克尔缺陷：原子热运动，少量原子离开格点位置进入
9、间隙形成空位间隙原子对。肖特基缺陷：单一空位的缺陷。反肖特基缺陷：单一缺陷原子的缺陷。点缺陷：间隙原子和空位。线缺陷：位错。面缺陷：层错。第二章1半导体基本能带半导体中的电子状态布洛赫波在晶体的周期场中，电子波函数的形式为k(r)=eikrk(r)，其中k(r)=k(r+L)其中k称为简约波束，有波束的量纲，但要在一简约范围内取值。?k与动量类似，在跃迁过程中守衡，且有d?k?F外dt，故称为准动量。在晶体中k取值在一定范围内，这范围称为简约布里渊区，下面以一维为例加以证明。设晶格周期为k(x)=k(x+n)k(x+)=eikeikxk(x+n)=eikeikxk(x)=eikk(x)其中ei
10、k表示相邻原胞之间波函数位相差，因此-k，三维情形，1，2，3三个基矢有k(r+n)=eikk(r)，其n中n=1，2，3。定义矢量b1，b2，b3分别等于bbb1?2?2?2?1?3?2?2312?2?1313?2?2?3则有ibj=2ij故称b1，b2，b3为倒矢量，以b1，b2，b3为基矢组成晶格，称为倒格子。这样定义下有倒格子原胞的体积于原晶格原胞的体积相乘之积为常数(2)3用Kn=n1b1+n2b2+n3b3表示倒格矢，则k和k+Kn表示相同状态。因此简约布里渊区也称作不相差任何倒矢量，位相变化单值完备的区域。对于金刚石结构的面心立方晶格，倒格子为体心立方，通常取倒格子中k=0原点做
11、次近邻，近邻中垂(转载于:写论文网:半导体所考研心得)面围成的区域，它称为维格纳塞兹原胞。周期性边界条件由于实际晶体包含的原子是有限的，故每个能带所包含的状态数是有限的，又由于边界条件的差异对大块晶体性质并无本质影响，故引入周期性边界条件来计算k空间的取值密度。?一维：设一维晶格总长度L=N周期性边界条件为：k(0)=k(L)=k(N)k(0)=k(0)k(N)=eikNk(N)=eikNk(0)所以得到eikN=1故有kN=2n(n为整数)因此k的可取值为k=/N,取值密度gk=N/2=L/2对一维，简约布里渊区长度为2/，因此布里渊区内包含的状态数为=L/=N正好等于原胞数N所以k空间的取
12、值密度也可以用原胞总数除以布里渊区长度来计算?三维：对于三维可以类似地求得k空间的状态密度gk=(N11N22N33)/(2)3显然，用倒格子原胞的体积(2)3/乘以k空间的密度gk得到k空间的状态数为N1N2N3，仍等于晶体所包含的原胞总数。*注：上面公式中表示实际晶体原胞体积，有=1232电子准经典运动电子准经典运动的两个基本公式dkdt?dPdt?F外V?1?kE(k)加速度和有效质量三维：dVdd1?kE(k12(F?k)?kE(k)tdt?2E?2E?kx?kx?ky写成张量形式：d2Vd?1)F,1?1?E?2E?2tmm?ky?kx?ky?2E?2E?kz?kx?kz?ky1/m
13、可对角化，因此可以写成F?dV?d?m?t?2E?kk?x?z?2E?k?y?kz?2E?k2?z?微电子考研经验搜集1.清华：重要的是基本的概念，基本的推导，基本图像的解释，各种能带图的画法，概念要懂，推导要熟，考试时有少量计算，要是概念清楚都不难。半导体对初学者不太好懂，但是自己要是把其中基本的推导推上3遍，上考场至少这门应该很有信心了。前八章中的推导比较多，有印象的主要有电子空穴有效质量，速度，加速度的推导，状态密度，PN结中的电流的推导，爱因斯坦等式等等等。其中求倒格子不会也行。七八章和器件联系较紧，在器件中再说。第九章会画异质结能带图就行，考计算的没见过，第十到十二章要注意几点:光生
14、载流子和连续性方程结合，光电增益，有光生伏特有关的概念和计算，利用HALLLAW计算各种参数。第十三章非晶态不要求。每章的具体重点见清华本科生的笔记。、器件基本要求同上，应该说张莉老师的课件很好，好懂，概念清楚，要是把上面的东西都搞懂了，考试可以保证这部分不丢分。要注意的几点:BJT,MOS的中低频，高频等效电路及其中的各种参数的计算;就近几年考试题来看，BJT的参数计算较少，考概念较多；*特别提醒:MOS能带图；CV特性及图像；sah方程的推导及运用；会数形结合，从图像中提取参数，MOS的一系列二级效应；等等。每年必考，主要是因为MOS电路已经成为集成电路的主流，是模电和数电的基础。说明:以上两门不再于看什么书，书上的东西要懂要全就好。刘恩科的半导体还是很不错的，没顾祖毅的也行，器件就看课件就好，我看过一阵子的亢宝位的书，推导太多，很难懂。模电RAZA
