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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划半导体存储器原理实验报告实验报告时间：半导体存储器原理实验一、目的要求(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法。(2)掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。二、实验仪器与试剂计算机组成原理实验箱。三、实验原理1、实验中所用的存储器实验原理如图1所示。图1存储器实验原理图四、实验步骤1、实验连线。2、写操作。给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15。3、读操作。依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容
2、是否与前面写入的一致。五、实验现象、结果记录及整理六、分析讨论与思考题解答解答一：通过本次实验我基本掌握了静态存储器的工作特性及使用方法，掌握了半导体随机存储器怎样存储和读出数据。学习了试验一的内容，做起实验二来比较简单了。解答二：先要进行写地址操作然后可以做写内容操作。SW-B、CE为低电平有效，LDAR、WE为高电平有效。写地址操作完成后，要关闭LDAR，否则输入的数据会把原来AR地址寄存器的数据冲刷掉，导致数据错误。课程实验报告课程名称：计算机组成原理专业班级：学号：姓名：同组成员：指导老师：报告日期：计算机科学与技术学院目录一、实验名称.1二、实验目的.1三、实验设备.1四、实验任务.
3、1五、注意事项.2六、设计思路、电路实现与电路分析说明.21、任务分析.22、设计思路.43、电路实现与详细分析说明.4七、实验结果的记录与分析.8八、实验中碰到的问题及解决办法.8九、收获与体会.8十、参考书目.9一、实验名称实验名称：半导体存储器实验二、实验目的1掌握半导体随机读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。2掌握半导体存储器进行读写的过程及读写周期、时序等。3掌握半导体存储器扩充的方法。4掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。三、实验设备JZYL型计算机组成原理实验仪一台。芯片：6116存储器芯片1块74LS244数据开关2块74LS193计数器1块四、实验任务根据实验指导
4、书P12P16页的要求，按照下图完成8位存储器基本实验内容。要求：1）、为了提高存储器读写数据的可靠性，在基本存储方案的基础上，自行设计电路对写入的数据进行编码处理，即形成奇偶效验码，并将产生的校验信息与数据一并保存。2）、对读出的数据通过奇偶效验方式进行验证，检查写入的数据在保存和读出过程中是否出现错误，保证存储器数据写入读出的可靠性。3）、校验指示灯：当从6116读出信息时，校验指示灯亮；其它情况下灭。4）、读写模式、读写操作：读模式下，如果开关为读操作，则无冲突；读模式下，如果开关为写操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为读操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为写操作，则无冲突；5）、冲
5、突说明：冲突时，报警灯亮，244处于高阻态，6116不工作，7个数据灯、一个五、注意事项1）使用任何芯片时，若插槽多于引芯片脚数，则需要接地，否则会出现电路逻辑问题。2）193的加减信号脉冲应接到负脉冲信号端，否则会导致加减信号不能同时使用。六、设计思路、电路实现与电路分析说明1、任务分析整体方案：我们组采取参考老师所给的电路，重点在于读写校验的解决和读写时只有一根数据总线，如何解决读写冲突问题。通过老师的讲解和与同组成员的讨论，决定采用奇偶校验的方法进行读写校验。采用控制信号对244以及6116进行控制的方法，对高阻位以及读写位进行控制，进行冲突处理。芯片选择与分析：根据方案的示意图，方案需
6、要用到一个6116存储器、一个地址计数器、7个数据显示灯、读校验，写校验，冲突报警灯各一个、244芯片两片。各个芯片介绍如下：1）6116芯片：6116芯片容量为2K*8，它有11根地址线74LS244：74LS244是一个3态8位缓冲器。控制8位数据的输入的，Oea和Oeb是控制信号，接同一个开关，低电平有效，当他们为低电平时，对应的输出端和输入一样再控制6116便可以存入数据。当控制信号为高电平时，输出端为74LS244真值表74LS244管脚图_管理_学院_信息管理与信息系统_专业_2_班_组、学号_姓名_吴兴平_协作者_林敬然_教师评定_半导体存储器原理实验1.实验目的与要求：实验目的
7、：(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法。(2)掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表各控制端的状态及记录表的写入和读出操作过程。2.实验方案：(1)使用了一片6116静态RAM，但地址端A8-A10脚接地，因此实际上存储容量为256字节。存储器的数据线D7-D0接至数据总线。(2)使用一片8位的74LS273作为地址寄存器，地址寄存器的输出端接存储器6116的地址线A7-A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。(3)数据开关用来设置地址和数据，它经过一个三态门74LS245与数据总线相连，分别给出地址和数据。(4)地址显示灯A
8、D7-AD0与6116地址线相连，用来显示存储单元的地址，数据总线上的显示灯B7-B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。(5)存储器有三个控制信号：CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。当片选信号CE0时，RAM被选中，可以进行读/写操作;当CE1时，RAM未被选中，不能进行读/写操作。读命令信号OE在本实验中已固定接地，在此情况下，当CE0，WE=1时，存储器进行写操作，当CE=0，WE=0时，存储器进行读操作。(6)LDAR是地址存储器AR存数控制信号。(7)按图连接好实验电路，检查无误后通电。(8)将表的地址和内容转化为二进制。(9)参考以上操作，向存储器单元里先写第
9、一个单元的地址、然后向第一个地址，再写第二个地址，然后向第二个地址单元写内容，就这样不断循环操作，直到做完。3.实验结果和数据处理：(1)填写表各控制端的状态。如下图所示：表(2)记录表的写入和读出操作过程。向存储器的00H，01H，02H，03H，04H，05H，06H地址单元分别写入数据AAH，55H，33H，44H，66H，08H，F0H，如表所示：1）设置输入控制端的开关状态：将实验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7D0设置为。2）写地址操作。SW-B=0,LDAR=1,CE=1,WE=0/1,设置好各类数据后，按一下微动开关START即可。最后，关闭AR地址寄存器
10、的存数控制信号：LDAR=0。完成写地址操作。3）写内容操作。SW-B=0,LDAR=0,CE=0,WE=1,输入好各项数据后，按一下微动开关START即可。最后，关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。存储器写命令操作完毕。4）读内容操作。首先完成写地址操作），再做读内容操作。读内容操作：SW-B=1,LDAR=0,CE=0,WE=0。不需要脉冲，即不要按微动开关START。此时地址的内容通过”BUSUNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。5）注意先写第一个地址，然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址，然后读出第二个地址单元的内容，就这样不断循环操作即可读出各地址单元的内容。6）依次读出表中各地址单元的内容，观察各单元中的内容与写入内容是否一致。7）结果一致，读写操作顺利完成。4.结论：存储器的工作特性及使用方法是先做写地址操作，将数据写入地址寄存器AR里，再对存储器的地址单元进行写内容操作写入相关数据，最后再读出地址单元的内容。半导体随机存储器是用来存取和读取数据的，6116型RAM存储器是可写和可读的，每次把数据存入地址，可做相应的操作把数据读
