硅检检验标准培训讲义

《硅检检验标准培训讲义》由会员分享，可在线阅读，更多相关《硅检检验标准培训讲义（59页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、新员工培训目录一、硅片检验标准及使用工具、仪器及注意事项 二、手工检验流程 三、检验数据及工具交接 四、ATM自动分选机操作流程及注意事项 五、ATM自动分选机校准 六、ATM自动分选机基本异常处理,一、硅片检验标准及使用工具、仪器,1.硅片分为单晶、多晶至今检验过的型号：125S 150 125S 165 156S 200156E 219.21,2.硅片检验分为三大类,一、尺寸类,二、性能类,三、外观类,1-1边长,1-2对角线,对角线 （ 125S -150、 165 ）（ 156S -200 ） （ 156E - 219.21）多晶对角线不做要求,合格范围：0.5mm 例:150合格范围

2、149.50-150.50,让步范围：0.6mm 例:150让步范围149.40-149.49或150.51-150.60,不合格范围：-0.6或0.6mm 例:150不合格范围149.40或150.60,检验工具-游标卡尺,作用：测量边长、对角线。注：1.测量前需归零。2.水平、平行测量。,1-3厚度（TV、TTV）,TV：一片硅片中心点的厚度。合格： （来料厚度200um）标称厚度20（来料厚度200um）标称厚度15让步： （来料厚度200um）标称厚度30（来料厚度 200um）标称厚度20不合格： （来料厚度200um）标称厚度30，标称厚度30（来料厚度 200um）标称厚度20，

3、标称厚度20,TTV：是指一片硅片厚度最厚和最薄的误差。 合格： （来料厚度200um）15%硅片标称厚度（来料厚度 200um）25um 让步： （来料厚度200um） 20%硅片标称厚度（来料厚度 200um） 30um 不合格： （来料厚度200um）20%硅片标称厚度（来料厚度 200um） 30um,检验工具,作用：测试硅片厚度。注：1. 测试前需归零。2.离硅片边缘3mm处测量。,2-1少子寿命 1.少子寿命：对p型半导体材料则相反，产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡少数载流子的寿命。（lifetime）合格： 裸片1us（微秒）钝化

4、后10us 钝化：将硅片抛光后加入碘酒测试。不合格：裸片1us（微秒）钝化后10us测量仪器ATM自动分选机。注：手工检验时不进行测量。 2-2导电类型导电类型：P型和N型；目前我们执行的是P型工艺，N型为不合格；测量仪器ATM机器。,2-3电阻率 电阻率：用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 单位为欧姆厘米 （ohm*cm ） （单晶 ） 合格：0.5-3让步：3-6不合格：6或0.5 （多晶 ） 合格：0.5-3 无让步 不合格：3或0.5测量仪器：四探针测试仪或ATM自动分选机注：测试硅片中心点。,3-1倒角偏差/外形片 1.倒角偏差：硅片倒角有规则的同时凹进或凸出，以凹进最大值计算

5、。 2.外形片：硅片倒角不规则的凹进或凸出，以最大值计算。 注：倒角偏差和外形片只针对单晶片，多晶片是直倒角，倒角不做要求。 3.合格：0.5mm让步： 0.6mm不合格：0.6mm 3-2梯形片/菱形片,同心度模板 作用：测量倒角偏差/外形片。 注：测量时模板的标准线对准硅片的四边，观察四个倒角有无外凸、内凹及偏移现象。,检验工具,3-3 弯曲片/翘曲片,1.弯曲片：硅片轻晃有波动现象，放在水平测试台上不会移动。 2.翘曲片：硅片边缘部分翘起。 3.检验标准：合格：0.05mm；无让步；不合格：0.05mm 4.检验工具：塞尺、平台 作用：测量弯曲、翘曲。 注：1.硅片轻放在水平测试台上，勿

6、用手按压硅片。2.塞尺平行插入缝隙内。3.水平测试台上禁止放置任何物品。,3-4 台阶片/线痕片,1.台阶片：硅片表面明显凹凸不平，侧面呈阶梯状。 2.检验标准：合格：15um；无让步；不合格：15um,检验标准：合格：15um；让步：20um （180um厚度及以下无让步）；不合格：20um,密集型线痕,检验工具：面粗糙度计、水平测试台,作用：测量线痕、台阶。 注：查看相关参数是否在测试要求内。,3-5崩边/硅晶脱落/缺口,1.崩边 检验标准： 合格：无崩边； 让步：长1mm,深0.5mm,且每片片子崩边个数2个； 不合格：长1mm,深0.5mm,且每片片子崩边个数2个。 注：不允许有隐裂。

7、,2.硅晶脱落合格：无硅晶脱落；让步： 面积0.5mm*0.5mm;每片片子个数2个且未穿透；不合格：面积0.5mm*0.5mm; 每片片子个数2个；穿透。,3.缺口 合格：无缺口； 让步：长1mm深0.3，每片片子缺口个数2个； 不合格：长1mm深 0.3，每片片子缺口个数 2个。 注：不允许有V型缺口。 4.以上均为目测。,3-6 微晶/分布晶/雪花晶,1.微晶：1cm长度上晶粒5个。 2.分布晶：大晶粒分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒。 3.雪花晶：面积2cm2 晶粒50个。4. 检验标准： 合格：无 无让步 不合格：有 注：此项不良只针对于多晶片。,3-7其它不良,3-7其它不良,3

8、-7其它不良,硅片检验要求,1.只接受掺硼片，不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步，否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶95%、多晶98%，作为批退处理；合格率单晶95%、多晶98%，进行试投。 4.等外品片试检合格率85%（包括单晶、多晶），作为批退处理；合格率85%，进行试投。 5.硅片试检抽样来料数量 抽检数量 50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs 100000pcs 10000-12000pcs,二、手工检验流程,1.拆箱：检验时必须戴上汗布手套及丁腈手套，并每2h更换一次。确认箱外标识（型号

9、、厚度、电阻率、数量）与箱内标识是否一致。 2.拆盒：查看盒内实物与盒外标识是否一致、是否存在外观 缺陷、短缺。 注意：若盒内硅片存在缺陷、短缺的现象应及时向领班/工序长汇报，进行拍照并做好记录（需拍：箱号、晶体编号、实物）。 3.外观类检验（见图1、2、3） 交叉倒片，查看硅片四边是否存在缺陷，若存在缺陷片，则放入相应的不良品分选盒内。50片双面检验，一片一片进行检验。,4.尺寸类检验。 测量边长/对角线（见图4、5），每100片抽测一片，并在硅片检验记录表记录其最小值与最大值。 注意：若整叠（100片）硅片不整齐，则需加严检测。使用游标卡尺需先归零，卡脚平行测量。测量时，边长需测量四次（同

10、侧上下各一次）。 测量厚度（见图6），每100片抽测一片，记录其最小值与最大值； 注意：使用五点测试法，硅片边角四点（距离硅片边缘3mm处测量）及中心点。,5.电性能类检验。测量电阻率，每100片抽测一片，并记录其测试值。注意：若电阻率超标，则需均匀加测三片。 6.每盒检完，将检验出的不良品记录在硅片检验记录表外观栏类，封盒并贴外观描述标签。注意：确保外观描述上的少片数量与硅片检验记录表上不良项目及检验出的不良实物数量一致。,7.每箱检完后填写IQC检验结果单，确保与箱内数量及硅片检验记录表中的数据一致；经工序长确认无误后，封箱，将IQC检验结果单贴在封口处，并在右上角贴上合格标签。 注意：确

11、保所填数量应与箱内实物数量及硅片检验记录表中的数据一致；,8.一批检验结束，收集不良品、拍数并填写各类报表（汇总不良品明细表、IQC硅片检验质量统计表、送检单、不良品退换货单、硅片进货检验记录表、供应商硅片检验汇总表）。,1.拍数（合格数量）,注：检验合格数+不良品数+短缺数量=一批来料总数,9.结批入库,10.由领班将检验结果即原材料异常反馈单发送领导及采购部相关人员。 11.由主管填写供方来料异常反馈单。,四探针测试仪操作步骤：,3.将按钮按到“e”；,使用步骤： 1.将电源打开（ON/OFF）；,2.将电流调到“1”档；,5.根据硅片的厚度，将电流调成相应的参数（见附表），如厚度为200

12、um,电流参数就为“0906”，调节参数（粗调与微调）。,4.将一片硅片放到测试台上，按下降键。,用途：测量硅片的电阻率,将按钮按到R口/e;,7.测试时将硅片放在测试台上使硅片中心点对准探针，按下降键即可测试，测试完闭后按上升键，取出硅片。,1.数据交接 根据，对表中各项不良品汇总数量与实物数量一一进行确认核实。根据，查看已检数量和来料总数，确认待检数量。,三、检验数据及工具、5S交接,2. 5S及工具交接 5S方面（ATM机器、地面、垃圾箱、桌面）是否干净整洁，各类物品是否按规定区域有序摆放。工具方面（推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其

13、标准片、四探针测试仪及其标准片，ATM机器校准片）是否完好无损，并且按规定区域有序摆放。,四、机检流程及注意事项,检验前准备工作： 1、1号模块测试过程中查看测试的灯泡是否工作，若不工作通知设备进行更换。 2、检查机器内设置的参数是否符合检验标准，员工不允许擅自修改机器内参数。 3、检查机器各测试模块是否能正常工作。 4、当班检测前在4号模块内新建当班检验文件，存储当班检验电阻率、厚度、P/N型数据。,1.上料 （1）打开箱子，核对箱内、箱外标签上规格、数量、是否一致。,（2）打开包装盒，先检查有没有缺角、碎片、短缺，如有此现象，需要拍照（拍晶体编号、箱号及实物）。注：拆盒时刀尖伸出不宜过长,

14、避免损伤盒内硅片。,（3）上料-将硅片（150片）放入上料盒中。注：硅片切割线必须垂直于轨道。,2.ATM机器检验检验项目： （1）裂纹、孔洞 （2）少子寿命 （3）外观（正面）、尺寸 （4）电阻率（P/N型） （5）TTV（线痕、弯曲） （6）外观（反面）,3.下料 将机器所检验出来的合格硅片放入盒中，满盒后封盒，贴外观描述。 注：按图示步骤取出硅片。4.收集不良品将机器所检出来的不良品进行确认、分类及清点数量，最后将不良品包装装箱。,5.结批入库,少子寿命校准：,六、ATM自动分选机校准,进入2号模块的方法： Ctrl键两下数字键 2 Enter (回车)键校准步骤： 1. 点击Stop进

15、入Recorder 放入正常硅片点击Autosetting测试； 2.测试完毕后取回硅片，点击 Star正常测试。 注：少子寿命每班需校准一次。,1、ATM机器各模块校准,电阻率及厚度校准：,进入4号模块的方法： Ctrl键两下数字键 4 Enter (回车)键,校准步骤：1）将标片置于设备的厚度探针下，然后点击操作界面上的Calibrate Thickness(校准厚度),在随后弹出的界面中输入标片的厚度数值,点击“OK”2）查看校准厚度值是否在此范围内，若在此范围内需记录其校准值，若不在此范围内需重新校准。,3）取出标片 再将标片置于电阻率探头下 点击Compensate Resistivity(补偿电阻）点击NEW。,4)点击Calibrate Resistivity(校准电阻）输入电阻率标准值点击OK并查看电阻率值是否在此范围内，若在此范围内需记录其校准值，若不在需重新校准拿出标片。,注意事项：放置标片校准时需与探头对齐，否则影响其准确性，厚度校准区域勿与电阻率校准区域混淆。厚度校准误差值：2um电阻率校准误差值： 0.1 欧姆.厘米校准时间：每班校准一次,5)点击Options(选项）点击Save Measurement Options(保存测量选项） 输入校准时间. 6)校准完成后需点击Star。,