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1、集成电路工艺制程介绍MWWI21C.CN园集成电路生产的3个阶段园机械性质园退火(Annealing园双极型晶体管(BipolarJunctionTransistor-BJT园短沟道效应一集成的结果园热电子效应HGtBlectzonEff&t)园LDD(LightlyDopedDrain)一轻掺杂漪极园半导体元件的制程WWI21C.CNY图显示集成电路从晶圆的(a拉晶=Cb制造;Cc)切割;(d)封装;完成的简易流程;v图(Ce)为单一晶粒的集成电路放大图标硅晶片Cwafer)的制造集成电路的制作|集成电路的封芸“FackageE习惯以线路制造的爱个终密、虑片庞垂及DR4M(加坊姚双交动劾历俞
2、仁办痛复来评断集成电路的发展状况。WWI21C.CN一H万五叉亘丝匕neag*原理:利用热能(CThermalEnegy将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。所施加的能量将增加咤格原子及缺陷在物体内的振动及扩散,使得原子的排列得以重整。WWW21C.CM乐美国贝尔实验室(BellLab)发明,近代最重要半导体元件之一,获Nobel物理学奖;加图,一个在芯片上的NPN双载子e出一晶体管的截面结构;E86仪MOS晶体管:是VLSI里最重要的一种基本的晶体管,已取代了BJT。WWW21C.CM如图所示:因源极和漪极的缺乏层区域所导致的沟道长度变化的情形。WWW21C.CMLDD(LigRtyDopedDrain)闷枷Z4LDD缺点:*使得NMOS制作变得复杂;hn*源漪串联电阻睿加,速降低;二*耗电增加。采用LDD设计的NMOS晶体管的外观WWW21C.CM焕根命LDD益多外所伟芦崴历外动P型泵FOX-一FieldOxide,场氧化层,隔离器似WWW21C.CNP井CMOSN井CMOSWWW21C.CM
