单片机原理2.3-1

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1、单片机原理与应用,723202828 ,情景三 解剖单片机,单元一 解剖单片机的I/O口 单元二 单片机的解剖图 补充：单片机的数制和码制 单元三 半导体存储器 单元四 单片机的程序存储器 单元五 单片机的数据存储器 单元六 单片机的特殊功能寄存器,本章知识网络,情景三 解剖单片机,解剖单片机的I/O口,单片机的解剖图,1、单片机外扩存储器芯片时，4个I/O口中用作数据总线的是？,复习,答：P0口，在总线应用模式下，单片机需扩展外部ROM，P0和P2端用于扩展外部总线以构成8位数据总线和16位地址总线,P85,2、89S51/52单片机的内部硬件包括了CPU、RAM、ROM和定时器/计数器以及

2、并行I/O口、串行口、 、时钟电路，这些部件通过 相连接。,复习,中断源,总线,P85,本章知识网络,情景三 解剖单片机,解剖单片机的I/O口,单片机的解剖图,单片机的数制和码制,数制转换,符号二进制,常用码制,第一节 数制转换,二进制 Binary,十六进制 Hexadecimal,十进制 Decimal,重点掌握整数之间的运算，了解小数之间的运算,预备知识 数制转换表,一、二进制与十六进制的互换二进制整数转换为十六进制数整数可从小数点开始向左，每四位为一组转换为一位的十六进制数。二进制小数转换为十六进制数小数则从小数点开始向右，同样以四位为一组，每四位小数转换为一位的十六进制小数。十六进制

3、整数转换为二进制数，则一位十六进制数可转换为四位二进制数。同样十六进制小数转换为二进制小数，也是一位十六进制小数转换为四位二进制小数。,二进制,十六进制,例题,1、二十六进制转换1）把10100110.1011B转换成16进制数1010 0110 .1011,6,A,.,BH,2）把111001111.111B转换成16进制数 0001 1100 1111 .1110,C,F,1,.,EH,例题,2、十六二进制转换1）把3D7.9H转换成二进制数3 D 7 . 9,1101,0011,.,0111,2）把148.AH转换成二进制数 1 4 8 . A,0100,1000,0001,.,1010

4、H,1001B,二、二进制与十进制数的转换,二进制整数,十进制整数,二进制整数转换为十进制整数，可按各位数的权，即底数为2的n-1次幂来确定， n表示该数的位数，例如二进制数为101010l0B，则十进制数为：,十进制整数转换为二进制整数，可采用逐次除以 2，余数反序排列，即第1次除以2的余数排在最低位。以18为例逐次除以2列式如下：并按习惯将二进制数写成8位，可得 18=00010010B。,二进制小数转换为十进制小数，可按底数为2的负n次幂来确定，n同样表示位数，例如求0.00110011B的十进制值。,十进制小数转换为二进制小数，采用小数部分逐次乘2，每次乘积若产生整数则将整数个位(即所

5、为溢出位)按正序排列，小数部分继续乘2。以0.6875为例。其小数点右边数逐次乘20.6875*2=1.375 小数点左边整数为10.375*2=0.75 小数点左边整数为00,75*2=1.5 小数点左边整数为10.5*2=1 小数点左边整数为1可得出0.6875=0.1Oll0000B,二进制小数,十进制小数,例题,3、二十进制转换1）把10110B转换成十进制数,2）把173转换成二进制数,10110B=1*16+1*4+1*2=22,17310101101 B,三、十六进制与十进制数的互换十六进制整数转换为十进制整数可按各位数的权，即底数为16的 n 次幂来确定， n表示该数的位数。例

6、如：,十进制整数转为十六进制整数采用逐次除以16，余数反序排列的方法。例如：将13562转换成十进制数1356216=847 余10(记作0AH)84716=52 余15(记作0FH)5216=3 余4316=0 余3可得13562=34FAH,十六进制整数,十进制整数,十六进制小数转换为十进制小数，则按小数点以后各位的权，用底数为16的负 n次幂来确定，n 同样表示位数。,十进制小数转为十六进制小数采用小数部分逐次乘16，每次乘积若产生整数，则将所得整数按正序排列，例如十进制小数0.359375转换为十六进制数：0.35937516=5.75 小数点左边整数为50.7516=12.0 小数点

7、左边整数为0CH可得 0.359375=0.5CH,十六进制小数,十进制小数,例题,4、十六十进制转换1）把0DCBH转换成十进制数,2）把1023转换成十六进制数,0DCBH=13*16*16+12*16+11=3531,10233FFH,第二节 带符号的二进制数,一、 带符号二进制数的表示方法原码表示法：规定最高位为符号位，其余表示数值。反码表示法：规定最高位为符号位，对于正数，其余各位表示数值。对于负数，其余各位应将1换成0，将0换成1，即所谓逐位取反。补码表示法：仍然规定最高位定为符号位，对于正数，其余各位表示数值。对于负数，除符号位外，其余按原码的各位值，逐位取反，全部取反后再加1，

8、简称为取反加1。,带符号二进制数表示方法举例：,可见正数的反码和补码与原码完全相同。,第三节 常用码制,一、BCD码（Binary Coded Decimal Code） BCD 码以4位为一组，选用 0000B至1001B的十种状态代表0-9共10个数，舍弃二进制表示法中的其余6种状态。例如十进制数84.7的BCD码为： 8 4 . 7 01000 0100.0111 0000BCD 码1001010001110010转换为十进制数为：1001 0100.0111 00109 4 . 7 2,二、ASCII码ASCII 码是美国信息交换标准代码的简称，共128个，用数码0000000O-01

9、111111 表示各种文字或符号，其中用于表示英文大小写字母的有52个，表示0至9数字的有10个，常用书写符号(！等等)和常用运算符号(如+、-、等)有32个，另外还有控制符号34个,共计128个。例如英文大写字母 A 的ASCII码为01000001，或写成十六进制为41H。,本章知识网络,情景三 解剖单片机,解剖单片机的I/O口,单片机的解剖图,单片机的数制和码制,程序存储器,数据存储器,特殊功能寄存器,半导体存储器,预备知识,位：计算机只认识由0或1组成的二进制数，二进制数中的每个0或1就是信息的最小单位，称为“位”（bit），也称为二进制的位或称字位。 字：在计算机中，作为一个整体单元

10、进行存取和处理的一组二进制数，每位计算机字的二进制数的位数是固定的。 字节：把一个8位的二进制数据单元称为一个字节，通常用字母B表示。 字长：一个字中包含二进制数位数的多少称为字长，字长是标志计算机精度的一项技术指标。,KB即为K字节 1K=210 =1024 B MB即为M字节 1M=220 =1024 KGB即为G字节 1G=230 =1024 M,本章知识网络,情景三 解剖单片机,解剖单片机的I/O口,单片机的解剖图,单片机的数制和码制,程序存储器,数据存储器,特殊功能寄存器,半导体存储器,预备知识,存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。与寄存器的区别：寄存器的存储地址

11、是固定的，而存储器以字为单位存取，每字包含若干位。各个字的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内部有地址译码器。,第一节 半导体存储器,学习目标： 了解存储器的类型， 了解RAM和ROM的区别， 掌握存储器容量的计算方法， 了解存储器的读和写操作的过程。,一、存储器的分类,掩模ROM,可编程ROM（PROM）,可擦除可编程ROM（EPROM）,随机存储器-RAM (Random Access Memory),静态存储器SRAM,动态存储器DRAM,按功能,(Read- Only Memory),(Programmable ROM),(Erasable PROM),UVEPRO

12、M,EEPROM,只读存储器ROM,Flash Memory,(Ultra-Violet),(Electrically),电可擦除,紫外线擦除,(Static RAM),快擦写存储器,(Dynamic RAM),只能读出不能写入,断电不失,二、 只读存储器ROM,ROM的构成,存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。,储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。,地址译码器：根据地址输入，在存储矩阵中选出指定的字对应的单元，把数据送往输出缓冲器。,输出缓冲器：增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系统的总线相连。,只读存储器的分类,一、掩膜ROM： 利用光刻掩膜技术，将用户提供的程序存

13、储在芯片中，制成后不能抹去也不能修改 。二、可编程只读存储器PROM：开始使用时允许用户自行写入信息，但只允许一次，以后只能读出，不能修改。三、可擦除可编程只读存储器EPROM：写入数据后，可以长期保存，保存时间与温度、光照有关。如果上面存的数据不要了，可以用紫外光擦除重新写入。 四、电擦除只读存储器EEPROM：所存储的内容可以擦除，也可以在线写入。分为并行和串行两种。五、闪速型存储器：可以擦除，也可以在线重新写入。,一、掩膜ROM,二四线译码器,A1,A0的四个最小项,字线,存储矩阵是四个二极管或门；,D1= D3 = A0,真值表：,真值表与存储单元有一一对应关系,位线,思考：它能存储的

14、信息容量是多少? 多少字？共多少位数据？,二、可编程只读存储器PROM,产品出厂时存的全是1，用户可一次性写入，即把某些1改为0。但不能多次擦除。,存储单元多采用熔丝低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。,编程时VCC和字线电压提高,16字8位的PROM,十六条字线,八条位线,读出时，读出放大器AR工作，写入放大器AW不工作。,写入时，在位线输入编程脉冲使写入放大器工作，且输出低电平，同时相应的字线和VCC提高到编程电平，将对应的熔丝烧断。,缺点：不能重复擦除。,思考：它能存储的信息容量是多少？ 多少个字？共多少位数据？,三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM）,（

15、一）紫外线擦除的只读存储器（UVEPROM）,是最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是指这种。,1.使用浮栅雪崩注入MOS管（Floating-gate Avalanche-Injuction MOS，简称FAMOS管。）,擦除：用紫外线或X射线擦除。需2030分钟。,2.使用叠栅注入MOS管SIMOS (Stacked-gate Injuction MOS),这是一种双译码方式，行地址译码器和列地址译码器共同选中一个单元。每个字只有一位。,（二）电可擦除EPROM(EEPROM或E2ROM),用紫外线擦除操作复杂，速度很慢。必须寻找新的存储器件，使得可以用电信号进行擦除。,使用浮栅隧道

16、氧化层MOS管Flotox (Floating gate Tunnel Oxide),特点：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。,当隧道区的等效电容极小时，加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道区，有利于隧道区导通。,存储单元：,擦除和写入均利用隧道效应,10ms,快闪存储器就是针对此缺点研制的。,（三）快闪存储器(Flash Memory）,采用新型隧道氧化层MOS管。,EEPROM的缺点：擦写需要高电压脉冲；擦写时间长；存储单元需两只MOS管。,1.隧道层在源区；,2.隧道层更薄1015nm。在控制栅和源极间加12V电压即可使隧道导通。,