《固体物理--位错21.4位错与晶体生长》由会员分享，可在线阅读，更多相关《固体物理--位错21.4位错与晶体生长（4页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1,在某些情况下位错的存在可能成为晶体生长的控制因素,理想晶体生长理论和实验观测的晶体生长速率差别十分巨大，这表明了在理想晶体的表面上新的单层成核的困难,但若存在一螺型位错，就根本不需要一个新层成核，晶体将从图示的间断边缘上以螺旋形式生长。据此计算的生长速率与实验符合甚好,2,人们预期，所有自然界中低饱和度下生长的晶体几乎都含有位错，不然它们根本就不能生长。,在许多晶体中都观察到螺旋型生长图样,碳化硅晶体上六角形螺旋生长图样,3,曾经观察到：在高过饱和度，并且无需存在约多于一个位错的情况下，细的发状晶体或晶须能够成长,21. 4. 1 晶须,镍晶须，完全成环状,4,晶须可能只含有一单个轴向螺型位错，它促使晶体基本上一维生长,由于不含什么位错，这种晶体具有很高的屈服强度，量级达 G/30 (G 为剪切模量),若存在一螺型位错，它也不会导致屈服，这是因为晶体在完全形变时，这个位错并不受到平行于伯格斯矢量的剪切力，即此力并不在能够导致滑移的方向上,这种晶体具有高的强度，对于许多材料都观察到理论的或理想的弹性性质,
