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1、第四章 存 储 器,4.1 概述,4.2 主存储器,4.3 高速缓冲存储器,4.4 辅助存储器,4.2 主存储器,一、概述,1. 主存的基本组成,2. 主存和 CPU 的联系,4.2,高位字节 地址为字地址,低位字节 地址为字地址,设地址线 24 根,按 字节 寻址,按 字 寻址,若字长为 16 位,按 字 寻址,若字长为 32 位,3. 主存中存储单元地址的分配,4.2,224 = 16 M,8 M,4 M,(2) 存储速度,4. 主存的技术指标,(1) 存储容量,(3) 存储器的带宽,主存 存放二进制代码的总数量,读出时间 写入时间,存储器的 访问时间,读周期 写周期,位/秒,4.2,芯片
2、容量,二、半导体存储芯片简介,1. 半导体存储芯片的基本结构,1K 4位,16K 1位,8K 8位,10,4,14,1,13,8,4.2,存储芯片片选线的作用,用 16K 1位 的存储芯片组成 64K 8位 的存储器,32片,4.2,2. 半导体存储芯片的译码驱动方式,(1) 线选法,4.2,(2) 重合法,4.2,0,0,三、随机存取存储器 ( RAM ),1. 静态 RAM (SRAM),(1) 静态 RAM 基本电路,A 触发器非端,A 触发器原端,4.2,T1 T4, 静态 RAM 基本电路的 读 操作,4.2, 静态 RAM 基本电路的 写 操作,4.2,(2) 静态 RAM 芯片举例, Intel 2114 外特性,存储容量 1K4位,4.2,