双极型半导体晶体管

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1、有两种载流子参与导电 本质是一种电流控制电流源器件（CCCS） 半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管,双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)；,3.1 引言,仅由一种载流子参与导电 本质是一种电压控制电流源器件（VCCS） 场效应管。,第3章 双极型晶体管及其基本放大电路,晶体管 Transistor,场效应晶体管(Filed Effect Transistor，FET)。,中功率管,大功率管,3.2 双极型晶体管,NPN型,PNP型,基极b,发射极e,集电极c,发射结Je,集电结Jc,发射区,基区,集电区,3.2.1 双极型晶体管的结构及类型,3.2.

2、2 晶体管的三种组态,IEN,IEP,ICBO,IE,IC,IB,IBN,IE=IEN + IEP 且IEN IEP,IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN,IB= IEP + IBN - ICBO,注意：图中画的是载流子的运动方向，空穴流与电流方向相同；电子流与电流方向相反。由此可确定三个电极的电流。,ICN,如何保证注入的载流子尽可能地到达集电区？,3.2.3 晶体管的电流放大作用,(2) 共发射极直流电流放大系数,，它描述了晶体管的电流放大作用。,表征集电区收集电子的能力。,(1) 共基极直流电流放大系数,晶体管的共射 输入特性曲线,iB=f(uBE) uCE=cons

3、t,晶体管的共射 输出特性曲线,A,B,iC=f(uCE) iB=const,（1）直流电流放大系数,1. 直流参数,晶体管的参数,a. 集电结反向饱和电流ICBO,b. 穿透电流ICEOICEO和ICBO有如下关系:ICEO=（1+ ）ICBO,（2）极间反向电流,2. 交流参数,（1）交流电流放大系数,（2）特征频率fT,（3）共射截至频率f,（4）共基截至频率f,3. 极限参数,反向击穿电压,反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力。,晶体管击穿电压的测试电路,2. 温度对输入特性曲线的影响,20,50,UBE1,UBE2,IB,1. 温度对ICBO的影响,补充：温度对晶体管参数的影响,3. 温度对输出特性曲线的影响,温度对输出特性的影响,国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,3.2.7 晶体管的型号及封装,1. 晶体管的型号,小、中功率晶体管图片(金属圆壳封装),小、中功率晶体管图片(塑封),大功率晶体管图片,