《分立元件手册》由会员分享，可在线阅读，更多相关《分立元件手册（16页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、附录附录 A A：国内外半导体器件命名方法：国内外半导体器件命名方法 1.中国半导体器件命名法 按照国家标准 GB-249-74 规定的命名方法如表 A-1。 表 A-1 国产晶体管型号组成部分的符号及其意义 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 用数字表示器件 的电极数目 用汉语拼音字母表示器件 材料与极性 用汉语拼音字母表示器件类型 符号意义符号意义符号意义 用数字表 示器件序 号 用字母表示 器件规格号 2 二极管 A B C D N 型：锗材料 P 型：锗材料 N 型：硅材料 P 型：硅材料 3 三极管 A B C D E PNP 型：锗材料 NPN 型：锗材料 PNP 型：硅材料
2、 NPN 型：硅材料 化合物材料 P V W C Z L S N U K X G D A T Y B J CS BT FH PIN JG 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电管 开头管 低频小功率管 （ fa3MHz;Pc1W） 高频小功率管 （ fc 3MHz; Pc 1W) 低频大功率管 （ fD 3MHz;Pc1W） 高频大功率管 (fa3MHz, Pc1W) 半导体闸流管 体效应管 雪崩管 阶跃恢复管 场效应管 特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 示例 1：锗 PNP 型高频小功率三极管 3 A G 11 C 三极管 规格号 序号 PNP 型，锗材料
3、 高频小功率 2.日本半导体器件命名法 日本晶体管型号均按日本工业标准 JISC7012 规定的日本半导体分立器件型号命名 方法命名。 日本半导体分立器件型号由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及其意义如表 A-2 所示。 日本半导体分立器件的型号，除上述 5 个基本部分外，有时还附加有后缀字母及符号， 以便进一步说明该器件的特点。这些字母、符号和它们所代表的意义，往往是各公司自己 规定的。 后缀的第一个字母，一般是说明器件特定用途的。常见的有以下几种： M：表示该器件符合日本防卫厅海上自卫参谋部的有关标准。 N：表示该器件符合日本广播协会（NHK）的有关标准。 H：是日立公司专门为通信工
4、业制造的半导体器件。 K：是日立公司专门为通信工业制造的半导体器件，并用采用塑封外壳。 Z：是松下公司专门为通信设备制造的高可靠性器件。 G：是东芝公司为通信设备制造的器件。 S：是三洋公司为通信设备制造的器件。 后缀的第二个字母常用来作为器件的某个参数的分档标志。例如，日立公司生产的一 些半导体器件，是用 A、B、C、D 等标志说明该器件的值分档情况。 表 A-2日本晶体管型号组成部分的符号及其意义 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 用数字表示器件有效 电极数目或类型 日本电子工业协会 （JEIA）注册标志 用字母表示器件使用材料 极性和类型 器件在日本电子工业 协会（JEIA）登记
5、号 同一型号的改 进型产品标志 符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义 0 1 2 3 n-1 光电二极管或 三极管及其组 合管 二极管 三极管或具有 三个电极的其 他器件 具有四个有效 电极的器件 . . . 具有 n 个有效 电极的器件 S 已在日本 电子工业 协会 （JEIA） 注册的半 导体器件 A B C D F G J K M PNP：高频晶体管 NPN：低频晶体管 PNP：高频晶体管 NPN：低频晶体管 P：控制可控硅 N：基极单结晶体管 P：沟道场效应管 N：沟道场效应管 双向可控硅 多 位 数 字 该器件在日本 电子工业协会 （JEIA）的登 记号，性能相 同而厂家不同 的
6、生产的器件 可使用同一个 登记号 A B C D . . . . . 表示这 一器件 是原型 号的改 进产品 3.欧洲晶体管型号命名法 前西德、法国、意大利、荷兰等参加欧洲共同市场的国家和一些东欧诸国如匈牙利、 罗马尼亚、波兰等国，大都使用国际电子联合的标准半导体分立器件型号命名方法对晶体 管型号命名。这种命名法由四个基本部分组成。这四个基本部分的符号及其意义如表 11- 19 所示。 表 A-3欧洲晶体管型号组成部分的符号及其意义 第一部分第二部分第三部分第四部分 用数字表示器件使用 的材料 用字母表示器件的类型及主要特征用数字或字母表 示登记号 用字母表示同一 器件进行分档 符号意义符号意
7、义符号意义符号意义符号意义 A检波二极管 开关二极管 混频二极管 M封闭磁路中霍尔 元件 A器件使用禁带 为 0.61.0 电子 伏特的半导体 材料如锗料B变容二极管P光敏器件管 （fa3） C低频小功率三极 管 Rtj15/W Q发光二极管B器件合作禁带 为 1.01.3 电子 伏特的半导体 材料如硅 D低频大功率三极 管 Rtj15/W R小功率可控硅 Rtj15/W E隧道二极管S小功率功率开关 管 Rtj15/W 三 位 数 字 代表通用 半导体器 件的登记 号 C器件使用禁带 大于 1.3 电子伏 特的半导体材 料如镓 F高频小功率三极 管 Rtj15/W T大功率开关管 Rtj15
8、/W D器件使用禁带 大于 0.6 电子伏 G复膈器件及其他 器件 U大功率开关率 Rtj15/W 一 个 字 母 代表专用 半导体器 件的登记 号（同一 A B C . . . . . . 表示 同一 型号 的半 导体 器件 按某 一参 数进 行分 档的 标志 特的半导体材 料如锑化铝 H磁敏二极管X倍增二极管 K开放磁路中的霍 尔元件 Y整流二极管R器件使用复合 材料。如堆霍 尔元件和光电 电池 L高频大功率三极 管 Rtj15/W Z稳压二极管 二 位 数 字 类型器件 使用一个 登记号） 4.美国晶体管型号命名法 美国许多电子公司分别研制与生产了各种和样的半导体分立器件，并将其生产专利
9、输 往各国。这些半导体器件的型号原来都是由厂家自己命名的，所以十分混乱。为了解决美 国半导体分立器件型号统一的问题，美国电子工业协会（EIA）的电子元件联合技术委员 会（JEDEC）制定了一个标准半导体分立器件型号命名法，推荐给半导体器件生产厂家使 用。由于种种原因，虽有大量半导体器件按此命名法命名，但未能完全统一各厂家产品的 型号，所以美国半导体器件型号有以下两点不足之处： 有不少美国半导体分立器件型号仍是按各厂家自己的型号命名法命名，而未按此标 准命名，故仍较混乱。 由于这一型号命名法制定较早，又未作过改进，所以型号内容很不完备。 美国电子工业协会（EIA）的半导体分立器件型号命名方法规定
10、，半导体分立器件型 号由五部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这 五部分的符号及意义如表 A-4 所列： 表 A-4 美国晶体管型号组成部分的符号及其意义 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 用符号表示器件类型用数字表示 PN 结数目美国电子工业协会 （EIA）注册标志 美国电子工业协会 （EIA）登记号 用字母表示器 件分档 符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义 1二极管JENA 或 J 军用品 2三极管 3三个 PN 结器件无非军用品 nn 个 P 结器件 N该器件已在 美国电子工 业协会 （EIA）注册 登记 多 位 数 字 该器件在美 国电子
11、工业 协会（EIA） 的登记号 A B C D 同一型 号器件 的不同 档别 附录附录 B：国内外常用二极管参数表：国内外常用二极管参数表 表 B-1 国内型号常用检波二极管主要参数 型号最高反向 电压（V） 最高整流 电流 （mA） 最高工作频 率（MHz） 型号最高反向 电压 （V） 最高整流电 流（mA） 最高工作频 率（MHz） 2AP120162AP165020 2AP230162AP1710015 40 2AP330252AP211050 2AP450162AP223016 2AP575162AP234025 2AP6100122AP245016 2AP7100122AP25501
12、6 2AP82035 150 2AP2610016 2AP91552AP271508 2AP10305 100 2AP2810016 100 2AP1110252AP30A102 2AP1210402AP30B102 2AP1330202AP30C102 2AP1430302AP30D102 2AP153030 40 2AP30E102 400 表 B-2 国外型号常用检波二极管主要参数 型号反向电压 （V） 最小正向电流 （mA） 最小反向电流 （mA） 平均整流电流 （mA） 浪涌电流 （A） 最小正向电压 （V） 1N346050.5500.51 1N34A6050.5500.51 1N
13、6400.40.5500.30.5 1S347540.5300.31 1S34A7550.5300.31 1N346050.5500.51 表 B-3 国内型号常用硅整流二极管型号与主要参数 型号 参考 旧型号 最高反向 峰值电压 URM（V ） 额定正向 整流电流 IF（A） 正向压降 UF（V） 反向电流 IR（A ） 反向电流 IR（A ） 不重复正 向浪涌电 流 ISUR（A ） 频率 （kHZ ） 额定 结温 TJM（） 2CZ53A2CP3125 2CZ53B 2CP21A 2CP31A 50 2CZ53C 2CP21 2CP31B 100 2CZ53D 2CP21 2CP31C
14、2CP31D 200 2CZ53E 2CP23 2CP31E 2CP31F 300 2CZ53F 2CP24 2CP31G 2CP31H 400 2CZ53G 2CP25 2CP31I 500 2CZ53H2CP26600 2CZ53J 2CP27 2CP21F 700 2CZ53K 2CP28 2CP21G 800 0.30 1.0 100563150 2CZ53L2CP21H900 2CZ53M2CP21I1000 2CZ53N1200 2CZ53P1400 2CZ54B2CP1A50 2CZ54C2CP1100 2CZ54D2CP2200 2CZ54E2CP3300 2CZ54F2CP4
15、400 2CZ54G2CP5500 2CZ54H2CP1E600 2CZ54K2CP1G800 0.50 1.0 50010103150 2CZ55B2CZ11K50 2CZ55C2CZ11A100 2CZ55D2CZ11B200 2CZ55E2CZ11C300 2CZ55F2CZ11D400 2CZ55G2CZ11E500 1 1.0 50010103150 2CZ56B2CZ1250 2CZ56C2CZ12A100 2CZ56D2CZ12B200 2CZ56E2CZ12C300 2CZ56F2CZ12D400 2CZ56G2CZ12E500 2CZ56H2CZ12F600 2CZ56K2C
16、Z12H800 3 0.8 100020653140 2CZ57B2CZ1350 2CZ57C2CZ13A100 2CZ57D2CZ13B200 2CZ57E2CZ13C300 2CZ57F2CZ13D400 2CZ57H2CZ13F600 2CZ57K2CZ13H800 5 0.8 1000201053140 2CZ82A2CP1025 2CZ82B2CP1150 2CZ82C2CP12100 2CZ82D2CP14200 2CZ82E2CP16300 2CZ82F2CP18400 2CZ82G2CP19500 2CZ82H2CP20600 100 1.0 100523130 2CZ83B2CP21A50 2CZ83C2CP21100 2CZ83D2CP22200 2CZ83E2CP23300 2CZ83F2CP24400 2CZ83G2CP25500 300 1.0 100563130 表 B-4 国外型号常见塑材硅整流二极管参数 参数 型号 国内参考型号 最高反向工作
