集成电路测试员实习报告

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1、集成电路测试员实习报告集成电路测试员实习报告 篇一：测控技术与仪器专业生产实习报告 测控技术与仪器专业 生产实习报告 一、实习概况 实习时间：XX.7.28-XX.8.8 实习地点：无锡市公共实训基地 实习要求：掌握如下的专业知识和技能并通过考核。 1.集成电路及测试常识 2.模拟集成电路测试原理、方法及设备详细构成； 3.集成电路主要参数及测试设备框架构成； 4.评估集成电路的具体技术指标； 5.集成电路测试实际操作。 二、实习企业介绍 北京信诺达泰思特科技股份有限公司成立于 XX 年 11 月，注册资本为 632 万人民币，主要从事集成电路测试系 统的研发。在集成电路测试领域具有深厚的技术

2、实力与市 场储备，同时承接集成电路测试服务、电路板测试维修业 务。公司是集研制、开发、销售、服务于一体的高新技术 企业。由研发人员发明了“一种快速获取 DSP 测试向量的 方法及装置”并取得国防专利证书。公司核心研发团队多 年来一直从事半导体测试系统的研发工作，参与并完成的 项目包括国家六.五重点科技攻关项目“大规模/超大规模 存储器集成电路测试系统研制” ；国家“七五” 、 “八五”重 点科技攻关项目“测试程序库的开发与实 用化” ；北京市科学院“100M 超大规模数字电路测试系 统研制”项目等，以上项目均顺利通过验收。公司所研发 的产品涵盖数字集成电路测试、模拟集成电路测试、数模 混合集成

3、电路测试、存储器测试、继电器测试、电源模块 测试等，曾为多家封装测试企业、军工企业及科研院所提 供产品及服务，广泛应用于航空、航天、铁路、船舶、兵 器、电子、核工业等领域。还可以针对用户实际需求，量 身为客户提供最优的测试解决方案。公司秉承“敬业、奉 献、协同、创新”的精神，为客户提供高质高效的测试展 品和服务。 三、实习内容 第一周： 7 月 28 日上午我们来到无锡公共实训基地学习集成电 路测试的相关知识。下午基地领导带我们参观了公司、介 绍了相关产品。 产品描述： ST5000 是一款高精度的半导体分立器件测试系统，该 系统采用了标准的 PXI 总线，能够兼容 CPCI 和 PXI 设备

4、。 它是一款浮动资源的测试工作站，这种特殊的架构方式使 得用户可以最有效的利用系统资源，配置出最经济、高效 的测试系统。测试原理符合相应的国家标准、国家军用标 准。 ST5000 旨在帮助您最大限度地提高系统的正常运行时 间、性能，大幅降低器件的测试时间，提高测试效率，同 时最大限度地降低运营成本，支持广泛的业务。而且，我 们的服务可以完全灵活的满足您的需求。 系统基本特征： 1.最低的拥有成本，可靠的、可扩展的体系结构。 2.CPU 内嵌在系统主机内，并通过 PXI 总线控制和管理 测试主机。 3.Windows XP/XX 操作系统，窗口式编程，直观、友好 的图形用户界 面极大的方便了用户

5、。 4.支持两测试站乒乓测试，两测试站可测试不同的器 件类型，并支持不同的工作模式。 5.系统采用四线开尔文连接方式及屏蔽措施保证被测 器件端的测试精度和稳定性。 6.兼容各类机械手、探针台。 7.系统可以兼容所有 CPCI 和 PXI 设备，可以扩展数字 资源，客户对机器 的使用方式有多种选择。 8.设备所有板卡和测试盒都是可以插拔的，是用户在 使用过程中方便维护。 9.机器体积的减小，缩短主机与 DUT 卡的距离，提高 了设备的稳定性和精确度。 篇二：08 生产实习报告 长安大学 生产实习报告 院系：电控学院电子科学与技术系 专业：电子科学与技术 班级：32050801 学号：320508

6、0104 学生姓名：匡春燕 指导教师： 肖剑 张林 李清华 谷文萍 一、 实习目的 通过生产实习，了解本专业的生产过程，巩固所学专 业知识。了解半导体产业发展现状；熟悉半导体元器件和 集成电路制造、测试技术；熟悉集成电路封装技术。 二、实习时间 XX 年 6 月 27 日XX 年 7 月 8 日 三、实习地点 天水天光半导体有限责任公司、天水华天科技股份有 限公司 四、单位基本情况 天光电子半导体有限责任公司是国家重点工程的配套 生产研制单位，先后承担了亿次计算机，风云气象卫星， 东方红 3 号，资源卫星， “神舟”号飞船和其他重点工程和 军事吸纳灌木的配套任务，提供了大量可靠的七专产品， 以

7、质量可靠，性能稳定而著称，主要生产肖特基二极管管 芯，也生产少量集成电路，同时也在积极进行发光二极管 的开发等先进项目。 天水华天科技股份有限公司主要生产塑封集成电路、 模拟集成电路、混合集成电路、DC/DC 电源、集成压力传感 器、变压器共五大类 400 多个品种。 其中主导产品塑封集 成电路年封装能力已达 30 亿块。公司产品以其优良的品质 而被广泛应用于航天、航空、军事工程、电子信息和工业 自动控制等领域。 四、实习内容 根据老师及企业的安排，我们于 XX.6.28-XX.6.29 在 甘肃天光电子半导体有限责任公司参观学习，在相关人员 的带领下，我们知道了半导体工艺制造的流程以及测试封

8、 装的相关知识，同时了解该公司的一些技术设备及相关的 杂质处理及生产用水的制备。 XX.6.30-XX.7.1 在天水华天科技股份有限公司参观学 习，通过第一天相关知识的讲解，我们更加熟悉晶圆的制 作流程以及封装的流程，测试的要求，还了解到压力传感 器的制作流程以及电镀的相关知识。 总的来说，通过这次的实习，对它们的工厂的参观， 了解到以后我们工作的性质。而且我们学到一些知识，大 致可以分为以下几个方面。 1、 芯片的制造过程及晶圆制作的工艺流程 2、 塑封集成电路封装 3、 工艺中的相关测试 4、 压力传感器的制作流程 5、 电镀的相关知识 6、 对天光公司的了解 通过他们的讲解以及查阅相关

9、资料，整理成如下信息： 1 芯片的制造过程及晶圆制作的工艺流程 1.1 晶圆制造的工艺流程 外延扩散的重复，然后进行 金属化，后进行钝化，最后反刻，这一系列的工艺结合最 终制成晶圆。其详细流程如下： 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。 （1）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压 CVD (Low Pressure CVD) （3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强 CVD (Plasma Enha

10、nced CVD) （5）MOCVD (Metal OrganicCVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法 (LPE) ，淀积一层 Si3N4。 4、 涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘 (pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘 (post bake) （6）腐蚀 (etching) （7）光刻胶的去除 光刻也就是有选择的扩散。在光刻工艺中，要注意分 辨力、清晰度以及套刻程度。 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底， 形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高

11、温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形 成 N 型阱 9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层 10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积 一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层 上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形 成 PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离 层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作 为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻， 以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成

12、SiO2 保护 层。 15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区， 注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。 16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件， 并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属 （1） 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚 度通常小于 1um 。 （2） 真空蒸发法（ Evaporation Deposition ） （3） 溅镀（ Sputtering Deposition ） 19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻 蚀出连线结构。然后，用

13、 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。 20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置 21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和 连线的连接性。 晶圆制造工艺中， 要注意周边环境的影响，特别是静 电，采取措施将人体产生的静电及环境中的静电排除出去， 减少对器件的影响。 1.2 芯片的制造过程 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication） 、晶圆针测工序（Wafer Probe） 、构装工序 （Packaging） 、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为 前段（Front End）工序，

14、而构装工序、测试工序为后段 （Back End）工序。 1）晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作 电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等） ，其处理 程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步 骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相 沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金 属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加 工与制作。 2）晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了 一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高 效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可 根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测 （Probe）仪

15、对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶 粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒， 再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒 则舍弃。 3）构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制 的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座 底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最 后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避 免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电 路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两 边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块） 。 4）测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又 可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后

16、的芯片置于 各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐 压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。 而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参 数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试， 看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计 专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂 日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试 的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。 2 塑装集成电路的封装 2、1 封装的介绍 所谓封装就是指安装半导体集成电路芯片用的外壳， 它不仅起着安放、固定、密封、保持芯片和增强电热性能 的作用，而且芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚 上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接， 从而实现内部芯片与外部电路的连接. 目前集成电路的封 装主要还是采用锡铅焊料，封装业进入国际主流领域后， 实现焊球阵列封装（BGA） 、系统封装（SiP） 、芯片级封 装（CSP） 、多芯片组件（MCM）等新型封装形式。 封装的作用：1、传递电路 2、传递电路信号 3、提供散热路径 4、对电路的结构保护和支持 在封装过