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1、1. #1-1 2. #1-2 3. #补充题: 某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),其中能量零点取在价带顶.此时若k=1108m-1处电子被激发到导带,而在该处产生一个空穴. 试求此空穴的有效质量;准动量;共有化运动速度和能量.,习题,习题,1. #1-3 #1-4 3. #2-7 4. #补充题:已知硅的电子有效质量为ml= 0.98m0, mt= 0.19m0 .现掺入施主杂质,请利用类氢模型估计:杂质电离能, 杂质的等效玻尔半径, 当相邻杂质原子的电子轨道发生交迭时的施主浓度,关于回旋共振实验结果的一些说明,Si的导带回旋共振实验:B任意取向,
2、可观察到三个吸收峰;B在110面上,仍是二个吸收峰 #1-4 Ge的导带回旋共振实验:讨论 B沿方向, 方向, 方向; B在110面上; B任意取向. #1-3 导带的极值在方向:讨论 B沿方向, 方向, 方向; B任意取向.,习题,1. #3-1 2. #3-3又:由这计算结果,你得到什么结论? 3. #3-6,习题,1. #3-7 2. #3-8 3. #3-10 4.#3-11 5.#3-12要求：用语言将你的计算结果总结一下 (本题涉及的对数方程,可用图解法; 可借助计算机进行计算; 也可作近似估算，数量级要正确),习题,#3-13 #3-15 #3-16 #3-18 （查图表时，至少
3、要保证数量级正确）,习题,1. #4-22. #4-43. #4-74. #4-11 5. #4-15必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响,习题,1. #4-122. #4-13 3. #4-15必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响 4.补充：定性分析掺杂半导体电阻率随温度的变化关系。,习题,1. # 4-16 2. # 4-19 (应用图4-17) 3. # 12-1 4. # 12-6 5. 补充题: Si 原子加到GaAs 材料中, 可取代Ga原子成为施主杂质或取代As原子成为受主杂质. 假定 Si 原子浓度为21014cm -3, 其中5%取代As原
4、子, 95 %取代Ga原子, 并在室温下全部电离. 求: (1) 样品的电导率. (2) 样品的Hall系数.,习题,1. #5-3 2. #5-4 3. #5-7 4. #5-8 5. 补充题: 一块p型半导体, 画出下列情况下的能带简图, 标出费米能级或准费米能级的位置. 无光照 有光照, n= pni有光照, 大注入,习题,1. # 5-9 2. # 5-12 3. # 5-15 4. # 5-16 5. # 5-17 (考虑掺杂浓度对迁移率的影响) 6. # 5-18(Au饱和浓度可取,习题 ,1. #6-1 2. #6-2 ( 正向偏置, 小注入) 3. #6-3 4. #6-5,习题,1. #6-6 (求电容时:,求势垒电容,求势垒电容和扩散电容) 2. #6-7 3. #6-9 (Si材料) 4. #6-10 5. #6-12,1.施主浓度为7.01016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。 2.某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.51016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？ 3. #7-3,习题XIII,
