现代半导体器件与工艺ppt课件

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第8章微波二极管量子效应喜和热电子器件8.1“基本微波技术8.2“隧道二极管8.3,碰撞电离雪崩渡越时间二极管8.4“转移电子器件8.5“量子效应器件8.6“热电子器件喜8.1“基本微波技术微波频率范围:0.1GHz一一3000GHz对应波长:300cm一0.01cm毫米波:30GHz-一300GHz,10mm-一1mmi毫米波系统具有重量轻、尺寸小、频带宽和高分辨率的窄频宽等优点。0原广上典型随道二极管的LIV特性应片002040.60.81.0正向偏压/V图8.5在室温时,典型的Ge+GaSb和GaAs隆道二极管静态电流-电压特性i=+greurs-lp|n罡eaHee-命办贮伯巴巩匹严居07M0人c4诊000I00E1h一厂山a一口厂66eER命w医0000仪b交P绽E(伯阮-余M江【Eh匹片G史2P:ASsueos人0吴840才以一5园1苦h的L心x|如H/(/技y园E一11人0一余招标区f厂n月00日(MPATT二极曾在四个时间间隘)到(d)的交涉椿环下,其场分布与产生的数流孔泓度,le交流电压,()注入和外部电流,8.4转移电子器件(TED)双谷(two-valley)半导体的电流对电场特性.E为临界电场,Ev为谷底电场8.4.2器件工作原理00)颂匹铸加an侠狒浩复8.5量子效应器件共振随道二极管的能带图

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