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1、1,高频电子电路设计 小功率调频发射机设计,学习要求 掌握调频发射机整机电路的设计与调试方法，以及高频电路的调试中常见故障的分析与排除； 学会如何将高频单元电路组合起来实现满足工程实际要求的整机电路的设计与调试技术。,2,一、调频发射机及其主要技术指标,1. 组成框图,3,一、调频发射机及其主要技术指标,2. 主要技术指标,发射功率 一般是指发射机输送到天线上的功率。,总效率 发射机发射的总功率 与其消耗的总功率 PC 之比，称为发射机的总效率 。, 非线性失真 要求调频发射机的非线性失真系数 应小 于 1 %。, 杂音电平 杂音电平应小于 65 dB。,工作频率或波段 发射机的工作频率应根据
2、调制方式，在国家或有关部门所规定的范围内选取。,4,二、单元电路设计与调试,整机电路的设计计算顺序一般是从末级单元电路开始，向前逐级进行。而电路的装调顺序一般从前级单元电路开始，向后逐级进行。,5,1-1、LC正弦波振荡器,其中，晶体管T、L1、C1、C2、C3组成电容三点式振荡器的改进型电路 即克拉泼电路，接成共基组态，CB为基极耦合电容，其静态工作点由RB1、RB2、RE及RC所决定， 即由公式 （4-2-1）（4-2-4）决定。,ICQ一般为(14)mA。ICQ偏大，振荡幅度增加，但波形失真加重，频率稳定性变差。 L1、C1与C2、C3组成并联谐振回路，其中C3两端的电压构成振荡器的反馈
3、电压，以满足相位平衡条件Sj=2np。,比值C2/C3=F，决定反馈电压的大小，反馈系数F一般取1/81/2。为减小晶体管的极间电容对回路振荡频率的影响，C2、C3的取值要大。如果选C1C2，C1R2，R3R1，以减小调制信号v对VQ的影响。,C5与高频扼流圈L2给v提供通路，C6起高频滤波作用。变容二极管DC通过Cc部分接入振荡回路，有利于提高主振频率fo的稳定性，减小调制失真。,图4.2.2为变容二极管部分接入振荡回路的等效电路， 接入系数p及回路总电容CS分别为,C j,7,变容二极管的Cj-v 特性曲线,图4.2.3 变容二极管的Cj-v特性曲线,变容二极管的Cj-v特性曲线如图4.2
4、.3所示。设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q处，曲线的斜率为,8,1-3、 LC调频振荡器主要性能参数及其测试方法, 主振频率 LC振荡器的输出频率fo称为主振频率或载波频率。用数字频率计测量回路的谐振频率fo，高频电压表测量谐振电压vo，示波器监测振荡波形。, 频率稳定度 主振频率fo的相对稳定性用频率稳定 度表示。, 最大频偏 指在一定的调制电压作用下所能达到的最大频率偏移值。将 称为相对频偏。,9, 变容二极管特性曲线 特性曲线Cj-v 如图4.2.3示。 性能参数VQ、Cj0、 及Q点处的斜率kc等可以通过Cj-v 特性曲线估算。,图4.2.4是变容二极管2CC1C的Cj-v 曲
5、线。由图可得VQ= 4V时 CQ=75pF，,10, 调制灵敏度 单位调制电压所引起的最大频偏称为调制灵敏度，以 表示，单位为 kHz/V，即,为调制信号的幅度； 为变容管的结电容变化 时引起的最大频偏。 回路总电容的变化量为,在频偏较小时， 与 的关系可采用下面近似公式，即, p- f ，,- f 。,11,为静态时谐振回路的总电容， 即, C1- - f,调制灵敏度,为回路总电容的变化量；,式中，,调制灵敏度 可以由变容二极管Cj-v 特性曲线上VQ处的斜率kc及式(4-2-15)计算。 越大，说明调制信号的控制作用越强，产生的频偏越大。,12,1-4、设计举例,例 设计一LC高频振荡器与
6、变容二极管调频电路。,振荡器的静态工作点取 ， ，测得三极管的由式(4-2-1) 式(4-2-4) 计算出各电阻值。,。,主要技术指标 主振频率 fo =5MHz，频率稳定度5104/小时，主振级的输出电压Vo1V，最大频偏 。,已知条件 +VCC = +12V，高频三极管3DG100，变容二极管2CC1C。,(1) 确定电路形式，设置静态工作点,13,(2) 计算主振回路元件值,由式(4-2-5)得 ，若取C1=100pF，则L110H实验中可适当调整L1的圈数或C1的值。,电容C2、C3由反馈系数 F 及电路条件C1C2，C1C3 所决 定，若取C2=510 pF， 由 ，则取 C3=30
7、00 pF，取耦合电容 Cb=0.01F。,14,(3) 测变容二极管的Cj-v 特性曲线，设置变容管的静态工 作点VQ,本题给定变容二极管的型号为 2CC1C ，已测量 出其Cj-v 曲线如图4.2.4所示。取变容管静态反向 偏压VQ=4V，由特性曲线可得变容管的静态电容 CQ=75pF。,15,(4) 计算调频电路元件值,变容管的静态反向偏压VQ由电阻 R1与R2分压决定，,已知 VQ=4V，若取 R2=10k ，隔离电阻 R3=150k。,为减小振荡回路高频电压对变容管的影响， 应取小， 但 过小又会使频偏达不到指标要求。可以先取 ，然后在实验中调试。当VQ=- 4V时，对应CQ=75p
8、F，则 CC 18.8 pf .,取标称值20pF,16,(5) 计算调制信号的幅度,为达到最大频偏 的要求，调制信号的幅度Vm，可由下列关系式求出。由式(4-2-14) 得,由Cj-v 曲线得变容管 2CC1C 在VQ= 4V 处的斜率,pF/V，,由式(4-2-9) 得调制信号的幅度,Vm=Cj / kc= 0.92V。,由式(4-2-12)得调制灵敏度Sf 为,kHz/V,17,1-5、调频振荡器的装调与测试,A。安装要点, 电路元件不要排得太松，引线尽量不要平行，否 则会引起寄生反馈。, 多级放大器应排成一条直线，尽量减小末级与前级之间的耦合。, 地线应尽可能粗，以减小分布电感引起的高
9、频损耗 。, 为减小电源内阻形成的寄生反馈，应采用滤波电容 C及滤波电感 L组成的型或型滤波电路。, 安装时应合理布局，减小分布参数的影响。,18,b。 测试点选择, 正确选择测试点，减小仪器对被测电路的影响。 在高频情况下，测量仪器的输入阻抗(包含电阻和电容)及连接电缆的分布参数都有可能影响被测电路的谐振频率及谐振回路的Q值，为减小这种影响，应使仪器的输入阻抗远大于电路测试点的输出阻抗。, 所有测量仪器如高频电压表、示波器、扫频仪、数字频率计等的地线及输入电缆的地线都要与被测电路的地线连接好，接线尽量短。,19,C。 调试方法,（1）先调整静态工作点。,（3）测量频偏,加入幅度为V的调制信号
10、以后，可以采用频偏仪测量频偏。也可以用示波器测量 C点的波形，观察波形在X 方向的相移。,（2）观测动态波形并测量电路的性能参数。与低频电路的调试基本相同，所不同的是按照理论公式计算的电路参数与实际参数可能相差较大，电路的调试要复杂一些。,20,2、高频功率放大器设计,利用宽带变压器作耦合回路的功率放大器称为宽带功率放大器。它不需要调谐回路，可在很宽的频率范围内获得线性放大。但效率 较低，一般只有20%左右。它通常作为发射机的中间级，以提供较大的激励功率。,利用选频网络作为负载回路的功率放大器称为谐振功率放大器。根据放大器电流导通角的范围，可以分为甲类、乙类、丙类和丁类等功率放大器。丙类功放的
11、电流导通角 90，效率可达到80%。它通常作为发射机的末级，以获得较大的输出功率和较高的效率。,一、电路的基本原理,21,2-1、电路的基本原理,晶体管T1与高频变压器Tr1组成宽带功率放大器，晶体管T2与选频网络L2、C2组成丙类谐振功率放器。,22,1. 宽带功率放大器,(1) 静态工作点,晶体管T1与RB1、RB2、RE1、RF组成的宽带功率放大器工作在甲类状态。其特点是：晶体管工作在线性放大 区。其静态工作点的计算方法与低频电路相同。由关系式(4-3-1)(4-3-4)确定。,宽带功率放大器集电极的输出功率PC为PC= PH / T式中，PH为输出负载上的实际功率；T为变压器的传输效率
12、，一般T = 0.750.85。,(2) 高频变压器,23,1. 宽带功率放大器,图4.3.2 甲类功放的负载特性,图4.3.2是宽带功率放大器的负载特性。为获得最大不失真输出功率，静态工作点Q应选在交流负载线AB的中点。,集电极的输出功率PC的表达式为,式中，RH 为集电极等效负载电阻；Vcm为集电极交流电压的振幅，其表达式为,24,1. 宽带功率放大器,(3) 功率增益,与电压放大器不同的是，功放应有一定的功率增益，对于图4.3.1所示电路，宽带功放要为下一级丙类功放提供一定的激励功率，必须将前级输入的信号进行功率放大，功率增益 为 AP=PC / Pi 式中，Pi为功放的输入功率，它与功
13、放的输入电压Vim及输入电阻Ri的关系为,25,2. 丙类功率放大器,(1) 基本关系式,丙类功放的基极偏置电压VBE是利用发射极电流的直流分量IE0(IE0Ic0)在射极电阻RE2上产生的压降来提供的，故称为自给偏压电路。,当放大器的输入信号vi为正弦波时，集电极的输出电流iC为余弦脉冲波。利用谐振回路L2C2的选频作用可输出基波谐振电压vC1、电流iC1。,集电极基波电压的振幅,式中，IC1m为集电极基波电流的振幅；Rp为集电极负载阻抗。,26,2. 丙类功率放大器,集电极输出功率,直流电源VCC供给的直流功率,式中，IC0 为集电极电流脉冲 iC 的直流分量。电流脉冲iC 经傅立叶级数分
14、解，可得峰值 与分解系数n()的关系式,27,2. 丙类功率放大器,分解系数n()与的关系如图4.3.3所示。,2（ ）的值， 在= 60o 时最大，即二次谐波的电流脉冲 Icm2 为 最大值，而且效率也比较高。,28,2. 丙类功率放大器,图4.3.4为功放管输入电压VBE与集电极电流脉冲iC的波形关系。 由图可得：,式中, Vj为晶体管导通电压(硅管约0.6V，锗管约0.3V)；VBm为输入电压(或激励电压)的振幅；VB为基极直流偏压。VB = -IC0 RE,当输入电压VBE大于导通电压 时，晶体管导通，并工作在放大状态，则基极电流脉冲 与集电极电流脉 成线性关系，即满足,29,2. 丙类功率放大器,功放的功率增益,或,如图4.3.1所示，丙类功放的输出回路采用变压器耦合方式。其作用一是实现阻抗匹配，将集电极的输出功率送至负载；二是与谐振回路配合，滤除谐波分量。,集电极谐振回路为部分接入，谐振频率,或,30,2. 丙类功率放大器,(2) 负载特性,当功放处于临界工作状态A点时，管子的集电极电压正好等于管子的饱和压降VCES，集电极电流脉冲接近最大值ICm。此时集电极输出的功率PC和效率 都较高，对应的等效负载电阻,
