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1、“。命吴国明明0$9.2空腔导体内外的静电场一、空腔导体内外的电荷分布“空腔内部没有带电体(静电平衡时静电平衡分析依据电荸只分布在导佛外表面上,内表面无电荸。【渊示实验空心导体吴二s空腔内部有带电体(静电平衡时)由导体内场强为零和高斯定理:内表面带与腔内带电体等量异号电荷-d,外表面等量电荷q【恺考】移动腔内带电体或改变腔内带电体电量,是否影响内、外表面电荸分布?“。吴吴园明0【思考题解答】移动金属腔内带电体,不影响外表面电荷分布,只影响内表面电荸分布;改变腔内带电体的电量,影响内、外表面电荷分布。“。真固国国国园明二、静电屏蔽窒腔导体内外的静电场分析空腔内无带电体无论腔外带电体如何变化,导体
2、内部和空腔处电场处处为0,不受外界影响,腔外炀强有腔外表面电荷和腔外带电体共同决定。“。真固命国国园园0空腔内有带电体以下重点分析腔内有带电体情况腔内空间的边值条件:g_g擅腔外空间的边值条件:Cn、Coa“腔外Qout位置和整量变化,-不改威腔内空闷的运值条件,囡此,不改变腔内空间电灵分布。万腔内Qin佣置变化,不改变腔外空间电灵分布。万但腔内Qin数值变化,改变腔外表面电荸Qin,因此,将改变腔外空间的电场分布!腔内边值条件|O、T=0腔外边值条件:Qouut、V=0么腔外Qout佣置和数量变化,不改变腔内空间的边值条件,囹此,不改变腔内空间电灵分布。三腔内Qin位置和数量变化,不改变腔外
3、空间电场分布。“。命吴命明明明0总结不论导体声是否接地,壶内电场都不受声外电荷位置和数量变化的影响,光外电场也不受壶内电荸佣置变化的影响。但为了使壶外电场不受声内电荷数量变化的影响,导体声引须接地。静电屏蕊一个接地的封闭金属容(空腔,可以起到壳(腔丿内外互不影响的屋薇作用。“3、电磁波的屏蔽金属表面对电碟波有很强的反锋作用,反射条数几乎是1。所以封闭的金属导体完可以完全屏薇电磁波。电碟波进入导体的深度称为“寇透深度“,安正北J5,高频电硒波的穿透深度很小,很快衰竭原围:导体中自由电子在八射场驱动下形成传导电流,其炎耳热消耗了电碟圭的能量。静电弈薇的应用“。命命命吴明明0有导体存在时静电场的分析与计算电荷守恒、静电平衡条件、高斯定理【例】面电荸密度为ao的无“限大绝缘枢根,有一无限大的原不带申的导体平松。求静电平衡后导体板两表面的面电荷寇度。
