干扰滤波技术

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1、杨继深 2002年8月,第三章 干扰滤波技术,干扰滤波在EMC设计中作用差模干扰和共模干扰 常用滤波电路怎样制作有效的滤波器正确使用滤波器,杨继深 2002年8月,滤波器的作用,信号滤波器,电源滤波器,切断干扰沿信号线或电源线传播的路径,与屏蔽共同构成完善的干扰防护。,杨继深 2002年8月,满足电源线干扰发射和抗扰度要求,杨继深 2002年8月,满足抗扰度及设备辐射发射要求,信号线滤波器,干扰源,杨继深 2002年8月,电缆是主要辐射源,杨继深 2002年8月,用滤波消除辐射,杨继深 2002年8月,共模和差模电流,杨继深 2002年8月,共模/差模干扰的产生,V,V,ICM,ICM,ICM

2、,IDM,杨继深 2002年8月,开关电源噪声,50Hz的奇次谐波(1、3、5、7 )开关频率的基频和谐波(1MHz以下差模为主,1MHz以上共模为主),杨继深 2002年8月,干扰滤波器的种类,杨继深 2002年8月,低通滤波器类型,C,T,L,反,杨继深 2002年8月,器件数与插入损耗的关系,20,40,60,80,100,fc 10fc 100fc 1000fc,5阶 4阶 3阶 2阶 1阶,20N/十倍频程 6N/倍频程,插入损耗,dB,杨继深 2002年8月,确定滤波器阶数,50 100,欲衰减20dB,4 6=24 20 至少4阶滤波器,10 100,1 20 = 20 1阶滤波

3、器就可以了 为了保险,可用2阶,欲衰减20dB,L、C的数值决定截止频率,阶数决定过渡带的陡度,杨继深 2002年8月,根据阻抗选用滤波电路,规律:电容对高阻,电感对低阻,杨继深 2002年8月,插入损耗的估算,Fco = 1/(2 Rp C),ZL,Zs、ZL并联,C,IL = 20 lg(CRp),IL,IL = 20 lg(L/Rs),Fco = Rs/(2 L),Zs、ZL串联,Zs,L,Zs,ZL,杨继深 2002年8月,电路阻抗对滤波特性的影响,三端电容,铁氧体,杨继深 2002年8月,器件参数的确定,L,C,R,R,L = R / 2FC C = 1 / 2RFC 对于T形(多级

4、T)和 形(多级)电路,最外边的电感或电容取 L/2 和 C/2,中间的不变。,杨继深 2002年8月,实际电容器的特性,ZC,实际电容,理想电容,f,引线长1.6mm的陶瓷电容器,1/2 LC,C,L,R,电感,电阻,杨继深 2002年8月,陶瓷电容谐振频率,1nf,1M,100k,10,1,0.1,10k,1k,100,10Hz 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1G,阻抗 ,100pf,10nf,100nf,10f,1f,10mf,100f,1m,10cm,1cm,1mm,杨继深 2002年8月,表面贴装电容的阻抗特性,杨继深 2002年8月,温度对陶瓷电容容量的影

5、响,0.15,-0.15,0,-55,125,5,-15,0,-55,125,-10,-5,COG,X7R,-60,20,-30,90,-30,0,Y5V,30,%C,%C,%C,杨继深 2002年8月,电压对陶瓷电容容量的影响,COG,X7R,Y5V,20,0,-20,-40,-60,-80,0 20 40 60 80 100%额定电压(Vdc),%C,杨继深 2002年8月,实际电感器的特性,ZL,理想电感,实际电感,f,绕在铁粉芯上的电感,1/2 LC,L,C,杨继深 2002年8月,电感寄生电容的来源,每圈之间的电容 CTT 导线与磁芯之间的电容CTC,磁芯为导体时,CTC为主要因素,

6、 磁芯为非导体时,CTT为主要因素。,杨继深 2002年8月,克服电容非理想性的方法,衰减,电容并联 LC并联 电感并联,小电容,大电容,并联电容,频率,大容量,小容量,杨继深 2002年8月,三端电容器的原理,引线电感与电容一起构成了一个T形低通滤波器 在引线上安装两个磁珠滤波效果更好,地线电感起着不良作用,杨继深 2002年8月,三端电容的正确使用,接地点要求: 1 干净地 2 与机箱或其它较大的金属件射频搭接,杨继深 2002年8月,三端电容器的不足,寄生电容造成输入端、输出端耦合,接地电感造成旁路效果下降,杨继深 2002年8月,穿心电容更胜一筹,金属板隔离输入输出端,一周接地电感很小,杨继深 2002年8月,穿心电容的插入损耗,插入损耗,频率,1GHz,普通电容,理想电容,穿心电容,杨继深 2002年8月,穿心电容、馈通滤波器,以穿心电容为基础的馈通滤波器广泛应用于RF滤波,杨继深 2002年8月,馈通滤波器使用注意事项,必须安装在金属板上,并在一周接地最好焊接,螺纹安装时要使用带齿垫片焊接时间不能过长上紧螺纹时扭矩不能过大,杨继深 2002年8月,线路板上使用馈通滤波器,线路板地线面,上面,底面,

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