主板主要元件的作用与好坏判断

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1、主板基础一、主板由电源分类1、 AT架构:主要用于早期的586 以前的卧式机箱部分(由 12 针组成, 只支持 P2 以前的 CPU) 2、ATX架构:是现在是使用最广泛的架构,立式、卧式机箱都可以使用,一般支持15 个扩展槽。此架构的特点是兼容性好、经济简洁、可扩展性好,缺点是升级不方便3、NLX:一般名牌机或尖端服务器使用,特点是扩展性最好,缺点是结构复杂。二、主板由CPU分类接口支持 CPU类型SOCKET 7 (321 针)P2 代; AMD K62、3 代(这是唯一能同时支持INTEL公司或 AMD 公司的 CPU接口)SLOT 1 ( 296 针)P2、3 代;赛扬1、2、3 代P

2、GA 370(370 针)P2、3 代;赛扬1、2、3 代SOCKET 462 (462 针)AMD 公司 650M 1.7G SOCKET 462A (462 针)AMD 公司 1.7G3.6G SOCKET +478 (478 针)P4 代 1.7G 3.6G 三、主板由芯片组分类芯片组INTEL芯片组(因特而)支持 CPU类型FW82440(FXLX 、EX 、 BX ) 、FW82443(FXLX 、EX、BX)P2 代、赛扬1 代,最高支持P3 1G 810、810E、 810EZ、810P、815、815E、815EP、820、820E 赛扬 1、 2、3 代; P2、3 代845

3、、845E、 845GL、845PE、850、 865、 875 P4 代 1.7G 3.6G VIA 芯片组(威胜)VT82T、691、692 K6 1、2 代VT82X、693、693A、694X P2、3 代;赛扬1、2、3 代APOLLO 、RRO 、133、133A、KT133、KT266、82X633、82X363 AMD650M 1.7G SIS芯片组(矽统)SIS520 、 530 P2 代以前的CPU SIS620 、 630、630E P2、3 代;赛扬1、2、3 代SIS645 、 648、655、740 P4 代 1.7G 3.6G SIS745 AMD 2.4G3.6

4、G 主板的组成一、原器件由北桥、南桥、BIOS芯片、 I/O 芯片、时钟芯片、串口芯片、门电路芯片、监控芯片、电源控制芯片、三极管、场效应管、二极管、电阻、电容等组成。二、接口组成由 CPU接口、 USB接口、 IDE硬盘接口、 FDD软驱接口、 CPT打印机接口、 COM 串口、 PS/2键盘鼠标接口、集成声卡显卡接口等组成。三、电路的组成由供电电路、时钟电路、复位电路、开机电路、BIOS电路、接口电路等六大电路组成。四、系统总线的组成1、由控制总线、数据总线、地址总线组成。2、总线又分:处理器总线(系统前端线)、AGP总线、 PCI总线、 ISA总线。处理器总线:是系统中最快的总线,而且是

5、芯片组与主板的核心频率。通常为64 位AGP总线:是专用于显卡的32 位高速总线。工作频率为66MHZ(AGP 1X ) 、133MHZ(AGP 2X ) 、 266MHZ(AGP 4X )PCI总线:是33 MHZ 、32 位总线。传输速率为132MB/S ISA总线:是8 MHZ 、16 位总线。 电阻作用:分压、降压、分流、限流(一般用于主板供电电路)符号: R 一、电阻在电路中的运用1、串联(串联会使阻值增大)I 总 = I1 = I2 = IN(串联电路电流都相等)U 总 = U1 = U2 = UN R总 = R1 + R2 + RN (1)用几种电阻串联来获得阻值较大的电阻(2)

6、采用几个电阻构成分压器,使同一个电源能供给几种不同的电压。2、并联(并联会使阻值减小)I 总 = I1 + I2 + IN U 总 = U1 = U2 = UN(并联电路中各电阻两端电压都相等)(并联电路的总电压的倒数等于各并联电压的倒数和)(1)用并联电阻来获得某一个较小的电阻。二、排阻(一般主板上用的多数是贴片电阻)符号: RN、RP、 ER 1、贴片电阻分单个电阻(八脚)和排阻(十脚)八脚十脚2、贴片电阻一般采用的直标法图意:前两位表示有效数字,第三位表示10 的 N 次方。(330:33*100=33 欧、 472:47*102=4700 欧、 103:10*103=300 欧、1R1

7、:1R1=1.1欧)3、好坏:不能超过正负10%。电解电容电容作用:滤波、耦合、离路符号: C(F法特)特点:通交流,阻直流;通高频,阻低频。一、电容分无极性和有极性无极性有极性二、电容联接发挥的作用电容串联:减小容量电容并联:容量增大并联串联三、电容好坏的判断1、电容表面是否有鼓包2、万用表打二极管档,用表笔任意触碰两引脚,然后换表笔,万用表读数会从负数到无穷大。如果有数值,说明电容漏电。读数一直为0,说明已短路。四、电容代换1、电解电容的代换:耐压值大于等于原值(可相差20%) 。2、无极性电容:大小颜色一样即可代换。作用:滤波、移阻、储能、续流符号: L(H 亨利 1H=103MH 、1

8、MH=106UH )特点:通直流,阻交流;通低频,阻高频。一、好坏的判断1、常见故障:开路和短路。2、用万用表的电阻档来检查电感两端,正常电阻很小,若两端电阻很大说明电感开路。晶振作用:通过自身的振荡产生脉冲信号符号: X(在电路中符号为Y)一、参数晶振的单位用频率MHZ 实施时钟晶振:32.XXX MHZ 时钟晶振: 14.318 MHZ 声卡晶振: 24.576 MHZ 网卡猫晶振: 27.XXX MHZ 二、好坏判断1、晶振正常情况下打到二极管档测为无穷大。2、一般用替换法来判断其好坏,代换时必须原值代换。二极管作用:验波、稳压、整流、钳位符号: D 或 VD 发光二极管稳压普通特点:二

9、极管具单向导通性。所谓单向导通性就是加正电压,PN 结导通;加反向电压,PN结截止。1、正向特点当电压很小时电流为0,这段电压称死区电压。也就是说二极管上加了电压,但这不足以使电流流过PN 结。当电压超过死区电压后,电流随电压的上升而导通。此后电压只要少量增加,电流就迅速增大。二极管正向工作时,如正向电流超过其允许值,管子烧坏。2、反向特点二极管加反向电压时不导通,称为截止状态。 但当反向电压增加到一定程度,也就是接近击穿点时,电流开始增大。当反向电压超过反向耐压值时,反向电流会急剧增大,以至烧PN结管子烧坏。一、好坏判断1、用万用表打到二极管档,用表笔任意触碰两管脚,然后调换表笔再测一次(好

10、的第一次无穷大,第二次300 800) 。场效应管作用:放大、调制、振荡、作开关作用结形场效应管一、场效应管耗尽型绝缘栅型N 沟道增强型P沟道d g s 增强型耗尽型D G S g 栅极控制极;d 漏极供电极; s 源极输出二、工作条件供电有,控制电压有。三、好坏判断把万用表打到二极管档,用两表笔任意处碰场效应管的三个极,好的场效应管应只有一组有数值 (300 到 800). 三极管作用:放大、调制震荡、做开关管用。符号: Q 一、组成PN 结B C 发射区集电区表示区E B C B E 锗管二、三极管PNP 硅管大功率NPN 中功率小功率三、工作条件1、供电2、基极要有控制信号,B、E极要辩

11、压。(NPN 硅管为 0.7V 以上,锗管大于0.2V 以上)四、工作状态(饱和、截止、导通)饱和截止导通NPN BE=0.7V CE=0.3V BE0.7V CE=0.3V PNP BE=0.3V CE=0.3V BE0.3V CE=0.3V 五、极性识别、型极性判断:把万用表打到二极管档。用红表笔假设三极管的一只脚为极,用黑表笔分别触碰另外两个脚,如果测得的是两组相差不大的数值(到),那么说明我们假设的是正确的。黑表笔触碰的两个脚,数值大的是极,数值小的是极。、型极性判断与相反(上为数字万用表测量方法,指针万用表测量方法与数字万用表测量方法相反) 六、好坏判断把万用表打到二极管档。极与极正

12、向数值为到,反向数值为无穷大。极正反向数值均为无穷大。七、代换原则最好原型号代换,如果没有原型号的三极管,要做到:换,换,硅管换硅管,锗管换锗管。门电路作用:延时(缓冲)、逻辑电平转换、运算放大一、门电路的组成一个门电路芯片一般由几组门电路组成(到组)二、主板上常用的门电路芯片、三、门电路类别(1 为高电平, 0 为低电平)1、与门:*B (串联)见 0 为 0,全 1 为 1 2、或门: Y=A+B (并联)见 1 为 1,全 0 为 0 3、非门: Y=A非(反向器) ;Y=A(跟随器)反向器: A 与 Y的值相反。跟随器:A 与 Y的值相等4、与非门: Y=(A*B)的非 见 0 为 1,全 1 为 0 5、与或门: Y=(A+B)的非见 1 为 0,全 0 为 1

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