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1、离子直入装置用语编号 用语（英文 /中文）用 语 说 明D4401 Ion implanter 离子注入机是指对具有运动能量的离子加以照射，为能将试料的物性加以控制的装置。此一装置是由离子源，提取电极系统，质量分析系统，注入室等所构成。D4402 Low energy ion implanter 低能量离子注入机是指离子能量（1 价离子）的最大值，在10Kev 以下的离子注入装置。编号 用语（英文 /中文）用 语 说 明D4403 Medium energy ion implanter 中能量离子注入机是指离子能量（ 1 价离子）的最大值，超过10Kev而在 250Kev 以下的离子注入装置。
2、D4404 Low current ion implanter 小电流离子注入机是指线束电流量的最大值，未超过 0.5mA 的离子注入装置。D4405 Medium current ion implante r 中电流离子注入机是指线束电流量的最大值， 在 0.5mA 5mA 的离子注入装置。D4406 High current ion implanter 大电流离子植入机系指线速电流的最大值，在5Ma 以上的离子植入装置。D4407 High energy ion implanter 高能量离子植入机系指离子能量（ 1 价离子）的最大值，超过250Kev的离子植入装置。D4410 Ion s
3、ource离子源系形成各种元素等离子体的部分。因放电种类的不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最适用者为弗里曼型，系属于直流型。此一离子源，系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成离子。D4411 Ion implantation 离子植入， 离子移植系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常利用硼 （B），磷(P)，砷(As)等离子，作为引进用杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作取代以往的热扩散法，作为半导体基片的杂质导入法。D4412 Ion beam离子束系指将无秩序状态的离子，加以控制而获得有方向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，当失去电子而被离子化状态下，各个离子系
4、未具有方向性，且有无秩序的举动。D4413 Mass resolution 质量分解力系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的2 种以上的离子， 加以分离的能力限度。质量分解力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质量数的比来表示D4414 Wafer-to-wafer dose uniformity 晶圆间离子植入的均质型系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离子，经算出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为再现性，同为重要的评价项目。D4415 Wafer twist晶圆扭转系将晶圆片上置于晶缘固定板(platen)上时，由基准位置将主定向平面(ori
5、entation flat)，以晶圆面中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角度称为扭转角(twist angle)。D4416 Wafer disk 晶圆圆盘系指为能使晶圆可以分批处理，能将其数片十数片，加以装填的圆盘。为要确保离子注入的均质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋转又可同时作业并进运动。D4417 Wafer tilt 晶圆倾斜系指当进行离子注入的际，将晶圆加以倾斜者。由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成角度，称为倾斜角。编号 用语（英文 /中文）用 语 说 明D4418 Wafer dose uniformity 晶源离子注入均质性系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶
6、圆内究竟注入何种程度均质性的指针。就其评价方法而言，通常在退火后，经由4 探针法，在晶圆面内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计处理求得偏差值。D4419 Wave guide 离子波束引导管（腔），导波管系指在质量分析系统中，为时离子波束中通过,所设置的真空腔 (vacuum chamber)。 为防止有不必要波束的碰撞削去其内壁，设置有内衬保护板(liner)者为数不多。有时亦称为分析管(腔 )。Analyzing chamber 分析管（腔）D4420 Energy contamination 能量污染，杂质能量系指离子能量位在可作目标值以外的离子能量总称。因离子与残留气体（中性粒子
7、）的碰撞，经电荷交换所产生离子，或分的离子的分解所产生离子，变成非目标能量而植入晶圆者。D4421 Electron suppressor电子抑制器系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电子，不至于从产生地点泄漏到外界的机构。为要抑制产生二次电子所加的称为偏压。Base偏压D4422 Electron flood gun 淹没式电子枪，电子流枪系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生正电荷(charge up)，可对晶圆提供低能量电子，籍以中和的机构。有时亦称为电子(electron show)流枪，或电子障壁。D4424 Orientation
8、flat aligner / flat orientor 定向平面对准器系指将晶圆搭载于晶圆固定板的际，将晶圆的定向平面 (orientation) ，或将缺口 (notch)加以对准所定位位置的机构。由此对准器可以决定离子植入时的扭转角 (twist angle)，与晶圆倾斜 (wafer tilt) 共同决定离子植入晶圆时的入射角度。D4425 Rotational implant 旋转式（离子）植入系指将晶圆依其经晶圆面中心点为轴，作为旋转进行的离子植入。有时离子植入中晶圆并不旋转，植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植入者，称为步进旋转植入法。D4428 Acceleration
9、tube 加速管系指经由加速方式，设置在分析系统先后，可给与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速电压，由形成在电极间的电场来加速离子。D4429 Acceleration voltage 加速电压系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量可加速电压与提取电压的总和，及离子价数来决定。编号 用语（英文 /中文）用 语 说 明D4431 Cross contamination 交互污染系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶圆保持夹以及晶圆附近的金属制品等，受到离子波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一装
10、置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯或生成物，污染到其它制程环境者。随着组合设备工具(cluster tool )的普及，此一用语的使用日益增多。D4433 Post acceleration system 后段加速系统系指在质量分析系统的前，将以 20-40 Kev 的低加速能量给予离子波束， 而在质量分析系统的后，加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小型的质量分析磁铁，可实现较高能量的离子注入。D4435 Solid vaporizer 固体蒸发源系指要产生的际，可搭配与离子源而被用作固试料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热至数百度oC,变成蒸汽而被引进等离子形成室。主要从安全性的
11、观点，此一固体蒸发大都用作替代有毒瓦斯。D4436 Contamination level 污染量系指关于晶圆中的注入量，经由SIMS, 原子吸光分析等的定量分析，可利用下述数式来计算。污染量 %，ppm=混进离子的注入量 （atoms/cm3） 所盼离子的注入量( atoms/cm3 )就离子注入装置而言，有时也可用混进离子波束电流，与所分离子波束电流的比值来表的。D4439 Deionized water cooling 去离子水冷却系指对离子注入装置的高电压端内，及终端站系统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性甚佳为由被用来替代氟氯烷(freon),而被普遍使用。若考量耐电压或波量测
12、错误有必要将去离子水的比电阻作适当的管理。D4440 Scanned beam current 扫描波束电流系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时的波束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因受离子注入装置遮光罩的限制，仅被限制领域的离子到达晶圆，成为较点状 (spot ) 照射为少的电流值。D4442 Preacceleration system 前置加速系统系指从离子源被提取的离子波束，在质量分析系的前，给予必要的加速能量，经质量分析后，对靶子注入离子的方式。D4443 Ion source magnet 离子源磁铁系指以协助原子，分子的电离为目的，而对离子源施加磁场的磁铁。大都被当作正交
13、电磁场或不均一磁场（镜面磁场）来使用。其磁场的强度以离子源的种类而定。编号 用语（英文 /中文）用 语 说 明D4444 Tandem electrostatic accelerator 串接静电加速器将置于大地电位的离子源，所产生的负离子，经由静电场加速后面向正电位的高压部，又被设在该部的电荷变换器换成正离子，然后再面向大地电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量离子加速方式的离子植入装置。系为形成高能离子时使用。D4445 Channeling 穿隧效应 /沟道效应若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大多数离子不会与结晶中的原子核或电子碰撞，而侵入到结晶内部。此一过程称为穿隧效应（c
14、hanneling）。离子沿着结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶面侵入者，称为面穿隧效应。D4446 Charge up 充电， 使绝缘物带电系指注入离子中， 晶圆片上的绝缘物会带电的情况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电子枪（electron flood gun）. D4447 Implant chamber 离子植入室系指对晶圆进行离子植入的处理室。当植入离子时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入量有维持高真空的必要。为达成高生产量（ high throughput ）,亦准备真空预备室或
15、2 套离子植入室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。Process chamber处理室Target chamber 打靶室D4448 Muliple tilt angle implantation 多倾斜角植入系指植入离子的际，对一片晶圆将倾斜角多次边变换边进行离子植入者。再离子植入中倾斜角系被固定，植入一定量后，再移至下一个倾斜角继续进行注入。通常在植入中。晶圆系连续在旋转。D4449 Acceptable wafer size 适用晶圆尺寸系指装置所能处理的晶圆尺寸。因受到终端站机构等限制，可进行注入处理的晶圆大小，就受到限制。通常，可处理晶圆的直径以被称呼的直径表的。D4450 Dos
16、e 剂量 系指植入试料或被植入每单位面积的离子数目。D4451 Hybrid scan混合式扫描系指可将波束扫描（静电扫描，磁铁扫描），与机械式扫描加以搭配，可得离子植入很均匀的扫描方式。例如X 方向的扫描，系将晶圆盘高速加以旋转，同时利用电场或磁场，将离子波束就 Y 方向加以扫描。D4452 Batch-to-batch dose uniformity 批次间的注入均质性基本上系与晶圆间的注入均质性（再现性）同一意义。以批处理进行注入离子的场合，每一批搭载有评价用晶圆，与晶圆间均质性的场合同样，可以求得各批次间的偏差。编号 用语（英文 /中文）用 语 说 明D4453 Parallel beam平行波束系指将离子波束加以扫描植入时，对晶圆表面的入射角，系属于相同的离子波束。此一离子波束可分为两次元平行化加以扫描的方式，与一次元平行化的混合方式。D4454 Beam stability 波束安定性系指在产生离子波束的状态下，表示装置安定性的指针。当操作人员没有操作装置的状态下，在一定时间内以波束电流的变动量表的。D4455 Beam energy 波束能量系指构成离子波束，其
