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1、镀膜机操作步骤注意：1.清洗前，看片子是否短路，是否大小与样品托合适，蒸镀时放样品托的架子升最高，且旋转。2.打开电流开关，及时打开ABC 舟中一个，打开束源炉，及时打开其中一个启动A、B 等。3.掺杂材料用量覆盖舟底即可。操作步骤：1、打开总开关，包括冷却水开关和机器开关。2、打开镀膜机总开关，样品旋转开关，升降开关按钮。3、将玻璃基板至于样品托中，导电一面向下。4、蒸镀室、预处理室放气。5、打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀（顺时针方向关，逆时针方向开） ，推拉杆推至大真空室中，将样品放到推拉杆上，将推拉杆拉回至预处理中。关闭闸板阀（顺时关闭，逆时针开）6、打开快门控制电源，打开快门一，更换
2、钨丝（每做一次实验更换一次） ，将铝丝挂在钨丝上 （5 个，挂于弯折处），检查蒸镀所需材料。7、将掩膜版放置于掩膜版架上。8、打开机械 A、机械 B 泵。打开四个真空计，关闭放气阀。9、基片预处理 （打开角阀）：当处理室真空度达到4.0E1 (4.0 10)Pa时关闭预角阀，打开大真空室角阀，再打开紫外轰击电源（直流溅射电源） ，调节电流 0.025-0.030A。轰击 10-15 分钟（等预处理室与蒸镀室气压平衡，打开闸板） 。10、插入样品托： 再次打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀（顺时针方向开，逆时针方向关） ，将样品传送至蒸镀室，用机械手抓取样品托，并保持在机械手上；然后将将推拉杆拉回
3、至预处理中，关闭闸板阀；降低蒸镀台（ 注意样品托挡板位置 ）与机械手平齐，将样品托轻轻推入蒸镀台下方的样品托导引槽（上方导引槽）。11、插入掩模板：将样品升降电源调到手动， 将蒸镀台旋转 180 度 （用皮带精确定位），用升降盒使蒸镀台最下方的掩模板导引槽与掩膜版库轨道，至于同一水平线上， 用机械手将掩膜版轻轻推至蒸镀台的掩模板导引槽。12、当大真空室的压强为1.2E1的时候，关闭角阀，打开闸板阀。13、关闭机械泵 A，升起样品台。14、打开分子泵。抽到6.0-6.5E-4（大概需要两个小时）。15、蒸镀过程：打开快门总开关，晶振开关（F1 是清零， F5 是开始或停止） 。16、打开 PID
4、（束源炉）开关，调节温度，依次蒸镀相关材料，制备OLED 器件。17、关闭分子泵阀门，放气（真空室顶部放气按钮）。打开真空室，取出样品。18、关闭真空室，待分子泵数字为零时关闭分子泵后关闭机械泵B，打开机械泵 A 的阀门，打开机械泵A 抽低真空。如果长时间不用时一定要关闭循环水冰柜电源，以防冻裂。以 ITO/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al 快门1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 材料Al MoO LiF Alq NPB DCJTB TBPe C545T ADN 2T-NATA 炉子A B C A B C D E F G H 晶振1 2 3 4 温度参考值
5、210 265 138 120 132 245 320 蒸镀 NPB 过程（其中掺杂材料用量覆盖舟底即可） ：打开炉 B，设定温度为 265度，等温度大概 265 时，记录 2 晶振的数字，打开快门5，当 2 晶振数字减小到所需数字后关闭快门5. 蒸镀 Alq3:C545T 过程：关闭大挡板 （真空室顶端的旋转钮） ，打开快门 4 和 9，打开炉 A和 F，设定温度分别为188 和 132 度，看 C545T 的速率 (晶振 3)为 1秒 0.1 点时，炉 A(Alq3) 温度设定为 205 度，看速率为 1 秒 2 点时打开挡板，记录晶振1 数据。减小到所需数字后关闭快门9. 蒸镀 Alq3
6、 过程：记录晶振 1 数据，减小到所需数字后关闭快门4，减少温度至零，关闭 PID. 蒸镀 LiF 过程：关闭大挡板，打开蒸发舟C 舟，打开左下面板的指针电源，设定电流为 2-3A,打开快门 3，打开挡板。 记录晶振 1 数据。减小到所需数字后关闭快门3，关闭 C 舟. 蒸镀 Al 过程：关闭大挡板，打开蒸发舟A 舟，打开左下面板的指针电源，设定电流，钨丝上的铝完全融化后打开挡板，记录晶振1 数据。减小到所需数字后关闭快门1，关闭 A 舟。具体实例：结构：AL （150nm）/MoO(60nm) /NPB(40nm)/ ALQ:C545T (30nm+20nm) /LIF(1nm)/AL(10
7、0nm) 1 打开总开关，打开冷却水，打开气泵（拔起来）。2 打开顶部放气阀（逆时针开） ，放完气后关闭（顺时针关闭） 。放入样品至托盘，放入真空室中。3 插入掩膜板， 1，2，3。将 1 放入样品托盘下方的轨道槽。4 开快门 1，更换钨丝，靠身边为1 号（1 号螺丝取下来， 2 号松下即可）将新钨丝放入嵌片下面呈S型放置，关闭快门1。5 关闭真空室。6 打开 A、B 泵，开真空计。开角阀（后右方逆时针开）。至右上方真空计显示为12Pa时，关闭角阀，打开分子泵挡板阀，打开分子泵开关，关闭 A 泵。至左上方真空计显示为6.4*10-4Pa时，开始镀膜。（大约 2-3 小时） 。7 打开快门总开关，晶振开关。 （样品托盘必须与晶振齐，就是必须上升至顶部）。8 打开打开 PID（束源炉）开关，调节温度，依次蒸镀相关材料，制备 OLED 器件。9 关闭分子泵阀门，放气（真空室顶部放气按钮）。打开真空室，取出样品。10 关闭真空室，待分子泵数字为零时关闭分子泵后关闭机械泵B，打开机械泵 A 的阀门，打开机械泵A 抽低真空。
