OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训

上传人:飞*** 文档编号:52648911 上传时间:2018-08-24 格式:PPT 页数:25 大小:2.71MB
返回 下载 相关 举报
OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训_第1页
第1页 / 共25页
OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训_第2页
第2页 / 共25页
OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训_第3页
第3页 / 共25页
OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训_第4页
第4页 / 共25页
OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训_第5页
第5页 / 共25页
点击查看更多>>
资源描述

《OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训》由会员分享,可在线阅读,更多相关《OGS__Cotter__Sputter___SIO2及IIM_制程培训(25页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、SiO2 及IIM制程,RST,Comment,一、 SIO2薄膜的应用 二、 SiO2制程原理 三、特气管路分布说明 四、膜厚均匀性调试 五、Sio2 制程常见异常分析 六、Sio2 Check rule 七、IIM简介 八、部分专案产品规格书 九、IIM附著NG改善DOE验证 十、部份專案 FMEA 十一、機台產能與保養規劃 十二、機台點檢項目,一、SIO2薄膜的应用,1、材料特性:SiO2 具有硬度高,耐磨性好、绝热行好,光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质,通过对各种制备方法、制备工艺的开发和不同组分配比比对SIO2薄膜的影响研究,制备具有优良性能的透明SIO2的薄膜的工作已经取

2、得了很大的进展,利用纳米SIO2的多孔性质可应用于过滤薄膜、薄膜反应和相关的吸收以及分离技术、分子工程和生物工程等,从而在光催化、微电子和透明绝热的领域具有很好的发展前景。2、SiO2 制程主要目的: 在基材上溅镀一层SiO2薄膜,利用此膜层保护其下的基层,防止基层上的电路受外界环境的侵蚀而失去其原始设计的功能。目前TPK做的大部门OGS产品如结构为 BM+IIM,会在BM 前增加一道200A SIO2,目的为增加BM的附着力。,二、SiO2制程原理,1、在阴极端(靶材),通上负电压,而阳极端则接地,在两极之间通以纯态气体(Ar/O2),并维持真空度在0.11pa之间。 2、当两极间加上电压后

3、,存在真空系统中的一些微量电子电场及磁场的作用下,以螺旋状的路径加速往阳极端前进被加速的电子在行进中撞击在行进中的Ar,使Ar原子失去一个电子,而形成Ar+ 3、被撞出去的电子再被加速,又与Ar撞击产生另一个电子与Ar+,或是与Ar+中和掉 4、在Ar不断的补充下以及抽气作用下,最后在两极之间形成一个平衡态两个电极间重复上述动作而形成一个平衡态(电极而形成电浆).,三、特气管路分布说明(AKT),O2 Top,O2 Center,O2 Bottom,MFC,MFC,MFC,Ar,O2,N2,旋转target,MFC,MFC,MFC,此shielding 从上到下有24个气孔, Ar+N2+O2

4、 main经过MFG后混合从 这些气孔进气,O2 Top 控制Shielding 上5个气孔进气量,O2 Center 控制Shielding中间14个 气孔进气量,O2 Bottom 控制Shielding 下面5个气孔进气量,主管,分管,四、膜厚均匀性调试-AKT(影响因素),影响因素:1、旋转方向、旋转速度2、适当少量N2可提高膜厚均匀性(AKT Sio2 Sputter 有2种控制方式:P mode和U mode,TPK 的经验,如使用P mode,不能通入N2,否则会引起ITO 线阻偏大)3、Ar 量,Ar 越多,均匀性越好,但是因为Ar 越多,镀膜压力越大,越容易产生splash,

5、在均匀性允许的前提,建议镀膜压力控制在0.10.2pa(低压)4、Cathode 磁场(当制程参数全部无法达到,可见为硬体问题,需对cathode磁场进行modify),四、膜厚均匀性调试(磁滞曲线),四、膜厚均匀性调试-AKT(P Mode & U Mode),U Mode: 1、电压固定(根据设定值)O2总量 增加,Power 会增加,膜厚会总体增加; 2、通过分管O2,来调节膜厚均匀性(分管分上中下O2,分管O2越多,对应点的膜厚会越低),P Mode: 1、Power固定(根据设定值)O2总量 增加,电压会降低,膜厚会总体降低; 2、通过分管O2,来调节膜厚均匀性(分管分上中下O2,分

6、管O2越多,对应点的膜厚会越低),Example:,PS: FSE機台膜厚均勻性主要通過調節各靶材Ar針閥來控制。,五、SIO2制程常见异常分析-1 (Splash),1、DSS 与target 过近,造成Arcing 严重, 目前TPK 使用的DSS保持与target gap3mm4mm,DSS,Target,Nodule,2、镀膜压力使用低压(AKT 经验),3、使用P Mode ,过氧状态,Brown mark,4、出现Splash需要PM或者换靶材,較長時間洗靶,针对SPS01金属亮点进行EDX成分分析如下:,金属亮点处,金属亮点处,正常位置,Summary:SPS01 出现的金属亮点

7、成分是硅(Si)元素含量高.,金属亮点处,五、SIO2制程常见异常分析-2 (ITO蚀刻线发黑),原因:腔体水汽过高 Action :1、需进行洗靶动作(跑台车,打靶),待腔体水汽稳定再做首件/生产2、适当开启Pre-heater3、定期更换Carrier/ Shielding/Cover4、跟台车材质有关,目前我们发现用AL材质最好,五、SIO2制程常见异常分析-3 (T%偏低),原因:镀膜异常(气体异常/ Cathode异常/腔体水汽过重),如果发现T% 偏低,R%正常,那么基本上判定为腔体水汽过高造成,通过高温烘烤后,T%可恢复正常。,Action: 1、使用RGA 观看腔体水汽是否平稳

8、2、SIO2制程溅镀一段时间后,carrier 会吸收大量水汽,带入腔体,需定期更换carrier3、检查Camber是否漏水4、定期更换shielding parts,Cover5、产品上含有有机物(如可剥胶),H+O2H2O,五、SIO2制程常见异常分析-4 (Sio2绕镀),影响:Sio2绕镀,会出现边缘玻璃SIO2 厚度偏厚; 一些产品为只镀单面SIO2,绕镀后会造成背面金手指区域被SIO2盖上,造成PBT NG。,如何判定SIo2是否绕镀?可用:素玻璃正面镀Metal背面镀SIO2Metal etched check 正面是否还有metal 残留,如有残留metal 区域即为SIO2

9、 绕镀区域改善方式:SPS01使用“Holder”形式的carrier,“spring”式的carrier 容易绕镀。SPS02生產SITO產品時,采用專門台車,增加擋板、peak墊塊。,五、SIO2常见异常分析-5 (Bubble),TPK 生产的产品有可剥胶(peeling glue),Sputter sio2 后可剥胶边缘会产生bubble(通常是下道制程高温烘烤后出现或者更恶化),原因:可剥胶含有C/H 元素,sputter 时镀率过快,可剥削胶outgas;,Action:1、降低sputter 镀率,降低电压,适当降低power2、使用过氧态溅镀SIO2(增加O2),对AKT机台,

10、使用P Mode,五、SIO2制程常见异常分析-6 (耐磨NG/附着力差),1、Sio2前玻璃表面洁净度差(玻璃有脏污或者其他杂质)-提高玻璃表面洁净度(增加AP清洗等等)2、适当增加O2量,降低镀膜速率,可提高耐磨3、腔体水汽过高-改善水汽状况4、适当降低Ar (Ar 太过,会造成Ar+ 与Sio2 相撞,动能降低,从而附着力不好),SIO2 过程测试频率:TPK实际量测频率与Apple 要求频率,六、Sio2 Checking Rule,六、Sio2 Checking Rule,Apple规定每片玻璃量测点位,G2 量测点位(9个点/sheets),G3 量测点位(10个点/sheets)

11、,G4.5 量测点位(13个点/sheets),Remark :1、apple 实际规定我们每片玻璃膜厚的量测位置如上3个图,实际中TPK量测的点位如page 18.2、T%、光学量测的点位也是如上3个图,TPK量测的点位与Apple 规定的一样。,TPK 量测膜厚点位,硅晶片,硅晶片,硅晶片,硅晶片,G4.5 SPS01 膜厚量测点位,G3 COX08/COX10膜厚量测点位,G4.5 SPS02 膜厚量测点位,G3,每片玻璃从上到下量测3个点,每个台车量测6个点; G4.5 每片玻璃从上到下量测4个点,SPS01每个台车量测8个点,SPS02每个台车量测4个点。,六、Sio2 Checki

12、ng Rule,七、IIM簡介,光线从一种介质进入另一种介质(例如,光从空气进入玻璃),一部分光在两个介质间的表面(称为界面)发生反射。反射光的强度取决于两种介质的折射率也可以是光束在界面上的角度。增加IIM膜层,可: 1、增加T% 2、遮挡ITO蚀刻线 IIM层包括NB2O5+SIO2 (Metal Etching后IIM层为SIO2+NB2O5),八、部分专案产品规格书,九、IIM附著NG改善DOE-42D48,Summary:減少與基板玻璃接觸膜層O2量,可以改善百格NG問題。,十、FMEA-14F71,主要問題點:SIO2制程:1、發片機構,玻璃破片、刮傷、崩角等;2、ROBOT上下片

13、,玻璃破片、吸盤頂傷等;3、鍍膜腔,玻璃色差、SIO2亮點超標、耐磨NG等。IIM制程: 1、發片機構,玻璃破片、刮傷、崩角等;2、ROBOT上下片,玻璃未上片到位,破片等;3、IIM R%值曲綫超SPEC,色差,IIM膜層脫落等。,AKT机台: 1、正常DITO产品:55 sheets/h; 2、正常SITO产品:110 sheets/h; 3、OGS产品200膜厚: 215 sheets/h; 4、IIM产品一般:70 sheets/h。,十一、機台產能與保養規劃,FSE机台: 1、正常DITO产品:102 sheets/h; 2、正常SITO产品:110 sheets/h; 3、OGS产品200膜厚: 110sheets/h; 4、IIM产品一般:108 sheets/h。,保养规划: 1、定期保养; 2、开腔换靶例行保养。 详细见保养计划表。,机台点检包括:1、机器设备日常点检;2、停机复线点检;3、保养点检。,十二、機台点检项目,以上点检项目均有相应点检表记录。,Thank you!,Disciplined people, thought and disciplined Execution RST Coater Team,End,

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 商业/管理/HR > 其它文档

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号