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1、第 1 章 半导体二极管及其基本电路,1.1 半导体的基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 半导体二极管的应用,1.4 特殊二极管,小 结,1.1 半导体的基础知识,1.1.1 本征半导体,1.1.2 杂质半导体,1.1.3 PN结及其特性,半导体的特点,1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关利用该特性可做成热敏电阻,2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系利用该特性可做成光敏电阻,3.掺杂性：掺如有用的杂质可以改变半导体的导电能力利用该特性可做成半导体器件,1.1.1 本征半导体,半导体 ,导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。,本征半导体 ,纯净的半导体。如硅、锗单晶体。,硅(锗)的原
2、子结构,简化 模型,(束缚电子),1、半导体的原子结构,2、本征半导体的晶体结构,硅(锗)的共价键结构,共价键 ,相邻原子共有价电子所形成的束缚。,3、本征半导体的导电情况,自 由 电 子,空穴可在共 价键内移动,当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴),本征激发：,复 合：,自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。,漂 移：,自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。,在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。,载流子 ：,自由运动的
3、带电粒子,两种载流子,电子(自由电子),空穴,两种载流子的运动,自由电子(在共价键以外)的运动,空穴(在共价键以内)的运动,结论：,1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；,2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；,3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。,1.1.2 杂质半导体,一、N 型半导体,N 型,磷原子,自由电子,电子为多数载流子,空穴为少数载流子,载流子数 电子数,二、 P 型半导体,P 型,硼原子,空穴,空穴 多子,电子 少子,载流子数 空穴数,三、杂质半导体的导电作用,I,IP,IN,I = IP + IN,N 型半导体 I IN,P 型半导体 I IP,四、P
4、型、N 型半导体的简化图示,P 型：,N 型：,1.1.3 PN 结,一、PN 结(PN Junction)的形成,1. 载流子的浓度差引起多子的扩散,2. 复合使交界面形成空间电荷区,产生了一个内电场，电场的作用是阻碍多子的扩散促进少子产生漂移,内建电场,此时产生了两种电流：扩散电流和漂移电流,3. 继续扩散和漂移达到动态平衡,扩散电流 等于漂移电流，,总电流 I = 0。,二、PN 结的单向导电性,1）. 外加正向电压(正向偏置), forward bias,此时形成的空间电荷区域称为PN结（耗尽层）,1.定性分析,内电场,外电场,外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变
5、窄。,限流电阻,扩散运动加强形成正向电流 IF 。,IF = I多子 I少子 I多子,2）. 外加反向电压(反向偏置), reverse bias,外电场使少子背离 PN 结移动，空间电荷区变宽。,PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。,漂移运动加强形成反向电流 IR,IR = I少子 0,2、定量估算,反向饱和电流,温度的 电压当量,电子电量,玻尔兹曼常数,当 T = 300(27C)：,加正向电压时,加反向电压时,iIS,UT = 26 mV,3、伏安特性,反向击穿,正向特性,反向特性,1.2 半导体二极管,1.2.1 半导体二极管的结构和类
6、型,1.2.2 半导体二极管的伏安特性,1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响,1.2.4 半导体二极管的主要参数,1.2.6 半导体二极管的模型,1.2.5 半导体器件的型号及二极管的选择,1.2.1 半导体二极管的结构和类型,构成：,PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode),符号：,A,(anode),C,(cathode),分类：,按材料分,硅二极管,锗二极管,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,1.2.2 二极管的伏安特性,一、PN 结的伏安方程,反向饱和电流,温度的 电压当量,电子电量,玻尔兹曼常数,当 T = 300(27C)：,UT = 26 mV,二、二极管的伏
7、安特性,正向特性,Uth,死区 电压,iD = 0,Uth = 0.5 V,0.1 V,(硅管),(锗管),U Uth,iD 急剧上升,0 U Uth,UD(on) = (0.6 0.8) V,硅管 0.7 V,(0.1 0.3) V,锗管 0.2 V,反向特性,U (BR),反向击穿,U(BR) U 0,iD = IS, 0.1 A(硅),几十 A (锗),U U(BR),反向电流急剧增大,(反向击穿),反向击穿类型：,电击穿,热击穿,反向击穿原因：,齐纳击穿： (Zener),反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压 6 V，正温度系数),击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。
8、,硅管的伏安特性,锗管的伏安特性,1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响,T 升高时，,UD(on)以 (2 2.5) mV/ C 下降,1.2.4 二极管的主要参数,1. IF 最大整流电流(最大正向平均电流),2. URM 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2,3. IR 反向电流(越小单向导电性越好),4. fM 最高工作频率(超过时单向导电性变差),影响工作频率的原因 ,PN 结的电容效应,结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。,1 理想二极管模型,特性,符号及 等效模
9、型,正偏导通，uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ,1.2.6 半导体二极管的模型,uD = UD(on),0.7 V (Si),0.2 V (Ge),2 二极管的恒压降模型,3. 二极管的折线模型,4 二极管的交流小信号模型,图解法,【例1-1】 电路如图1-15所示，VD为硅二极管，R=2k， 求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。,解:,当VDD=2V时,采用恒压源模型进行分析,UO=VDDUon=2V0.7V=1.3V,IO=UO/R=1.3V/2k=0.65mA,当VDD=10V时,采用理想二极管模型分析,UO=VDD =10V,IO=UO/R=10V
10、/2k=5mA,1.3 半导体二极管的应用,二极管在电路中有着广泛的应用，利用它的单向导电性，可组成整流、限幅、检波电路，还可做元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。,1.3.1 二极管在限幅电路中的应用,限幅电路分为串联限幅电路、并联限幅电路、,并联限幅电路和双向限幅电路三种 。,1. 串联限幅电路,uD=uiE,当uDUon,即uiE+Uon时,VD正偏导通,uD=Uon,uo=uiUon,工作原理,输出波形,1. 串联限幅电路,uD=uiE,当uDUon,即uiE+Uon时,VD截止,流过二极管的电流为零,uo=E,输出波形,传输特性（或限幅特性）uo=f(ui),输出波形,2. 并联
11、限幅电路,3. 双向限幅电路,1.3.2 二极管在整流电路中的应用,1. 单相半波整流电路,2. 全波整流电路,1. 4 特殊二极管,1.4.1 稳压二极管,1.4.2 发光二极管,1.4.3 光电二极管,1.4.4 变容二极管,1.5.1 稳压二极管,一、伏安特性,符号,工作条件：反向击穿,特性,二、主要参数,1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。,2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，小于 Imin 时不稳压。,3. 最大工作电流 IZM最大耗散功率 PZM,P ZM = UZ IZM,4. 动态电阻 rZ,rZ = UZ / IZ,越小稳压效果越好。,几 几十 ,
12、5. 稳定电压温度系数 ,UZ 4 V， 7 V， 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数；,4 V UZ 7 V， 很小。,3. 稳压管稳压电路, 稳压原理,IR = IDZ + IO,UO= UI IR R, 负载电阻RL不变，输入电压UI变化时,3. 稳压管稳压电路, 稳压原理,IR = IDZ + IO,UO= UI IR R, 当输入电压UI不变，负载电阻RL变化时, 当输入电压UI不变，负载电阻RL变化时, 限流电阻的选择,稳压条件：,当UI=UImax，IO=IOmin时，IDZ最大， 则R值必须足够大，以满足IDZIZmax，即,得, 限流电阻的选择,得,当UI=UImin，IO=I
13、Omax时， IDZ最小，则R值必须足够小， 以满足IDZ IZmin，即,因此，限流电阻R的选择必须满足：,【例1-5】,已知UZ=6V，IZmin=10mA，PCM=200mW，R=500。 rz和反向饱和电流均可忽略。试求：, 当UI=20V，RL分别取1k、100或开路时， 电路的稳压性能怎样？输出电压UO=？ 当UI=7V，RL变化时，电路的稳压性能又怎样？, 当RL=1k时，,解:,VDZ被反向击穿,因为：,所以：,稳压管稳压性能好,当RL=100时,稳压管不能被击穿,当负载开路时,UO=UZ=6V,IDZIZmax,稳压管能稳压，且稳压性能很好, 当UI=7V时,当负载开路时，流
14、过稳压管的电流最大，为,故稳压管不能稳压,1.4.2 发光二极管,发光二极管 LED (Light Emitting Diode),1. 符号和特性,工作条件：正向偏置,一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 2) V,符号,特性,2. 主要参数,电学参数：I FM ，U(BR) ，IR,光学参数：峰值波长 P，亮度 L，光通量 ,发光类型：,可见光：红、黄、绿,显示类型： 普通 LED ，,不可见光：红外光,点阵 LED,七段 LED ,1.4.3 光电二极管,1符号和特性,符号,特性,工作条件： 反向偏置,2. 主要参数,电学参数：,暗电流，光电流，最高工作范围,光学参数：,光谱范围，灵
15、敏度，峰值波长,实物照片,补充：选择二极管限流电阻,步骤：,1. 设定工作电压(如 0.7 V；2 V (LED)；UZ ),2. 确定工作电流(如 1 mA；10 mA；5 mA),3. 根据欧姆定律求电阻 R = (UI UD)/ ID,(R 要选择标称值),小 结,第 1 章,一、两种半导体和两种载流子,两种载流 子的运动,电子, 自由电子,空穴, 价电子,两 种 半导体,N 型 (多电子),P 型 (多空穴),二、二极管,1. 特性, 单向导电,正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大()。,2. 主要参数,正向 最大平均电流 IF,反向 ,最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿),反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响),IS,3. 二极管的等效模型,理想模型 (大信号状态采用),正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合,
