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1、模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明第第 1 1 章章 半导体二极管半导体二极管 及及其基本电路其基本电路1.1 半导体的基础知识1.2 半导体二极管1.3 半导体二极管的应用1.4 特殊二极管小 结模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.11.1 半导体的基础知半导体的基础知 识识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.1.3 PN结及其特性模 拟
2、 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明半导体的特点1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关利用该特性可做成热敏电阻2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系利用该特性可做成光敏电阻3.掺杂性：掺如有用的杂质可以改变半导体的导电能力利用该特性可做成半导体器件模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.1.1 本征半导体半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体
3、 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明硅(锗)的原子结构简化 模型惯性核价电子(束缚电子)1、半导体的原子结构模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明2、本征半导体的晶体结构硅(锗)的共价键结构共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解
4、析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明3、本征半导体的导电情况自 由 电 子 空 穴空穴空穴可在共 价键内移动当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚 成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明本征激发：复复 合：合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对 消失的过程。 漂漂 移：移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共 价键的束缚
5、成为自由电子，并在共价键中留下一 个空位(空穴)的过程。载流子载流子 ：自由运动的带电粒子模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明两种载流子电子(自由电子)空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考
6、PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.1.2 杂质半导体 一、N 型半导体N 型+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数 电子数模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明二、 P 型半导体P 型+3+4+4+4+4+4硼原子空穴空穴 多子电子 少子载流子数 空穴数模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明三、杂质半导
7、体的导电作用IIP INI = IP + INN 型半导体 I IN P 型半导体 I IP模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明四、P 型、N 型半导体的简化图示负离子多数载流子少数载流子正离子多数载流子 少数载流子P 型：N 型：模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.1.3 PN 结一、PN 结(PN Junction)的形成1. 载流子的浓度差引起多子
8、的扩散2. 复合使交界面形成空间电荷区 产生了一个内电场，电场的作用是阻碍多子 的扩散促进少子产生漂移内建电场此时产生了两种电流：扩散电流和漂移电流模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明3. 继续扩散和漂移达到动态平衡扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。二、PN 结的单向导电性1）. 外加正向电压(正向偏置) forward bias此时形成的空间电荷区域称为PN结（耗尽层）1.定性分析模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据
9、时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明P 区N 区内电场外电场外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄 。 IF限流电阻扩散运动加强形成正向电流 IF 。IF = I多子 I少子 I多子2）. 外加反向电压(反向偏置) reverse bias P 区N 区内电场外电场外电场使少子背离 PN 结移动，空间电荷区变宽。IRPN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 0模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时
10、代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明2、定量估算反向饱 和电流温度的 电压当量电子电量玻尔兹曼 常数当 T = 300(27C)：加正向电压时加反向电压时iISUT = 26 mV模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明3、伏安特性Ou /VI /mA反向击穿正向特性反向特性模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.21.2 半
11、导体二极管半导体二极管1.2.1 半导体二极管的结构和类型1.2.2 半导体二极管的伏安特性1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响1.2.4 半导体二极管的主要参数1.2.6 半导体二极管的模型1.2.5 半导体器件的型号及二极管的选择模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.2.1 半导体二极管的结构和类型构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)符号：A (anode)C (cathode)分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型 面接触型 平面型
12、模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明点接触型正极 引线触丝N 型锗片外壳负极 引线负极引线 面接触型N型锗PN 结正极引线铝合金 小球底座金锑 合金正极 引线负极 引线集成电路中平面型P NP 型支持衬底模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件
13、婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.2.2 二极管的伏安特性一、PN 结的伏安方程反向饱 和电流温度的 电压当量电子电量玻尔兹曼 常数当 T = 300(27C)：UT = 26 mV模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明二、二极管的伏安特性OuD /ViD /mA正向特性Uth死区 电压iD = 0Uth = 0.5 V0.1 V(硅管) (锗管)U UthiD 急剧上升0 U Uth UD(on) = (0.6 0.8) V硅管 0.7 V (0.1 0.3) V锗管
14、0.2 V反向特性U (BR)反向击穿U(BR) U 0 iD = IS 6 V，正温度系数)击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.040 0.4 0.82550iD / mAuD / ViD / mAuD / V0.20.4 25 50510150.01 0.020模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培
15、训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响T 升高时，UD(on)以 (2 2.5) mV/ C 下降604020 0.0200.42550iD / mAuD / V20C90C模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明1.2.4 二极管的主要参数1. IF 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR 反向电流(越小单向导电性越好)4. fM 最高工作频率(超过时单向导电性变差)iDuDU (BR)I FURMO模 拟 电 子 技 术增长型发展策略与集团公司手机上网意见PPT培训课件关于大数据时代的大数据产品解析思考PPT培训课件婴儿喂养母乳缺点课件理疗仪器操作说明影响工作频率的原因 PN 结的电容效应结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工
