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1、LRC Proprietary & ConfidentialP1案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法芯片结构与流程说明LRC/Zhang Shu2017-07-14LRC Proprietary & ConfidentialP2案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP2N型硅衬底N型硅衬底N型外延N型硅衬底N型外延氧化层N型硅衬底P+P+P+N型硅衬底P+势垒金属P+N型硅衬
2、底P+表面金属P+N型硅衬底P+表面金属P+N型硅衬底P+表面金属背面金属肖特基二极管- N型外延做器件基底- 芯片衬底 - 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层- P+ 做保护环- 阻挡层金属也就是肖特 基势垒金属层- 表面金属层实现表面的 电连接- 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性- 背面金属层实现背面 的电连接LRC Proprietary & ConfidentialP3案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP3N型硅衬底N型硅衬底N型外延N型
3、硅衬底N型外延氧化层N型硅衬底N型硅衬底P+N型硅衬底表面金属N型硅衬底表面金属N型硅衬底表面金属背面金属- P- 调整结边缘 特性P- N型外延做器件基底- 芯片衬底 - 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层- P+ 实现欧姆接触- 表面金属层实现表面的 电连接- 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性- 背面金属层实现背面 的电连接稳压二极管LRC Proprietary & ConfidentialP4案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP4P型硅衬
4、底P型硅衬底P型外延P型硅衬底P型外延氧化层- N+ 调整结- P阱调整衬底浓 度P型硅衬底P型硅衬底P阱N+P型硅衬底掺金P型硅衬底表面金属背面金属P型硅衬底表面金属- P型外延做器件基底- 芯片衬底 - 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层- 掺金调整开关参数- 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性- 背面金属层实现背面 的电连接TVS/ESD二极管LRC Proprietary & ConfidentialP5案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP
5、5N型硅衬底N型硅衬底N型外延N型硅衬底N型外延氧化层- 表面金属层实现表面 的电连接 - 钝化层保护表面 - 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性- N+ 调整终端特性- P+ 调整结N型硅衬底N型硅衬底P+N+N型硅衬底掺金N型硅衬底表面金属背面金属BAV99 二极管N型硅衬底表面金属钝化层- N型外延做器件基底- 芯片衬底 - 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层- 掺金调整开关参数- 背面金属层实现背面 的电连接LRC Proprietary & ConfidentialP6案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子
6、商务法LRC Proprietary & ConfidentialP6N型硅衬底N型硅衬底N型外延N型硅衬底N型外延氧化层N型硅衬底P型基区N型硅衬底N型发射区表面金属钝化层NPN 三极管-1N型硅衬底N型硅衬底N型硅衬底掺金- P型掺杂形成基区- N型外延做器件基底- 芯片衬底 - 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层- N型掺杂形成发射区- 掺金调整开关参数- 表面金属层实现表面 的电连接-钝化层保护表面LRC Proprietary & ConfidentialP7案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC
7、 Proprietary & ConfidentialP7背面金属N型硅衬底N型硅衬底NPN 三极管-2-芯片背面进行减薄，以 实现更好的特性- 背面金属层实现背面 的电连接LRC Proprietary & ConfidentialP8案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP8P型硅衬底P型硅衬底P型外延P型硅衬底P型外延氧化层P型硅衬底N型基区P型硅衬底P型发射区表面金属P型硅衬底P型硅衬底掺金-N+ 掺杂形成欧姆接触N+P型硅衬底PNP 三极管-1-
8、 P型外延做器件基底- 芯片衬底 - 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层- N型掺杂形成基区- P型掺杂形成发射区 - 掺金调整开关参数- 表面金属层实现表面 的电连接LRC Proprietary & ConfidentialP9案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP9背面金属钝化层P型硅衬底P型硅衬底P型硅衬底PNP 三极管-2-钝化层保护表面-芯片背面进行减薄，以 实现更好的特性- 背面金属层实现背面 的电连接LRC Proprietary & ConfidentialP10案例教学常用操作方法不同管理思想的特点及其主要学派的基本观点高考阅读七选五解题方法国务院要求加快制定网络安全电子商务法LRC Proprietary & ConfidentialP10Thank You！
