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3.2 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数均匀基区晶体管的电流放大系数（1）基区必须很薄，即 WB NB 。可利用 发射结注入效率 对其进行定量分析。本节的讨论以 PNP 管为例。定义：基区中到达集电结的少子电流 与 从发射区注入基区的少子形成的电流之比， 称为 基区输运系数，记为 。对于 PNP 管，为 由于少子空穴在基区的复合，使 JpC NB ，即（NB /NE） 1 ，则上式可近似写为将 代入 中，得：再利用爱因斯坦关系 ，得：注意：DB 、DE 代表 少子 扩散系数，B 、E 代表 多子 迁移率。利用 方块电阻 的概念， 可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为 R口 。对于均匀材料，对于厚度方向（ x 方向 ）上不均匀的材料，对于均匀掺杂的发射区与基区，中，可将 表示为最简单的形式，代入前面得到的 公式的典型值：R口E = 10，R口B1 = 1000， = 0.9900。3.2.4 电流放大系数式中， ，称为 亏损因子。由 的关系，可得：
