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1、 3.5 3.5 双极晶体管的反向特性双极晶体管的反向特性3.5.1 反向截止电流 各种反向截止电流的小结(1) IES ：VBE NB NC ，所以 BVCBO 取决于 NC ， BVEBO 取决于 NB ，且 BVCBO BVEBO 。3.5.6 基区穿通效应 WBN+NP0集电结上的反向电压增大到其势垒区将基区全部占据时，WB = 0，这种现象称为 基区穿通，相应的集电结反向电压称为 基区穿通电压 ，记为 Vpt 。1、基区穿通电压基区穿通时，进入基区中的势垒区宽度与基区宽度相等。对于突变结，防止基区穿通的措施 ：增大 WB 与 NB 。这与防止厄尔利效应的措施一致，但与提高放大系数 与
2、 的要求相矛盾。2、基区穿通对 ICBO VCB 特性的影响当 VCB 较小时，开路的发射极上存在一个反偏浮空电势 。当 VCB 增大到穿通电压 Vpt 时，基区穿通。如果 VCB 继续增加 ，由于耗尽区不可能再扩展，所以 VCE 保持 Vpt 不变。对于平面晶体管，VCB 超过 Vpt 的部分(VCB Vpt )将加在发射结的侧面上 ，使发射结浮空电势增大。当 (VCB Vpt ) 达到发射结雪崩（或隧道）击穿电压时，发射结发生击穿,使 ICBO 急剧增加。 ICBOVCBN+ P NEBC3、基区穿通对 ICEO VCE 特性的影响当基极开路、集电极和发射极之间加 VCE 时，发射结上有一个很小的正向电压 VBE ，其余绝大部分是集电结上的反向电压 VCB 。当 VCE 增加到 VCE = Vpt +VBE 时，基区穿通。当 VCE 继续增加时，VCB 保持 Vpt 不变，因此只要 VCE 稍微增加一点，使 VBE 达到正向导通电压 VF ，就会有大量发射区载流子注入穿通的基区再到达集电区，使集电极电流 ICEO 急剧增加。 ICEOVCEN+ P NEBC在平面晶体管中，NB NC ，势垒区主要向集电区扩展，一般不易发生基区穿通。但可能由于材料的缺陷或工艺的不当而发生局部穿通。VCBBVCBOICBO0Vpt4、基区局部穿通
