《半导体及集成电路领域的撰写及常见问题》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体及集成电路领域的撰写及常见问题（144页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、半导体及集成电路领域的撰写 及常见问题电学发明审查部 半导体处 沈丽本文简介：主要内容： .半导体领域介绍 .申请文件的撰写要求及相应的常见问题 .审查答复通知书时提交文本的常见问题 .导致驳回的几种常见情况及案例分析一、半导体领域介绍半导体领域广义的说是与半导体材料有关的领域，涉及半导体材料、半导体材料的制备、半导体器件、半导体器件的制备、半导体器件的应用、半导体器件的测量等等半导体器件的制备包含通过常见的半导体工艺形成半导体器件的各个部件以及半导体封装件，半导体器件的应用将具有特定的电学特性的半导体器件例如IC应用在电路、计算机、通信、商业等领域中。典型和常用的半导体材料是硅；硅的制备包括
2、硅单晶的制备、硅晶片的加工；半导体器件从形式分可以分成分立器件和集成器件；电学发明审查部的半导体处仅涉及分立或集成的半导体器件及其制备，不涉及这些器件的应用，从分类号的角度来说，仅涉及H01L下的专利申请。因此，下面介绍的内容也主要针对半导体器件及其制备。H01L领域的特点是涉及到的产品种类多、工艺方法多、功能性限定相对少。半导体器件的零部件例如有：将引线框架、引 线键合或焊料凸点、安装架、安装容器、散热 装置、密封层、封装树脂层等。产品种类多 ：分立器件例如有：二极管、晶体管、晶闸管、 太阳能电池、压电器件、发光器件等；集成电路例如有：集成的晶体管、MOS、CMOS 、DRAM、SRAM、R
3、OM、EPROM、EEPROM 等；工艺方法多：外延生长、掺杂、扩散、离子注入、退火、光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、抛光、引线键合、载带自动焊、芯片倒装焊、外壳封装、表面贴装等等。功能性限定相对少：由于涉及元器件和制造工艺多，因此对于元器件来说，通常不需要借助功能性限定，用元器件的结构特征及各个结构特征之间的位置或连接关系就可以将产品限定清楚，对于制造工艺，需要用制造步骤、工艺方法、工艺参数来限定，而不是功能性描述。二、申请文件的撰写要求及相 应的常见问题根据专利法第26条第1款的规定，申请发明或者实用新型专利的，应当提交请求书、说明书及其摘要和权利要求书等文件。专利申请文件的组成（一） 说明书应
4、当符合专利法第26条第3款、专利法实施细则第18条、19条的规定。专利法第26条第3款规定：说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明，以所属技术领域的技术人员能够实现为准；必要的时候，应当有附图。1）说明书应当满足专利法第26条第3款 的规定i）说明书的内容应当清楚，具体应满足下述要求。l主题明确，前后一致l用词准确，无歧义ii）说明书的内容应当完整一份完整的说明书应当包含下列各项内容：（1）帮助理解发明或者实用新型不可缺少的内容。（有助于理解发明）（2）确定发明或者实用新型具有新颖性、创造性和实用性所需的内容。（有别于现有技术）（3）再现发明或者实用新型所需的内容。（能够再现）iii
5、）所属技术领域能够实现是指所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容，不需要创造性的劳动，就能够再现该发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果。提示：如果申请人视为“技术秘密”（know-how）的内容是该技术领域的技术人员实施或再现本发明或实用新型所必不可少的，就不可作为技术秘密保留起来，应当记载在说明书中；否则，由于“说明书的修改不得超出原说明书和权利要求的记载范围”，那些被申请人当作技术秘密保留起来的必不可少的技术内容在修改时就不能补充到说明书中去，从而可能导致最后驳回申请。以下各种情况由于缺乏解决技术问题的技术手段而被认为无法实现：1）说明书中仅给出了任务和/或设想，或者
6、只表明一种愿望和/或结果，而未给出任何使所属技术领域的技术人员能够实施的技术手段；2）说明书中给出了解决手段，但对所属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不清的，根据说明书记载的内容无法具体实施；3）说明书中仅给出了解决手段，但所属技术领域的技术人员采用该手段并不能解决所述技术问题；4）申请的主题为由多个技术措施构成的技术方案，对于其中一个技术措施，所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容并不能实现；5）说明书中给出了具体的技术方案，但未提供实验证据，而该方案又必须依赖实验结果加以证实才能成立。举例1：发明名称：半导体器件三维接触的形成背景技术：现有技术中大多采用等离子体蚀刻技术进行三维蚀刻
7、，但需要价格昂贵的设备，并且等离子体蚀刻中还有晶格损伤问题，尽管可以通过热处理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的热处理过程会导致制造成本上升。发明内容：用特殊的化学药品进行各向异性腐蚀形成半导体器件的电极接触，增加电极接触面积，使工作时通过表面的电流密度下降，从而使器件内部的压降降低。采用化学药品进行腐蚀，晶格损伤为零，可以大量成批处理。只要控制化学药品的组成、腐蚀温度和时间，就能得到一定深度的槽状结构。实施例：结晶方向为单晶棒，按一定的厚度切割成片，表面镜面抛光。然后在表面涂布光刻胶，利用通常的方法进行曝光、显影形成线宽为10micron，间隔为3micron连续图形。如图1所示，光刻胶（A）
8、幅宽为10micron，间隔（B）为3micron。将此硅片放入温度为40的碱性化学药品中。附图1：举例2：发明名称：纳米孔道中的晶体管及其集成电路技术方案：利用分子筛材料的纳米孔道特点，在纳米孔道中装入P型和N型半导体材料，并且在P型和N型半导体的结合处形成P-N结。分别在孔道的两端P型和N型半导体上蒸镀金属电极，作为外部引线的基础。这样便在纳米孔道中构成了一种二极管。以此为出发点，利用分子筛中的纳米孔道可控制生长特性，可以构造晶体管和集成电路。附图：分析：申请人在实施例中指出“在孔道内的两侧分别装入P型和N型半导体材料”、“在三个不同方向的微孔内分别装入P型或N型半导体”、“通过分子组装化
9、学方法，将P型半导体材料18、22和N型半导体材料分别装入图2的纳米孔道中”。然而众所周知，制造均匀、具有20nm的孔径、20nm厚度的管壁的纳米管是非常困难的，依据现有的技术条件，本领域普通技术人员难以理解：如何利用分子组装化学方法将P型半导体材料或N型半导体材料分别装入纳米孔道中，如何制造该申请中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三维尺寸都不超过20纳米的晶体管及其集成电路。也就是说明中仅给出了解决手段，但对所属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不清的，根据说明书记载的内容无法具体实施，不符合专利法第26条第3款的规定。2）说明书的撰写顺序应当符合实施细则第18条的规定，具体为：（1）发
10、明名称i）应与请求书中的名称一致，一般不超过25个字；举例：a）“稳定绝缘体基半导体器件的制造方法及绝缘体基半导体器件”； b）“非纺玻璃纤维部件的表面侧覆盖材料的太阳能电池组件”ii）采用所属技术领域通用的技术术语，最好采用国际专利分类表中的技术术语，不得采用非技术术语；举例：“形成半导体器件金属互连的方法” H01L 21/768“形成动态随机存取存储器的方法” H01L21/8242“线架及其制造方法”“二极体及其制造方法”iii）清楚简明地反映要求保护的发明或者实用新型技术方案的主题和类型（产品或方法）；举例：“半导体封装装置及成形物质引起的寄生电容的计算方法”“热电半导体材料或元器件
11、及其制造方法与装置”iv）应该全面地反映一件申请中包含的各种发明类型；举例：“半导体器件的互连线及其制造方法”“一种散热片及形成方法和组合件”“引线框架和半导体器件”（申请文件）“引线框架及其制造方法，和使用此引线框架的半导体器件”（授权）v）不得使用人名、地名、商标、型号或者商品名称，也不得使用商业性宣传用语。举例：“一种高效替换备用存储单元阵列的半 导体器件”“一种新颖整流元件的结构及其制法”（2）技术领域发明或者实用新型的技术领域应当是保护的发明或者实用新型技术方案所属或者直接应用的具体技术领域，而不是上位发明或者实用新型本身。举例：发明名称：半导体器件及其制造方法技术领域：“本发明涉及
12、半导体器件及其制造方法”点评：由于半导体器件种类很多并且零部件也很多，因此写成了广义的技术领域，过于笼统，简单地照抄发明名称。发明名称：“形成半导体器件的场区的方法”技术领域：本发明涉及一种形成半导体器件的场区方法，特别涉及一种利用适用于一千兆DRAM规模或更大规模的半导体器件的STI（浅槽隔离）结构形成场区的方法。改进之处：在形成槽之前先进行离子注入。技术领域：本发明涉及一种半导体器件的形成方法（上位的技术领域），特别涉及先进行离子注入再形成STI（浅槽隔离）的半导体器件的场区的形成方法（发明本身）。（3）背景技术发明或者实用新型说明书的背景技术部分应当写明对发明或者实用新型的理解、检索、审
13、查有用的背景技术，并且引证反映这些背景技术的文件。在说明书涉及背景技术的部分中，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点。但是，仅限于涉及由发明或者实用新型的技术方案所解决的问题和缺点。在可能的情况下，说明存在这种问题和缺点的原因以及解决这些问题时曾经遇到的困难。一些申请文件中的缺陷：（i）对背景技术的描述过于简单，只是笼统地一提而过，没有引证文件；（ii）有的即使引用了相关文件，也与发明主题相距甚远，有意或无意地掩盖了最相关的背景技术；（iii）有的故意把背景技术说得一无是处，以此衬托发明的所谓“突出”或“显著”；（iv）有的对于不重要的背景技术描述很多，对真正相关的背景技术却避而不谈。举例
14、：附图：图面介绍：图1是常规底部引线半导体封装的纵剖图，如该图所示，常规底部引线半导体封装包括：半导体芯片1；和由多根连接基片的引线2a组成的引线2，引线2a的上表面安装半导体芯片1，底表面与基片连接（未示出）。多个连接芯片的引线2b从连接基片的引线2a延伸，以便与半导体芯片1引线接合。粘结剂3把半导体芯片1粘结在引线2的连接基片的引线2a的上表面上。多根连线5电连接半导体芯片1的芯片焊盘/接合焊盘（未示出）和引线2的连接芯片的引线2a。模制树脂4模制包括已导线连接的半导体芯片1和引线2的两种引线2a及2b的预定区域，以使引线框架的连接基片的引线2a的底表面暴露于封装管座的底表面，引线2的基片
15、连接的引线2a从连接芯片的引线2b向下延伸预定深度。 美国专利5428248中详细说明了这种有上述结构的半导体封装，该专利已转让给本发明的受让者，在此可对它所公开的内容作了引证。然而，在上述常规半导体封装中，当芯片焊盘位于半导体封装的侧边时，可以进行引线接合，但当芯片焊盘位于其中心时，无法进行引线接合。（4）发明或者实用新型的内容要解决的技术问题是指发明或者实用新型要解决的现有技术中存在的技术问题。发明或者实用新型公开的技术方案应当能够解决这些技术问题。撰写要求： 针对现有技术中存在的缺陷或不足； 用正面、尽可能简洁的语言客观而有根据地反映发明或者实用新型要解决的技术问题，也可以进一步说明其技
16、术效果。举例：I.由于与基板等进行电连的外部引线收a被配置为比芯片焊盘3的位置往下，故半导体器件难于薄型化。II.由于芯片焊盘3设于IC封装主体（铸模树脂5a）内部，故散热性差。III.由于与基板等进行外部接触的外部引线4a仅仅配置在半导体器件的下边的一个方向，故半导体器件的多层化是困难的。本发明就是为了解决这些问题而创造出来的，目的是提供一种可实现半导体器件的薄型化，可改善散热性，可实现多层化的半导体器件及其制造方法。技术方案：说明书中公开的技术方案是一件发明专利申请的核心，技术方案是申请人对要解决的技术问题采取的技术措施的集合。技术措施通常是由技术特征来体现的。发明为解决其技术问题所不可缺少的技术特征称为必要的技术特征，其总和足以构成发明的技术方案，达到其目的和效果。与发明的目的有关的、用于进一步完善或展开技术方案的技术特征称为附加的技术特征。如果一件申请中有几项发明，应当用独立的自然段说明每项发明的技术方案。（5）有益效果有益效果是指由构成发明的特征直接带来的，或者是由所述的技术特征必然产生的技术效果。通常，有益效果可以由产率、质量、精度
