北京理工大学数字电路与系统设计考前串讲(二)

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1、第2章 组合逻辑器件与电路第2章 组合逻辑器件与电路2.1 集成逻辑门2.2 常用MSI组合逻辑模块2.3 组合逻辑电路分析2.4 组合逻辑电路设计*2.5 组合逻辑电路中的竞争与险象第2章 组合逻辑器件与电路2.1 集 成 逻 辑 门2.1.1 双极型逻辑门电路1. TTL与非门电路(1) 电路组成TTL逻辑门电路的基本形式是与非门， 其典型电路如图2 -1所示，它在结构上可分为输入级、中间级和输出级三个部分。输入级是由多射极晶体管V1和电阻R1组成的一个与门，实现输入逻辑变量A、 B、 C的“与”运算功能。 V1管的电流放大作用， 有利于提高V1管从饱和到截止的转换速度。第2章 组合逻辑器

2、件与电路中间级是由V2、R2及R3组成的一个电压分相器。它在V2的发射极与集电极上分别得到两个相位相反的电压，以驱动输出级三极管V4、V5轮流导通。 输出级是由V3、V4、V5和R4、R5组成的一个非门。其中V5为驱动管，达林顿复合晶体管V3、V4与电阻R4、R5一起构成了V5的有源负载。输出级采用的推挽结构，使V4、V5轮流导通，输出阻抗较低，有利于改善电路的输出波形， 提高电路的负载能力。 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 1 典型TTL与非门电路第2章 组合逻辑器件与电路2) 工作原理图 2 - 2 输入全为高电平时的工作状态第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 3 输入有低电平时的

3、工作状态第2章 组合逻辑器件与电路3) 电路功能如果用逻辑“1”表示高电平(+3.6 V)， 用逻辑“0”表示低电平(+0.3V)， 则根据前面分析可知，该电路只有当输入变量A、 B、 C全部都为1时，输出才为0，实现了三变量A、B、C的与非运算： 。 因此， 该电路是一个三输入与非门。第2章 组合逻辑器件与电路2集电极开路门和三态门1) 集电极开路门集电极开路门简称OC门(Open-Collector Gate)， 它是将TTL与非门输出级的倒相器V5管的集电极有源负载V3、V4及电阻R4、R5去掉，保持V5管集电极开路而得到的。由于V5管集电极开路， 因此使用时必须通过外部上拉电阻RL接至

4、电源EC。EC可以是不同于UCC的另一个电源。 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 4 OC门逻辑符号 (a) 国标符号； (b) 惯用符号第2章 组合逻辑器件与电路OC门的逻辑符号如图2 - 4所示。国标符号中的 表示逻辑门是集电极开路输出。 OC门之所以允许输出端直接连在一起，是因为RL的阻值可以根据需要来选取。 只要该阻值选择得当，就可保证OC门的正常工作。 RL的估算公式如下： 第2章 组合逻辑器件与电路其中:n为输出端直接相连的OC门的个数； m为负载门的个数； EC为RL外接电源的电压； UOLmax为输出低电平的上限值； OHmin为输出高电平的下限值； IOL为单个OC门输出

5、低电平时输出管V5所允许流入的最大电流； ISE为负载门的短路输入电流； 第2章 组合逻辑器件与电路IOH为OC门输出高电平时由负载电阻流入输出管V5的电流，也称输出漏电流； IRE为负载门输入高电平时的输入电流，也称输入反向漏电流 .OC门的有关电压、 电流参数可从集成电路手册中查到。 例如，某OC门的IOL=16 mA，ISE =1.6 mA，IOH=0.25 mA，IRE=0.05 mA，UOLmax=0.3 V，UOHmin=3.0 V，如果n=4，m=3，EC=5 V，则可计算出RLmin=420 ，RLmax=1740 ，即上拉电阻RL的取值范围为420 1740 。一般而言，RL

6、越小，速度越高，但功耗也越大，因此需要统一考虑。本例中，如果速度能够满足使用要求， 可取RL=1.5 k，以便降低电路的功耗。 第2章 组合逻辑器件与电路【例2 - 1】 用OC门实现逻辑函数 。 解, 实现电路如图2 - 5所示。显然，只有当两个OC门输出都为1时，F才为1。因此，多个OC门输出端连接在一起实现的是“逻辑与”功能。 在数字电路中，这种将多个逻辑门输出端直接连在一起实现“逻辑与”功能的方法称为“线与(Wired AND)”。 如果逻辑门输出端直接连在一起实现“逻辑或”的功能，则称为“线或(Wired-OR)”。 OC门除了可以“线与”连接外， 还可以用来驱动感性负载或实现电平转

7、换。例如，在图2 - 5的电路中，EC=10 V时，F的输出高电平就从3.6 V变成了10 V。 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 5 例2 - 1电路第2章 组合逻辑器件与电路2) 三态门三态门也称TS门(Three State Gate)， 是在TTL逻辑门的基础上增加一个使能端EN而得到的。当EN=0时，TTL与非门不受影响， 仍然实现与非门功能； 当EN=1时， TTL与非门的V4、V5将同时截止，使逻辑门输出处于高阻状态。 因此， 三态门除了具有普通逻辑门的高电平（逻辑1）和低电平（逻辑0）两种状态之外，还有第三种状态高阻抗状态，也称开路状态或Z状态。 三态门的逻辑符号和真值表分

8、别如图2 - 6和表2 - 1所示。 国标符号中的倒三角形“”表示逻辑门是三态输出， EN为“使能”限定符，输入端的小圆圈表示低电平有效(有的三态门也可能没有小圆圈，说明EN是高电平有效)。 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 6 三态门的逻辑符号 (a) 国标符号； (b) 惯用符号第2章 组合逻辑器件与电路表2 - 1 三态门的真值表ENA BF1 高阻00 0100 1101 0101 10第2章 组合逻辑器件与电路多个三态门的输出端可以直接相连，但与OC门线与连接明显不同的是，连在一起的三态门必须分时工作，即任何时候至多只能有一个三态门处于工作状态，不允许多个三态门同时工 作，如果同

9、时工作， 会出现与多个普通TTL逻辑门输出端相连相同样的问题。因此，需要对各个三态门的使能端EN进行适当控制， 保证三态门分时工作。 三态门在计算机的总线结构中有着广泛的应用。 例如， 双向数据总线就可以按照图2-7来构成。 当控制端E=0时，端三态门工作， 上端三态门处于高阻状态， D2线上的数据反相后传至D1线上； 当控制端E=1时，上端三态门工作，下端三态门处于高阻状态，D1线上的数据反相后传至D2线上，从而实现了数据的双向传输。 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 7 双向数据总线第2章 组合逻辑器件与电路【例2 - 2】写出图2 - 8中电路的输出函数表达式，画出对应于图2 - 9

10、所示输入波形的输出波形。 图 2 - 8 例2 - 2电路 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 9 图2 - 8中电路的波形第2章 组合逻辑器件与电路解 由图2 - 8可见，当E=0时，上端三态门工作，下端三态门处于高阻状态， ；当E=1时，下端三态门工作，上端三态门处于高阻状态， 。由此可得F的综合表达式为： ，F对应的输出波形如图2 -9所示。 第2章 组合逻辑器件与电路3 ECL逻辑门ECL逻辑门是一种采用非饱和型电子开关构成的双极型门电路， 作开关用的三极管只工作在截止和放大状态，不进入饱和状态。 ECL逻辑门具有以下特点： 电路的基本形式为“或/或非门”， 有“或/或非”两个互补输

11、出端。 使用-5.2 V负电源， 输出高电平为-0.8 V， 输出低电平为-1.6 V， 抗干扰能力弱。 第2章 组合逻辑器件与电路 将多个ECL逻辑门的“或”输出端直接相连， 可实现“线与”功能； 将多个ECL逻辑门的“或非”输出端直接相连， 可实现“线或”功能。 例如将两个3输入端的ECL逻辑门， “或”输出端直接相连时，输出结果为F=(A+B+C)(I+J+K)；将“或非”输出端直接相连时，输出结果为。 在各类逻辑门中， 工作速度最高， 带负载能力较强， 但功耗也最大。 与TTL等逻辑门混用时， 需要专门的逻辑电平转换电路， 因此很少混用。第2章 组合逻辑器件与电路2.1.2 CMOS逻

12、辑门电路与双极型逻辑电路相比，CMOS逻辑电路具有以下优点： 制造工艺简单，集成度和成品率较高， 便于大规模集成； 工作电源UDD 允许变化的范围大，高、低电平分别为UDD和0 V，抗干扰能力强； 在电源到地的回路中， 总有MOS管截止， 功耗特别低； 输入阻抗高，一般高达500 M以上，带负载能力强。 当前，CMOS逻辑电路已成为与双极型逻辑电路并驾齐驱的另一类集成电路，并且在大规模、超大规模集成电路方面已经超过 了双极型逻辑电路的发展势头。 第2章 组合逻辑器件与电路1. CMOS非门电路图 2 - 10 CMOS非门电路及工作状态 (a) 电路； (b) 工作状态第2章 组合逻辑器件与电

13、路2. CMOS与非门和或非门电路1) CMOS与非门电路CMOS与非门电路及工作状态如图2 - 11所示。电路由四个MOS管组成，V1和V2两个NMOS驱动管串联，V3和V4两个PMOS负载管并联。当输入A、B至少有一个为低电平时，V1、V2中就至少有一管截止，V3、V4中就至少有一管导通，输出为高电平， F = 1；当输入A、B均为高电平时，V1和V2都导通，V3和V4都截止，输出为低电平，F = 0。所以，该电路实现了与非门的功能， 输出F和输入A、B的逻辑关系为。第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 11 CMOS与非门电路及工作状态 (a) 电路； (b) 工作状态第2章 组合逻辑器

14、件与电路2) CMOS或非门电路CMOS或非门电路及工作状态如图2 - 12所示， 其电路形式刚好和与非门相反， V1和V2两个NMOS驱动管并联，V3和V4两个PMOS负载管串联。当输入A、B 均为低电平时，V1和V2都截止， V3和V4都导通，输出为高电平，因此F = 1；当输入A、B中至少有1个为高电平时，V1、V2中至少有1个导通，V3、V4中至少有1个截止，输出为低电平，因此F = 0。可见，该电路实现了或非门的功能，输出F和输入A、 B的逻辑关系为 。 第2章 组合逻辑器件与电路图 2 - 12 CMOS或非门电路及工作状态 (a) 电路； (b) 工作状态第2章 组合逻辑器件与电

15、路3. CMOS门电路的构成规律分析复杂的CMOS门电路时，可以不必像前面一样逐个分析电路中各MOS管的通断情况，而可以按照下面的规律判断电路的功能(或构成CMOS门电路)： 驱动管串联，负载管并联； 驱动管并联， 负载管串联。 驱动管先串后并，负载管先并后串； 驱动管先并后串， 负载管先串后并。 驱动管相串为“与”， 相并为“或”， 先串后并为先“与”后“或”， 先并后串为先“或”后“与”。驱动管组和负载管组连接点引出输出为“取反”。第2章 组合逻辑器件与电路4 使用CMOS集成电路的注意事项由于CMOS集成电路具有很高的的输入阻抗，所以很容易因感应静电而被击穿。虽然其内部在每一个输入端都加有双向保护电路， 但在使用时还是要注意以下几点： 采用金属屏蔽盒储存或金属纸包装， 防止外来感应电压击穿器件。 工作台面不宜用绝缘良好的材料，如塑料、橡皮等，防止积累静电击穿器件。 第2章 组合逻辑器件与电路 不用的输入端或者多余的门都不能悬空， 应根