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1、第七章 薄厚膜元件的封装第一节 集成元器件与集成电路n集成元器件类型 集成元器件制备工艺集成元器件制备工艺n电路-模板设计-模板制作n外延生长n光刻-氧化-涂胶-蚀刻n扩散-注入n淀积n氧化n互连-通孔-金属化n平坦化n互连-层间n检测-测试-老化-冲击n测试-封装n器件测试及相关产业集成元器件结构半导体晶体管三极管第二节 微连接n丝球焊 (热压焊)丝球焊第二键合点第一键合点的形状第一键合点的形状丝球焊自动化设备完整的丝球焊键合超声压接超声热压接n在热压接设备的基础上，增加加热平台n结合了热压焊与超声压接的优点第三节 钎焊n接头形态的重要性结构件的钎焊接头依靠搭接面积保证接头的强度圆角部分与钎
2、焊强度关系很小在微电子互连钎焊中，圆角部分占绝大部分圆角形状会影响接头内的应力集中情况，导致可靠性问 题第四节 封装n常用封装形式直插型元件封装TO同轴封装DIP陶瓷双列 直插式封装LCC塑胶引脚式 芯片封装表面贴装型元件封装球栅阵列封装（BGA）集成元器件的封装结构电子元件的阻燃封装n电子元件均有较高的阻燃要求， 以防止使用时引起火灾。采用具 有阻燃性的胶粘剂进行封装，工 艺如下： 将待封装的电子元件装在夹具上。将待封装的电子元件装在夹具上。 预烧电子元件。温度一般为预烧电子元件。温度一般为50506060，2h2h。 采用阻燃型环氧树脂胶粘剂采用阻燃型环氧树脂胶粘剂（配方：由（配方：由E
3、E5151环氧树脂、双环氧树脂、双2 2，3 3二溴丙基二溴丙基 反丁烯二酸脂、三氧化二锑、二氧化钛及过氧化异丙苯等组成混合料反丁烯二酸脂、三氧化二锑、二氧化钛及过氧化异丙苯等组成混合料100100，590590 环氧树脂固化剂环氧树脂固化剂4040，稀释剂，稀释剂4040，气相二氧化硅，气相二氧化硅3 35 5，酞箐蓝，酞箐蓝0.50.51 1，抗氧剂，抗氧剂1 1 ）。）。先将环氧树脂混合料烘干（先将环氧树脂混合料烘干（50506060，0.50.51h1h），然后进行配胶。），然后进行配胶。 胶液在真空下脱除气泡。胶液在真空下脱除气泡。 将胶液缓慢注入浸泡槽中。将胶液缓慢注入浸泡槽中。
4、将电子元件用夹具夹持放入浸泡槽中，缓慢摆动，待充分浸泡灌注后取将电子元件用夹具夹持放入浸泡槽中，缓慢摆动，待充分浸泡灌注后取 出，放在固化架上固化。出，放在固化架上固化。 固化条件：室温，固化条件：室温，8 812h12h；50506060，2h2h；80808585，5h5h。电子元件的整体封装n电子元件的整体封装是一种对电子元件实行全面保护 的有效措施，目的是保护电子元件免受潮气、霉菌、 盐雾、臭氧、灰尘等的侵蚀，避免冲击、振动、温度 的激烈变化所造成的不良影响，以及增加电子元件的 抗电强度，减小因高压引起的飞弧、电晕等现象。 采用室温单组分室温硫化有机硅胶粘采用室温单组分室温硫化有机硅胶
5、粘 剂剂（配方：羟基二甲基硅橡胶（配方：羟基二甲基硅橡胶100100，苯，苯 胺甲基三乙氧基硅烷胺甲基三乙氧基硅烷10101515，二丁基，二丁基 二月桂酸锡二月桂酸锡0.150.150 0。5 5）。配胶后进行）。配胶后进行 真空脱泡。真空脱泡。 将胶液缓慢注入模腔中，固化，脱模将胶液缓慢注入模腔中，固化，脱模 。n封装是电子元器件制备的最后一道重要工 序，是确保元器件能够正常使用的重要保 障；n不同的电子元器件有不同的封装特点；n电子元器件的应用领域不同，所采用的封 装材料也不相同，需要进行选择；n封装材料很多，封装技术因材料不同也有 所不同，需根据实际情况确定封装方案。元件的贴装n贴装工艺n元件的贴装课程总结n第一章 绪论基本概念n第二章 薄膜制备的基础理论n第三章 薄膜的制备方法及检测n第四章 新型半导体薄膜材料及器件n第五章 介质薄膜材料及其应用n第六章 厚膜制备技术及其发展n第七章 薄厚膜元件的封装
