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1、充电电路简介 （一）充电基本部分： 1.充电检测部分 2.充电控制部分 3.电量检测部分 （二）充电保护部分： 1.过压保护部分 2.过流保护部分 手机中MOS的使用场景分析 电池充电过程：预充电、恒流充电、恒压充电、 脉冲充电（线性无） 1. 当Vbat4.1V 进入恒压充电阶段，这个阶段电流逐渐变小，电压维持不变！ 4.当恒压阶段的电流降低到一定值，就进行脉冲充电，当电压为4.2V左右时，充 电完成。MT6225VDRVISNSVBAT_SNS0.2欧姆按照充电电路的器件的不同，将充电方式分为四种：PMOS、OVP、 BJT+NMOS、 BJT+PMOS。 1、PMOS控制的充电方式：目前
2、在MTK的MT6223、MT6235、MT6253和展讯平台所有平台中，都 是采用PMOS控制的充电方式。优点：充电电路非常简单稳定，成本低 缺点：没有过压保护功能，耐压能力低的平台容易被烧坏。手机中MOS的使用场景分析 这是最的常见充电电路，其中MOS为P-MOS + 肖特基形式，常见于MTK，展讯等平台。 MOS作为充电电流的控制器，工作在饱和区（ 恒流区），承受较大功耗。 此电路中使用者最为关心的参数为：PD, ID, RthjA。 容易出现的问题：温度过高；最大功率不够。 WILL对应的产品：WPM2005-8/TR,WPM2006- 6/TR, WPM2009D-8/TR。手机中MO
3、S的使用场景分析充电电路原理图充电电路引脚说明MT6251/6252/6236/MT65730.2欧姆VDRVISNSBATSNS3、BJT+NMOS 方式：MTK新推出的平台(MT6252、MT6236、MT6573、MT6276)中，采 用的是BJT+MOS的充电方案，充电管脚耐压值为30V，且充电电流比 PMOS、OVP控制方式大。手机中MOS的使用场景分析BJT+NMOS的充电方式改变为脉冲充电，GATDRV由电压控制改 变为电流控制。如右图所示“电池充电电流I1由流进 VDRV管脚的电流I2控制，假设PNP三极 管在放大区的放大倍数为200，需要450 mA的电池充电电流，那么手机平
4、台内部 需要控制的电流为I2= 450mA/200=2.25 mA，并通过检测Rsense上的压降组成反 馈系统来控制充电电流。手机中MOS的使用场景分析4、BJT+PMOS方式高通的平台充电部分一般采用的方式 为BJT+PMOS。不同的平台区别是PMIC内 部有没有集成BJT.其中QSC6270将BJT集成 在芯片内部。以下是四个充电过程的详细分析。QSC60X0/60X5/62X0/1100/11100.1欧姆CHG_CTLISNS_PISNS_MBAT_FET_N手机中MOS的使用场景分析 这是高通平台上的充电电路，其中使用到 单路P-MOS。 MOS作为电池电源开关，工作在可变电阻 区，功耗不大。 此电路中使用者最为关心的参数为：PD, ID, RDSON。 容易出现的问题：最大功率或电流不够。 WILL对应的产品：WPM2341- 3/TR,WPM1480-3/TR, WPM2301-3/TR。手机中MOS的使用场景分析MT6573-Baseband充电电路产品方案:WPT2F30-6/TR和WNM4153-3/TR1.充电电流调整三极管 ：WPT2F30替换参考设计中STT818B2.高压阻断MOSFET：WNM4153替换参考设计中SSM3K35MFV
