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1、4.5 MOS集成逻辑门一、MOS管开关特性1. MOS管结构与符号2. 开关等效电路导通状态DSRDSonVGSVTSD截止状态 VGSVTNMOSPMOS1二、NMOS逻辑门电路（1）电阻负载1. NMOS非门（2）MOS管负载AFgsd+EdRLAFgsd+EdAF22. NMOS或非门4. NMOS与或非门3. NMOS与非门+EdABT1T2T3F+EdT3ABFCDT1T2T4T5+EdABFCD例：F=(AB+C)DAFB+ AFB+EdAT1T3BFT235. 异或门6. 三态门NMOS(PMOS)门电路存在的问题：AGF负载管常通，消耗功率； 负载管RDSon大，CL充电常数
2、大。AFBT1+EdT2F+GAT3+EdT4T5 ABT1 T2FF4三、CMOS逻辑门电路1. CMOS非门TN+EdTPFAAF电路结构：工作原理：逻辑符号：输输入工作状态态输输出 A导导通截止F 0 1Tp TNTN Tp1 052. CMOS与非门+Ed Tp2TN1TN2ABFTp1电路结构：AFB输输入工作状态态输输出 A B导导通截止F 0 0 0 1 1 0 1 1Tp1、Tp2 Tp2 Tp1 TN1、TN2TN1、TN2 TN2 TN1 Tp1、Tp21 1 1 0工作原理：逻辑符号：63. CMOS或非门+EdTp1Tp2TN1TN2ABFAFB+电路结构：输输入工作状
3、态态输输出 A B导导 通截 止F 0 0 0 1 1 0 1 1Tp1、Tp2 Tp1、TN1 Tp2、TN2 TN1、TN2TN1、TN2 Tp2、TN2 Tp1、TN1 Tp1、Tp21 0 0 0工作原理：逻辑符号：74. CMOS传输门ViTPTNVoTGViVo电路结构：工作原理：逻辑符号：控制工作状态态输输出 导导通截止VO 0 1Tp、TNTp、TN高阻 Vi设|VTp | =VTN=3V,ED=10V,则 0Vi 7V时，TN导通 3Vi10V时，TP导通CMOS OD门、 三态门8CMOS门电路特点：静态功耗很低，约为TTL的千分之一；抗干扰能力强。高低电平噪声容限均可达 ED/2；电源利用率高。VOH=ED,VOL=0，且ED允许 范围宽(+3V+18V)；MOS管输入阻抗高，带负载能力强；电路结构简单，适用于大规模集成电路。9CMOS门电路使用时注意事项：输出端不能并接，也不能直接接电源或地；多余输入端处理：多余输入端不允许悬空， 应按逻辑要求直接接电源(与非门)或地(或非 门)；速度不高时允许输入端并联使用。静电防护。不同逻辑系列的配合问题。作业： P77. 10,14,17,2010
