微电子学专业实验-介绍2011

《微电子学专业实验-介绍2011》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微电子学专业实验-介绍2011（51页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、微电子学专业实验介绍 2011.09.02微电子学专业实验是按照我院新办 专业“微电子学专业”的培养方案及教学 计划要求，设置的一门重要专业实验 课程。该课程是微电子学专业本科学 生必修的一门专业实验课，是理论性 和实践性都非常强的一门课程。微电 子学实验涉及了集成电路设计、半导 体物理、半导体器件、工艺及材料等 多个专业方面。实验要求和目的： 本课程要求学生先修完：大学物理实验，半 导体物理，半导体器件，微电子学概论，模 拟电子技术，数字集成电路设计，微电子制 造技术和计算机辅助设计等理论课程后，再 进行本课程的学习。 要求学生掌握半导体材料特性测试技术、微 电子技术工艺参数测试分析技术和微

2、电子器 件参数测试与应用技术，能够熟练使用集成 电路EDA工具软件。 实验学时：64 必修课 每个学生必须独立完成16个实验项目 考核方法: 课内实验完成情况 40%实验报告 40%课内考试 20%实验教学内容本实验课程涵盖三部分实验内容： 半导体材料特性与微电子技术工艺参 数测试分析 半导体器件性能参数测试 集成电路性能参数测试与应用及现代 集成电路EDA技术半导体材料特性与微电子技术工艺参数测分析： 四探针法测量半导体电阻率 半导体霍尔效应实验 光电导衰退法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命 用椭圆偏振仪测量薄膜厚度 P-N结的显示与结深的测量 MOS结构高频C-V特性测试（演示）实验内容（1

3、）实验内容（2） 半导体器件性能参数测试实验： 用图示仪测量双极性晶体管的交、直流参数 场效应晶体管参数测量 晶体管特征频率的测量 晶闸管阻断特性与触发特性的测量 晶闸管通态峰值压降的测量集成电路性能参数测试与应用及现代集成电路 EDA 技术实验： 双极性运算放大器参数的测试 版图电路分析 几种数字门电路的计算机模拟与仿真 运算放大器应用电路模拟与仿真 数字电路版图设计 模拟集成电路设计与仿真 稳压电源及应用电路的计算机模拟与仿真 实验内容（3）实验安排 14 周：实验2、3、9（125）； 1、14、15（523） 58周：实验8、10、12（125）； 18、22、13（523 ） 911

4、周：实验17 （125）； 16、21（523） 12 周：实验 20 （523）课内考试 说明： 1、每四周完成所安排的所有实验，实验报告交给相应的 指导老师：1班：李立珺、赵萍2班：邢立冬3班：徐丽琴、武利翻 2、实验时间为：周三58节，周五58节。实验报告撰写要求 实验报告必须按统一格式书写，报告内容必须包 含预习报告和正式报告两部分： 预习报告必须在该次实验前完成，无预习报告不 得参加当次实验，包括实验名称、实验目的、实 验原理、实验内容与要求、实验步骤与方案。 正式报告包括实验结果与分析、思考题、实验总 结与心得，正式报告在实验完成后写，紧接预习 报告部分。 预习报告和正式报告合在一

5、起作为该次实验的实 验报告上交，实验报告封面按统一格式（见附件 ），实验报告内容要求手写。实验一 四探针法测电阻率 电阻率是反映半导体材料导电性能的重要参数之一。 测量电阻率的方法很多，四探针法是一种广泛采用的 标准方法。 实验目的：掌握四探针测试电阻率的原理和方法；针 对不同几何尺寸的样品测试电阻率时，应掌握其修正 方法； 实验内容：1对给定的23个厚度不同的样品分别测量其电阻 率、方块电阻值。2对每种样品，各测10个不同点，用excell计算修 正求出电阻率、进行数据分析；3对单面扩散和双面扩散样品分别测量其薄层电阻R 。实验二 半导体霍尔效应 半导体霍尔效应是研究半导体物理性质的一 种重

6、要方法。利用霍尔效应可以判断半导体 材料的导电类型，测量半导体的载流子浓度 和迁移率。 实验目的：熟悉霍尔效应的测试原理；掌握 电阻率和霍尔系数的测量方法,并用EXCEL计 算多项电学参数，如电阻率、霍尔系数、载 流子浓度P0、n0等；观察半导体的磁阻现象 。 实验内容 1、用长条法测试矩形样品(n-si)的和RH 值。测电阻率时（磁场强度B=0）样品电 流分别取代0.4mA、0.8mA两个值，测霍 尔电压时，磁场强度B=2000GS。2、用范德堡法测Si薄片半导体样品的和 RH值。测试条件同上。 3、用EXCEL进行数据处理。 实验二 半导体霍尔效应实验三 用图示仪测量双极型晶体管 直流参数

7、 双极型晶体管是集成电路的主要有源器件之一，在 电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和使 用过程中，都要对其参数性能进行检测。晶体管的 直流参数及性能是评价晶体管质量及选择的主要依 据。通常采用晶体管图示仪进行测量。 实验目的：了解晶体管特性图示仪的基本工作原理 及其使用方法；掌握用晶体管特性图示仪测量晶体 管各种特性曲线的方法；掌握用晶体管特性图示仪 测量普通二极管、发光二极管、稳压管、三极管、 结型场效应管等器件的各种直流参数的方法。实验内容 1、整流二极管、发光二极管、稳压管的正、反向特性 测试； 2、晶体三极管的测试（分别对NPN、PNP三极管进行 测试），包括：a）三极管的输出特

8、性；b）饱和压降UCES的测量；c）反向击穿电压： Bicep、Bvcbo、Bvebo；和反 向漏电流的测试；d）三极管输入特性的测试； 3、结型场效应管（3DJ7为例）直流参数的测试。实验三 用图示仪测量双极型晶体管 直流参数实验五 场效应晶体管参数测量 场效应晶体管不同于一般的双极晶体管,它是一种电 压控制器件。从工作原理看，场效应晶体管与电子 管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度 去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管 。场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流 子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“ 单极型”晶体管。通常用“FET”表示。 场效应晶体管分为结型

9、场效应管（JFET）和绝缘 栅型场效应管（MISFET）两大类。目前多数绝缘 栅型场效应管为金属-氧化物-半导体（MOS）三层 结构，缩写为MOSFET。 本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检 测。 二、实验内容与要求：1、完成结型场效应管参数的测量。2、熟悉场效应晶体管主要参数的物理意义及 BJ2922B型场效应管参数测试仪的使用方法 实验五 场效应晶体管参数测量实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平 衡少数载流子寿命 半导体材料中的非平衡少数载流子寿命对器件的 电流增益、正向压降、开关速度的参数起着决定 性作用。 光电导衰减法有直流光电导衰减法、高频光电导 衰减法和微波光电导衰减法，

10、其差别主要在于是 用直流、高频电流还是用微波来提供检测样品中 非平衡载流子的衰减过程的手段。 本实验采用高频光电导衰退法来测量非平衡少子 的寿命。实验目的： 1掌握用高频光电导衰减法测量Si单晶中少数载流 子寿命的原理和方法；2. 加深对少数载流子寿命及其与样品其它物理参数 关系的理解。 实验内容：1、测量3个不同电阻率样品的非平衡少子寿命。2、每个样品测定23次，求出平均值，获得Si材 料在光照下的Vt曲线。3、对结果进行分析。实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平 衡少数载流子寿命实验八 p-n 结的显示与结深的测量 在用平面工艺制造晶体管和集成电路时，一般用扩散法制作p-n结。由于扩散杂质与

11、外延层杂质的类 型不同，所以在外延层中某一个位置，其掺入杂质浓度与外延层杂质浓度相等，从而形成了p-n结。 将p-n结材料表面到p-n结界面的距离称为p-n结结 深，一般用Xj表示。由于基区宽度决定着晶体管的 放大倍数、特征频率fT等电参数，而集电结结深 Xjc和发射结结深Xje之差就是基区宽度，因此必须 了解并掌握测量结深的原理和方法。 测量结深的方法有磨角法、滚槽法，也可以采用阳 极氧化剥层法直接计算得出。本实验采用磨角法。 本实验的目的是学会用磨角器磨角法制作p-n 结样 片，采用电解水氧化法显示p-n 结；并利用金相显 微镜观测结深。 实验内容1、用磨角器磨角法制作p-n 结样片；2、

12、采用电解水氧化法显示p-n 结；3、用金相显微镜观测样品的相关数据 并计算出结深，重复测量3 次，求出 结深的平均值。 实验八 p-n 结的显示与结深的测量实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度 二氧化硅（SiO2）介质膜是硅集成电路平面制造 工艺中不可缺少的重要材料。根据不同的需要，人 们利用各种方法制备二氧化硅，用来作为器件的保 护层和钝化层，以及电性能的隔离、绝缘材料和电 容器的介质膜等。其更重要的应用之一，就是作为选择性扩散的掩蔽膜。无论SiO2膜用作哪一种用 途，都必须准确的测定和控制它的厚度。另外，折射率是表征SiO2薄膜光学性质的一个重要参数， 因此我们必须掌握SiO2膜厚及其折射率的测量

13、方 法。 通常测定薄模厚度的方法有比色法、干涉法、椭偏 法等。比色法可以方便的估计出氧化硅膜的厚度， 但误差较大。干涉法具有设备简单、测量方便的特 点，结果也比较准确。椭偏法测量膜厚是非破坏性 测量，具有测量精度高，方法较灵敏的独特优点， 因此已广泛应用在光学、半导体、生物、医学等方 面。 实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度 本实验目的：1、了解用椭圆偏振法测量薄膜参数的基本 原理和方法；2、掌握SGC-2型自动椭圆偏振测厚仪的使 用方法；3、用椭偏仪测量Si衬底上的SiO2薄膜的折 射率和厚度。 实验内容1用椭偏仪测量Si衬底上的SiO2薄膜的折 射率和厚度；（选两个样品进行测试）2重复测量3 次

14、，求折射率和膜厚的平均 值。实验十 晶体管特征频率的测量 晶体管频率特性表现为其交流电流增益随晶体管工 作频率的提高而下降。晶体管特征频率的测量定义 为共射极输出交流短路电流增益下降到时的工作频 率。它反映了晶体管在共发射运用中具有电流放大 作用的极限频率,也是晶体管最重要的频率参数之一 。晶体管特征频率与晶体管的结构设计和物理参数 有关,还与晶体管工作时的电流大小密切相关。因此, 晶体管的特征频率fT是指在一定偏置条件下的测量 值。其测试原理通常采用“增益带宽“积的方法。 本实验的目的是掌握晶体管特征频率fT的测试原理 及测量方法,熟悉fT分别随IE和VCE变化的规律,加 深其与晶体管结构设

15、计和物理参数各工作偏置条件 的理解。为晶体管的频率特性设计,制造和应用奠定 基础。实验十 晶体管特征频率的测量 实验内容 1. 在规范偏置条件下测量所选晶体管 的特征频率。2. 置规范值，改变测量变化关系。3. 置规范值，改变测量变化关系。4. 在被测管的发射结并接数pF电容， 观察变化。5. 求出被测管的，的近似值。实验十二 双极性运算放大器参数的测试 集成运算放大器是一种高性能直接耦合放大 电路。在外接不同反馈网络后，具有不同的 运算功能。运算放大器除了可对输入信号进 行加、减、乘、除、微分、积分等数学运算 外，还在自动控制，测量技术、仪器仪表等 各个领域得到广泛应用。 实验目的：熟悉运算

16、放大器主要参数的测试 原理，掌握这些参数的测试方法。 实验内容：1、分别在6V、8V、15V三种电压下测试 运算放大器LF741各个交、直流参数并 比较分析；2、对比分析测试数据及结果；3、并画出其传输特性和转换速率的曲线 。实验十二 双极性运算放大器参数的测试实验十三 版图电路分析 实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设 计 实验内容反向提取给定电路模块，要求画出电路 原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并 进行仿真验证。实验十四 几种数字门电路的计算机 模拟与仿真 集成电路的计算机辅助设计大致可分为以下 几步：电路图绘制和电连接关系描述、电路 （模、数）特性分析与模拟。根据分析和模 拟结果修改并确定电路结构，结合具体的集 成