三极管的常用主要参数

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1、三极管的常用 主要参数三 极 管三极管的 特性三极管的 检测半导体器件的 命名方式三极管的 外型导航须知半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号2 二极管3 三极管第二部分第三部分A 锗材料 N 型B 锗材料 P 型C 硅材料 N 型D 硅材料 P 型A 锗材料 PNP B 锗材料 NPN C 硅材料 PNP D 硅材料 NPNP 普通管 W 稳压管 K 开关管 Z 整流管 U 光电管X 低频小功率管 G 高频小功率管 D 低频大功率管 A 高频大功率管第四部分第五部分例：3AX31 3DG12B 3DD6 PNP

2、低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管 三极管的识别和检测1. 三极管极性的判别2. 三极管性能的检测(2) 用指针式万用表判别极性(1) 用万用表的 hFE挡检测 值(2) 用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 (略)(1) 目测判别极性(3) 用指针式万用表检测穿透电流的检测反向击穿电压的检测放大能力的检测目测判别三极管极性EBCE C BEBCBECE B C用指针式万用表判断三极管极性红表笔是(表内电源)负极 黑表笔是(表内电源)正极基极B的判断：当黑（红）表笔接

3、触某一极，红（黑）表笔分别接触 另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为 NPN（PNP）。在 R100或 R1k 挡测量 测量时手不要接触引脚C、E极的判断：基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较大 者为发射极E，较小者为集电极C。用万用表的 hFE挡检测 值1. 若有ADJ挡，先置于ADJ 挡进行调零。 2. 拨到 hFE挡。 3. 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的插 孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出3根引线，再插入插孔）。 4. 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数 。三极管放大能力的检测1k硅管：100 k 锗管：20 k01k硅管：10

4、0 k 锗管：20 k0PNPNPN指针偏转角度越大，则放大能力越强用万用表检测穿透电流 ICEO通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流 ICEO的大小。一般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻 10 k； 大功率锗管C、E间的电阻 1.5 k； 硅管C、E间的电阻 100 k（在 R 10 k挡测量）。1k01k0检测反向击穿电压 U(BR)CEO反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。39 k5.1 kLED1050 VAB2SA1015增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A 、B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。39 k5.1 kLED1050 VAB2SA1015三极管的

5、特性iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0 O 2 4 6 8 4321uBE/ViB/AO输入特性输出特性三极管的参数1. 常用国产高频小功率晶体管的主要参数部分进口高频小功率晶体管的主要参数2. 部分国产高频中、大功率晶体管的主要参数部分进口高频中、大功率晶体管的主要参数3. 部分国产低频小功率晶体管的主要参数部分进口中、低频小功率晶体管的主要参数5. 常用国产低频大功率晶体管的主要参数6. 常用国产小功率开关晶体管的主要参数7. 部分高反压大功率开关晶体管的主要参数及封装形式部分进口中、低频大功率晶体管的主要参数8. 常用大功率互补对管的主要参数常用中、小功率互补对管及其主要参数网 上 查 询 http:/ http:/ http:/ http:/www.changli.org http：/部分三极管的外型1.请根据所要查看的内容，置鼠标于相应文字 上方，凡出现了超级链接的提示（小手），点 1.击鼠标则进入所要查看的内容或下一级目录 。 2. 为了避免迷失查看路径，本课件关闭了点击 鼠标实现翻页的功能（除设置有动画的页面）。3. 点击页面上的返回按纽，则回到上一级目录。导航须知