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1、 SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF4N60T TO-220-3L SVF4N60T 无铅 料管 SVF4N60F TO-220F-3L SVF4N60F 无铅 料管 SVF4N60FG TO-220F-3L SVF4N60FG 无卤 料管 SVF4N60K TO-262-3L SVF4N60K 无铅 料管 SVF4N60D TO-252-2L SVF4N60D 无铅 料管 SVF4N60DTR TO-252-2L SVF4N60D 无铅 编带 SVF4N60MJ TO-251J-3L SVF
2、4N60MJ 无铅 料管 SVF4N60MJG TO-251J-3L SVF4N60MJG 无卤 料管 SVF4N60M TO-251D-3L SVF4N60M 无铅 料管 4A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ/MJG N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 4A，600V
3、，RDS(on)（典型值）=2.0 VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 符号 参数范围 单位 SVF4N 60T SVF4N 60F(G) SVF4N 60D/M SVF4N 60MJ(G) SVF4N 60K 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 4.0 A TC=100C 2.5 漏极脉冲电流 IDM 16 A 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 PD
4、 100 33 77 86 95 W 0.8 0.26 0.62 0.69 0.76 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 217 mJ 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 单位 SVF4N60T SVF4N60F(G) SVF4N60D/M SVF4N60MJ(G) SVF4N60K 芯片对管壳热阻 RJC 1.25 3.85 1.61 1.45 1.32 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 120 110 110 62.5 C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称
5、 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 600 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V，VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250A 2.0 - 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V， ID=2A - 2.0 2.4 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ - 449.7 - pF 输出电容 Coss - 57 - 反向传输电容 Crss -
6、 2.0 - 开启延迟时间 td(on) VDD=300V，ID=4A， RG=25 (注 2，3) - 16.8 - ns 开启上升时间 tr - 26.2 - 关断延迟时间 td(off) - 37.4 - 关断下降时间 tf - 20.2 - 栅极电荷量 Qg VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3) - 8.16 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 2.63 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 3.01 - 士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源
7、极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 4.0 A 源极脉冲电流 ISM - - 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4.0A，VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4.0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/s (注 2) - 441.53 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 1.98 - C 注：注： 1. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度300s，占空比2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流
8、ID(A)0.110.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)0.1110024681013579栅源电压 VGS(V)1.52.03.03.54.0028VGS=10V VGS=20V注：TJ=25C漏源导通电阻 RDSON)()漏极电流 ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压0.20.40.60.81.21.00.11100反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs.源极电流、温度2.54.564VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V变量10注： 1.
9、250S 脉冲测试 2.TC=25C注： 1.250S脉冲测试 2.VDS=50V100-55C 25C 150C-55C 25C 150C注： 1.250S脉冲测试 2.VGS=0V10士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 典型特性曲线（续） 图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)0 02410总栅极电荷 Qg(nC)VDS=480V VDS=300V VDS=120V01002004005001000注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz246810128300600700800Cis
10、s Coss CrssCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd注：ID=4.0A60.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化） BVDSS结温 TJ(C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） RDS(ON)图8. 导通电阻vs.温度特性结温 TJ(C)1.2150注： 1. VGS=0V 2. ID=250A 0.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5注： 1. VGS=10V 2. ID=2.0A漏极电流 - ID(A)10-210-110010010
11、1102103图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N60T)漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25C 2.Tj=150C 3.单个脉冲10ms1ms100sDC102漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25C 2.Tj=150C 3.单个脉冲10ms1ms100sDC102图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N60F(G)900士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 典型特性曲线（续） 25507510012
12、51500123漏电流 - ID(A)壳温 TC(C)图 10. 最大漏电流vs. 壳温 4漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25C 2.Tj=150C 3.单个脉冲10ms1ms100sDC102图9-4. 最大安全工作区域(SVF4N60MJ(G)漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25C 2.Tj=150C 3.单个脉冲10ms1ms100sDC102图9-3. 最
13、大安全工作区域(SVF4N60D/M)漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25C 2.Tj=150C 3.单个脉冲10ms1ms100sDC102图9-5. 最大安全工作区域(SVF4N60K)士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 典型测试电路 12V50K300nF与待测器件 参数一致待测器件VGS3mAVDSVGS10V电荷量QgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDS VGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%t
14、d(on) tontrtd(off) tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =1 -2LIAS2BVDSS BVDSSVDD待测器件待测器件200nF士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 封装外形图 TO-220F-3L 单位: mm 3.300.252.800.304.720.3010.030.30 2.550.2515.750.509.800.502.54 TYPE1.47MAX0.800.150.500.1515.800.506.700.303.200.20TO-26
15、2-3L 单位: mm 0.810.055.083.780.208.650.102.690.104.700.081.270.030.420.051.270.0510.200.082.541.260.068.840.058.760.050.380.02士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 封装外形图（续） TO-252-2L 单位: mm 注：注： 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。6.600.310.100.502.30 TYP2.300.200.00.1276.10.30.800.200.760.101.41.70.450.65Eject pin（note1）2.90REF5.105.460.450.65TO-220-3L 单位: mm 6.107.004.50.210.00.3 1.20.213.10.52.54TYP0.800.200.50.215.116.13.95MAX3.70.21.802.801.300.30士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 封装外形图（续） TO-251J-3L 单位: mm 2.182.390.460.890.460.612.29TYP4.955.466.356.735.976.228.899.650.891.270.640.890.891
