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1、 Confidential目录 前言 性能指标的定义 显示技术分类 优势、劣势 显示技术介绍 CRT 阴极射线管(Cathode Ray Tube) OLED 有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode ) PDP 等离子显示屏(Plasma Display Panel) FED 场发射显示器(Field Emission Display ) LED 发光二极管(Light Emitting Diode) 小结-2-2-Confidential1、分辨率：M列分辨率MN三个亚象素（对应R、G、B三 原色）对应一个象素技术性能指标N行Confidential2、灰度
2、和色数透过率（）100501 2 3 4 5 6 7 8灰度级阈值电压01234施加电压（V）技术性能指标灰度/Grayscale：就是在 白到黑之间分为若干颜色 级别。常用的是28 = 256级灰度，白为255， 黑为0。色数：屏幕能够显示最大 色彩数量就是色数。例如 ：每一个像素有3个亚像 素，一个亚像素有256个 灰度级，整个像素能表现 出来的颜色数就是 2563= 16777216。数据比特数灰度级数彩色显示色数3比特8灰度512色4比特16灰度4096色5比特32灰度32000色6比特64灰度26万色7比特128灰度200万色8比特256灰度1670万色9比特512灰度134百万色1
3、0比特1024灰度1073百万色Confidential技术性能指标3、亮度：亮度的定义是指显示器在白色画面之下明亮的程度, 单位是堪德拉每平米,记为(cd/m2)或称nits。4、对比度：以显示黑图像时的透过率为基准，与显示白图像时的透过率的比值。5、响应速度响应速度是指像素由亮转暗并由暗转亮所需的时间，单位是毫秒。反应速度分为两个部份：Rising（上升）和Falling （下降）；而表示时以两者之和为准。Confidential6、可视角度：可视角度就 是指刚好可以看到 对比度为10以上 的画面的时候视线 与垂直屏幕的平面 的夹角。 技术性能指标Confidential显示技术分类Con
4、fidentialDisplayCRTPDPFEDOLEDLCDMeritFine Quality Brightness Low Price Response Wide viewLarge Response Process step Fine Quality Wide View SlimBrightness Save Power Fine Quality Response Wide view Resolution Light/SlimSimple process Low Price Light/Slim Brightness Save PowerFine Quality Resolution
5、Light/Slim Save Power Large Size available Wide viewDemeritWaste Power Volume/Weight Electro waveResolution Waste Power Voltage Lifetime Process/Mat.Process DevelopingLifetime Materials Not fixResponse Price for Large显示技术优缺点ConfidentialCRT / FPD 特性比较:EXCELLENT :GOOD :ACCEPTABLE :BADLarge SizeHigh Re
6、solutionFull ColorDisplay QualityPower ConsumptionWeightCostPortabilityCRTFLAT CRTLCDPDPFED显示技术优缺点ConfidentialConfidentialConfidential1. 结构图CRTCRTConfidentialCPTCDTCPTCDT- for TV- for Computer Monitor-Stripe type for Color matrix - Low Resolution - High Brightness for TV - Residual light is fast( fo
7、r phosphor) -Dot type for Color matrix - High resolution - Low brightness for resolution - Residual imageCRT2. CPT和CDT的差异Confidential3. CRT的部件成本 CRTConfidential4.Merit & DemeritMeritDemerit 产品制造工艺成熟 技术应用成本低廉 大规模生产所需的部件配套容易重量，厚度都不占优 高耗能 眼疲劳CRT很显然，CRT正在被LCD替代。LCD的内容将在后面具 体介绍。下面要介绍的是同样具有巨大发展潜力的其他显示技术 ，
8、或许它们中的某个在未来的某天替代LCD成为市场主流也 不一定哦ConfidentialOLEDsVAGlass substrateITOHole Injection LayerHole Transport LayerEmitting LayerElectron Transport LayerElectrodeABufferPassivation LayerV1.结构和基本原理OLED的基本结构是由一薄而透明具 半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电 力之正极相连，再加上另一个金属阴 极，包成如三明治的结构。整个结构 层中包括了：电洞传输层(HTL)、发光 层(EL)与电子传输层( ETL)。当
9、电力供 应至适当电压时，正极电洞与阴极电 荷就会在发光层中结合，产生光亮， 依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三 原色，构成基本色彩。OLED的特性 是自己发光，不像TFTLCD需要背光 ，因此可视度和亮度均高，其次是电 压需求低且省电效率高，加上反应快 、重量轻、厚度薄，构造简单，成本 低等。OLEDConfidentialOLEDs2.Passive Color LCD vs Color OLEDConfidentialCellular PhonePagerCamera FinderGame, AutomobileMedical Ins., FALCD backlight Watch, Ce
10、llular Phone Fax Machine LCD ProjectorTV, CDTNotebook PCPDA Camera Video Monitor7 Segment ,Road Sign Car AudioFull ColorFull ColorMono ColorActive MatrixPassive MatrixDot MatrixSegmentFlatLSI Mono-, Multi-Color3.OLED的应用Multi-ColorMulti-ColorMulti-ColorMono ColorOLEDsConfidential4.OEL Elemental Panel
11、 Process FlowITO Anode patterning (Photolitho , Developing , Etching)PR or PI insulating layer patterning (photolitho, Developing)Side Wall cathode separator patterning (Photolitho, Developing)Baking & dryingIR-UV cleaningPre-ProcessPost-Process (Thin film & Encapsulation)Organic Layer Deposition(Th
12、ermal evap.)(HIL, HTL, EML, ETL,HBL etc)Cathode layer deposition (Thermal evap.) (Al, Mg:Ag, Al:Li etc)Encapsulation(sealing with UV sealant) N2(or Ar)& dessicantOxygen Plasma treatment(DC or RF Sputter)OLEDsConfidential绝缘层涂抹玻璃衬底ITO紫外照射绝缘层曝光,显影隔离墙涂抹，曝光.去除未曝光的隔离墙OLEDs隔离柱制备流程ConfidentialITO 阳极隔离柱带隔离柱的
13、ITO基板Glass substrate绝缘层有机薄膜的形成有机层发光层及金属阴极的制备流程金属阴极金属阴极形成 OLEDsConfidentialR,G,B 有机层蒸发过程有机层蒸发金属膜板移动 有机层金属模板玻璃基板ITO 阳极123全色 OLED 发射层 处理OLEDsConfidentialPANEL板封装紫外封装 剂涂抹SUS 界面光干燥剂OLED 面板密封剂的涂抹最后封装面板装配感光层紫 外密封& 紫外处理OLEDsConfidentialCathodeSwitching TFTSignal LineLEP Driving TFTSupply LineStorage Capacit
14、orCapacitorLineScan LineTFT areaPixelCathodeOrganicCathodeLightITOTFTBus LineGlassBankPoli-Si TFT OELD arrayOLEDs5.被动矩阵和等效电路ConfidentialItemsPassive MatrixActive MatrixPhotolithographyPoly-Si TFTMain ProcessProcess Accuracy100 10 Cathode ProcessNeed Patterning DepositionProduc -tion 10 inchPoly-Si P
15、rocess dependencyScreen sizeCostLow Drive IC (when Mass Product)High TFT + IC interior decorationAperture ratio70 80 % 60 %Luminance EfficiencyMax 1/2 1/3 MaxVoltage 10 V 5 VCurrent density 240 mA/cm2 (duty = 1/240) 1 mA/cm2 Cross-TalkYes, Problem Circuit Design & ruleNothingPerfor -manceOLEDs6.AM P
16、M的对比ConfidentialMeritsDemerit1.效应时间应时间 比较长较长 2.很宽宽的可视视角 3.AMOLED响应应速 度很快 4.体积积少 5.原材料成本低 6.PMOLED成本低 7.AMOLED消耗量 小 8.基板可弯曲 9.适用范围围广1. 寿命不足 2. 不稳稳定的良率 3. 颜颜色色数不足7.OLED Merit and Demerit OLEDsConfidentialPlasmaUVPhosphor(R,G,B)Barrier RibVisible LightAddress ElectrodeBack Glass SubstrateSustain ElectrodeDielectricLayerProtection Layer(MgO)Dielectric LayerVisible Light原 理Bus
