目录 可控硅元件的工作原理及基本特性 可控硅元件—可控硅元件的结构 可控硅知识的问与答 可控硅元件—可控硅整流电路 如何鉴别可控硅的三个极 晶闸管的工作原理 可关断晶闸管（GTO） 硅控制开关（SCS） 逆导晶闸管(RCT) 硅双向开关（SBS) 硅单向开关 SUS（单向触发晶体管） 双向触发二极管（DIAC) 固态继电器简介 S/HS 固态继电器原理与应用 向强电冲击的先锋----可控硅 双向触发二极管 固体继电器 SSR 双向触发二极管 单结晶体管（双基极二极管）原理 单结晶体管原理 电动机、变压器的控制 电力电子技术向高频领域发展应重新认识的几个概念 认识变压器、电抗器 光控晶闸管 可控硅整流电路中的波形系数 可控硅元件的工作原理及基本特性 1、工作原理 可控硅是 P1N1P2N2 四层三端结构元件，共有三个 PN 结，分析原理时，可以把它看作由一个 PNP 管和一个 NPN 管所组成，其等效图解如图 1 所示 图 1 可控硅等效图解图 当阳极 A 加上正向电压时，BG1 和 BG2 管均处于放大状态此时，如果从控制极 G输入一个正向触发信号，BG2 便有基流 ib2 流过，经 BG2 放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为 BG2 的集电极直接与 BG1 的基极相连，所以 ib1=ic2此时，电流 ic2 再经 BG1 放大，于是 BG1 的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2这个电流又流回到 BG2 的基极，表成正反馈，使 ib2 不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通 由于 BG1 和 BG2 所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极 G 的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表 1 表 1 可控硅导通和关断条件 状态条件说明从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可维持导通 1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2、基本伏安特性 可控硅的基本伏安特性见图 2 图 2 可控硅基本伏安特性 （1）反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图 3），J2 结正偏，但 J1、J2 结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到 J1 结的雪崩击穿电压后，接差 J3 结也击穿，电流迅速增加，图 3 的特性开始弯曲，如特性 OR 段所示，弯曲处的电压 URO 叫“反向转折电压”此时，可控硅会发生永久性反向击穿 图 3 阳极加反向电压 （2）正向特性 当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图 4），J1、J3 结正偏，但 J2 结反偏，这与普通 PN 结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图 3 的特性发生了弯曲，如特性 OA 段所示，弯曲处的是 UBO 叫：正向转折电压 图 4 阳极加正向电压 由于电压升高到 J2 结的雪崩击穿电压后，J2 结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入 N1 区，空穴时入 P2 区进入 N1 区的电子与由 P1 区通过 J1 结注入 N1 区的空穴复合，同样，进入 P2 区的空穴与由 N2 区通过 J3 结注入P2 区的电子复合，雪崩击穿，进入 N1 区的电子与进入 P2 区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在 N1 区就有电子积累，在 P2 区就有空穴积累，结果使 P2 区的电位升高，N1 区的电位下降，J2 结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图 3 的虚线 AB 段。
这时 J1、J2、J3 三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的 PN 结正向特性相似，见图 2 中的 BC 段 3、触发导通 在控制极 G 上加入正向电压时（见图 5）因 J3 正偏，P2 区的空穴时入 N2 区，N2 区的电子进入 P2 区，形成触发电流 IGT在可控硅的内部正反馈作用（见图 2）的基础上，加上 IGT 的作用，使可控硅提前导通，导致图 3 的伏安特性 OA 段左移，IGT越大，特性左移越快 图 5 阳极和控制极均加正向电压 可控硅元件—可控硅元件的结构 一种以硅单晶为基本材料的 P1N1P2N2 四层三端器件，创制于 1957 年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管 T又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅 SCR 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性它只有导通和关断两种状态可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形 可控硅元件的结构 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由 P 型硅和 N 型硅组成的四层P1N1P2N2 结构见图 1它有三个 PN 结（J1、J2、J3），从 J1 结构的 P1 层引出阳极 A，从 N2 层引出阴级 K，从 P2 层引出控制极 G，所以它是一种四层三端的半导体器件 图 1、可控硅结构示意图和符号图 可控硅知识的问与答 一、可控硅的概念和结构？ 晶闸管又叫可控硅 自从 20 世纪 50 年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个 PN 结，对外有三个电极〔图 2(a)〕：第一层 P 型半导体引出的电极叫阳极 A，第三层 P 型半导体引出的电极叫控制极 G，第四层 N 型半导体引出的电极叫阴极 K。
从晶闸管的电路符号〔图 2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极 G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性 图 2 二、晶闸管的主要工作特性 为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图 3)晶闸管 VS与小灯泡 EL 串联起来， 通过开关 S 接在直流电源上 注意阳极 A 是接电源的正极，阴极 K 接电源的负极，控制极 G 通过按钮开关 SB 接在 3V 直流电源的正极(这里使用的是 KP5 型晶闸管，若采用 KP1 型，应接在 1.5V 直流电源的正极)晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压现在我们合上电源开关 S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关 SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了这个演示实验给了我们什么启发呢? 图 3 这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极 A 与阴极 K 之间外加正向电压， 二是在它的控制极 G 与阴极 K 之间输入一个正向触发电压 晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态 晶闸管的特点： 是“一触即发”。
但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断， 可以断开阳极电源(图 3 中的开关 S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断 三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢? 普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡 R×100 挡位来测大家知道，晶闸管 G、K 之间是一个 PN 结〔图 2(a)〕，相当于一个二极管，G 为正极、K 为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极 G，红表笔接的是阴极 K，剩下的一个就是阳极 A 了测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图 3)接通电源开关 S，按一下按钮开关 SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的 四、晶闸管在电路中的主要用途是什么? 普通晶闸管最基本的用途就是可控整流大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。
现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图 4(a)〕在正弦交流电压 U2 的正半周期间，如果 VS 的控制极没有输入触发脉冲 Ug，VS 仍然不能导通，只有在 U2 处于正半周，在控制极外加触发脉冲 Ug 时， 晶闸管被触发导通 现在， 画出它的波形图 〔图 4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲 Ug 到来时，负载 RL 上才有电压 UL 输出(波形图上阴影部分)Ug 到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug 到来得晚，晶闸管导通的时间就晚通过改变控制极上触发脉冲 Ug 到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值 UL(阴影部分的面积大小)在电工技术中，常把交流电的半个周期定为 180°，称为电角度这样，在 U2 的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角 α； 在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ很明显，α 和 θ 都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的 通过改变控制角 α 或导通角 θ， 改变负载上脉冲直流电压的平均值 UL，实现了可控整流 五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢? 在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。
现在画出电路图和波形图(图 5)，就能看明白了 六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢? 晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路 七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢? 单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个 PN 结和三个电极构成的半导体器件(图 6)我们先画出它的结构示意图〔图 7(a)〕在一块 N 型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极 B1 和第二基极 B2；硅片的另一侧靠近 B2 处制作了一个PN 结，相当于一只二极管，在 P 区引出的电极叫发射极 E为了分析方便，可以把B1、B2 之间的 N 型区域等效为一个纯电阻 RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻 RB2、RB1 的串联〔图 7(b)〕值得注意的是 RB1 的阻值会随发射极电流 IE 的变化而改变，具有可变电阻的特性如果在两个基极 B2、B1 之间加上一个直流电压UBB，则 A 点的电压 UA 为：若发射极电压 UEUbo 时进入负阻区同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用△Ub 表示 △Ub=Ubo-|Ubr| 一般要求 △UbV(B0)时，管子击穿导通进入负阻区同样当 U 大于反向转折电压 V（BR）时，管子同样能进入负阻区转折电压的对称性用△V（B）表示△V（B）=V（B0）-V（BR）一般△V（B）应小于 2 伏双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V由于转折电压都大于20V，可以用万用表。