《海信tpw32v69等离子彩电原理与维修》由会员分享，可在线阅读，更多相关《海信tpw32v69等离子彩电原理与维修（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、海信 TPW32V69 等离子彩电原理与维修MST 机芯与 PHOTOBIA 机芯的区别：方案 项目 PHOTOBIA 机芯 （PWX300+PWX18） MST 机芯 （MST9U19A） HDMI 数字 信号处理 无（外加 SIL9011 或 NOX9011） 有 音效处理 无（外接音效处理 MSP34X0G） 有 10 位 ADC（数模转换） 有 有 GDD R（双倍数据传输速率） 3 片（PW? X300 1 片 PW X18 2 片） PCB（线路板） 4 层（双面贴件） 2 层（单面贴件） MUX 高速切换开 关 无（通过外挂 P15V330Q 来切换） 3 组 3D 视频解码 有
2、 2D 本身芯片 2 只 1 只 八、总线内容： 使用本机遥控器CN-21655， 按菜单键到“声音平衡”选项， 将数值调为0。 连续按动数字键“0、 5、3、2”进入工厂调试状态。屏幕的右上角此时显示一个绿色的“M”。用“频道增减”键选择 要调整的项目，按“音量加减”键调整数据后按“菜单”键退出总线即可。数据此时已经保存或 者按遥控“待机”键让机器 待机，或交流关机即可保存调整数据。 分为 2 组菜单（工厂菜单和设计菜单） FACTORY MEAU（工厂菜单） 白平衡调整项目 含义 参考值 RDRV 红驱动 10 GDRV 绿驱动 10 BDRV 蓝驱动 10 RCUT 红截止 117 GC
3、UT 绿截止 122 BCUT 蓝截止 125 BRIGHT- H 高亮度 80 CONTRAST-H 高对比度 80 BRIGHT-L 低亮度 40 CONTRAST-L 低对比度 40 AUTO CALIBRAT（色温）项目 含义 参考值 AUTO COLOR 自动彩色 标准 RED COLOR 红颜色 117 GREEN COLOR 绿颜色 122 BULE COLOR 蓝颜色 125 LOGO（开机屏显） 菜单语言 （多种语言可选如：英文、汉语、西班牙语等。本机只有 2 种菜单语 言可选） COUNTRY （国家选择有多个国家可选） OPTION（选项）项目 含义 参考值 SOURCE
4、 信号源 电视 BRIGHT 0 亮度为 0 时 10 BRIGHT 50 亮度为 50 时 110 BRIGHT 100 亮度为 100 时 132 CONTRAST 0 对比度为 0 时 60 CONTRAST 50 对比度为 50 时 125 CONTRAST 100 对比度为 100 时 170 TOFAC 工厂状态 U CABLE 连接线 Standard PIXSHIFTNUMER 像素移动数字 1FACTORY INT（生产工厂标识） TEST 测试内容有：OFF（关）/白/蓝/黑/红/绿 VERSION 版本 DESIGN MEAU（设计菜单） 图像模式项目 内容 参考值 标准
5、 亮度 50 对比度 50 色度 45 明亮 亮度 60 对比度 60 色度 50 柔和 亮度 45 对比度 45 色度 45 声音模式项目 内容 参考值 标准 120HZ 11 500HZ 11 15KHZ 12 5KHZ 14 10KHZ 14 音乐 120HZ 13 500HZ 11 15KHZ 12 5KHZ 14 10KHZ 20 语言 120HZ 6 500HZ 12 15KHZ 14 5KHZ 14 10KHZ 14 音量设置 节能 PDP 无此项功能 PIP OPTION （画中画选项） 该机无此项功能 EMI（电 磁骚扰设定） 4项目 内容 参考值 (实际为准) VOLUME
6、 0 无声音时 128 VOLUME 1 声音为 1 时 79 VOLUME 20 声音为 20 时 27 VOLUME 40 声音为 40 时 23 VOLUME 100 声音为 100 时 9 TVPRESCALER 声音优化 2九、场效应管介绍 场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种 极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型 半导体器件，具有输入电阻高（108109） 、噪声小、功耗低、动
7、态? 范围大、易于集成、 没有二次击穿现象、 安全工作区域宽等优点， 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞 争者。 在我们的电视中得到很大的应用， 例如我们熟悉的在高清CRT中的电源/枕校放大管， 平板电视中的电源板，驱动板都大量采用了场效应管，所以了解场效应管的分类、工作原理 及测量方法显的相当重要。 1、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个 PN 结而得名，绝缘栅 型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中， 应用最为广泛的是MOS场效应管， 简称MOS管 （即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）
8、 ； 此外还有PMOS、NMOS 和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的MOS 场效应管、 VMOS 功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和 P 沟道两种。若按导电方式来划分， 场效应管又可分成耗尽型与增强型。 结型场效应管均为耗尽型， 绝缘栅型场效应管既有耗尽 型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管。 而 MOS 场效应晶体管又分为N 沟耗尽型和增强型；P 沟耗尽型和增强型四大类。 2、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母 J 代表结型场效应 管，O 代表绝缘栅场效应管
9、。第二位字母代表 材料，D 是 P 型硅，反型层是 N 沟道；C 是 N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D 是结型 N 沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型 N 沟道场效 应三极管。 第二种命名方法是 CS#，CS 代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表 同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G 等。? 三、场效应管的参数 场效应管的参数 很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： 1） 、I DSS 饱和漏源电流。 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中， 栅极电压U GS=0 时的漏源电流。 2） 、UP 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应
10、管中，使漏源间刚截止时的栅极电 压。 3） 、UT 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4） 、 gM 跨导。 是表示栅源电压UGS 对漏极电流I D 的控制能力， 即漏极电流I D 变 化量与栅源电压UGS 变化量的比值。 gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5） 、 BUDS 漏源击穿电压。 是指栅源电压UGS 一定时， 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。 这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 BUDS。 6） 、PDSM 最大耗散 功率。 也是一项极限参数， 是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。 使用时， 场效应管实际
11、功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。 7） 、IDSM 最大漏源电流。是一项极 限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不 应超过 IDSM? 3、场效应管的作用 1） 、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输 入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2） 、场效应管很高的输 入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3） 、场效应管可以 用作可变电阻。 4） 、场效应管可以方便地用作恒流源。 5） 、场效应管可以用作电子开关。 4、场效应管的测试 1） 、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体
12、管的基极， 源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。 将 万用表置于 R1k 档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的 正、反向电阻相等，均为数 K时，则这两个管脚为漏极 D 和源极 S（可互换） ，余下的一个 管脚即为栅极G。 对于有4个管脚的结型场效应管， 另外一极是屏蔽极 （使用中接地） 。 2） 、 判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极， 红表笔分别碰触另外两个电极。 若两次测出的阻值都 很小，说明均是正向电阻，该管属于 N 沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的， 可以互换使用， 并不影响电路的正常工作，所以不
13、必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。 因为这种管子的输入电阻极高， 栅源间的极 间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子 损坏。 3） 、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到 R100 档，红表笔接源极 S，黑表笔接漏极 D，相当于给场效应管加上 1.5V 的电源电压。这时表针指示出的是 D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极 G，将人体的感应电 压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS 和 ID 都将发生变化，也相当于 D-S 极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆
14、动很小， 说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高， 而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同， 因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子 RDS 减小，使表针向 右摆动，多数管子的 RDS 增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显 地摆动， 就说明管子具有放大能力。 本方法也适用于测 MOS 管。 为了保护 MOS 场效应管， 必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上， 将管子损坏。 MOS 管每次测量完毕，G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起电压 UGS，再接
15、着测时表针 可能不动，此时将 G-S 极间短路一下即可。 5、常用场效用管 1） 、MOS 场效应管? MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor） ，属于绝缘栅型。其主要 特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层， 因此具有很高的输入电阻 （最高可达 1K） 。它也分 N 沟道管和 P 沟道管，符号如图 1 所示。通常是将衬底（基板）与源极 S 接 在一起。根据导电方式的不同，MOSFET 又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当 VGS =0 时管子是呈截止状态，加上正确的 VGS 后，多数载流子被吸引到栅极，从而“
16、增强”了该 区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当 VGS=0 时即形成沟道，加上正确的 VGS 时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以 N 沟道为例，它是在 P 型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区 N+和漏扩散区 N+， 再分别引出源极 S 和漏极 D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图 1（a）符号 中的前头方向是从外向电，表示从 P 型材料（衬底）指身 N 型沟道。当漏接电源正极，源 极接电源负极并使 VGS=0 时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着 VGS 逐渐升高，受栅 极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N 型沟道，当 VGS 大于管子的开启电压 VTN（一般约为+2V）时，N 沟道管开始导通，形成 漏极电流 ID。 国产 N 沟道 MOSFET 的典型产品有 3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管） ， 4DO1（双 栅管） 。它们的管脚排列（底视图）见图 2。 MOS 场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻
