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1、BJTBJT 的开关工作原理：的开关工作原理：形象记忆法形象记忆法 ：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不
2、停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。在这里，Ube 就是小水流，Uce 就是大水流，人就是输入信号。 当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与 Uce 太大） ，导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二
3、极管的反向击穿。PN 结的击穿又有热击穿和电击穿。 当反向电流和反向电压的乘积超过 PN 结容许的耗散功率，直至 PN 结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在 PN 结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于56V 的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于56V的稳压管，雪崩击穿为主。电压在56V 之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用56V 稳压管的原因。在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候
4、，也会有功耗。而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机管脚输出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。但此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区， 而是工作在开关状态 （饱和区） 。 当单片机管脚没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于0。在制造三极管时，要把发射区的 N 型半导体电子浓度做的很大，基区 P 型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成 Ie；但由于发射区的电子浓
5、度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N 型半导体里，形成Ic；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib。理论记忆法：理论记忆法：当 BJT 的发射结和集电结均为反向偏置（VBE0，VBC0） ，只有很小的反向漏电流 IEBO 和 ICBO 分别流过两个结，故 iB 0，iC 0，VCE VCC，对应于下图中的点。这时集电极回路中的c、e 极之间近似于开路，相当于开关断开一样。BJT 的这种工作状态称为截止。当发射结和集电结均为正向偏置（VBE0，VBC0）时，调节RB，使 IB=VCC / RC，则 BJT 工作在上图中的 C 点，集电极电流 iC已接近于最大
6、值 VCC / RC，由于 iC 受到 RC 的限制，它已不可能像放大区那样随着 iB 的增加而成比例地增加了， 此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称为基极临界饱和电流IBS（ ） ，而集电极电流称为集电极饱和电流 ICS（VCC / RC） 。此后，如果再增加基极电流，则饱和程度加深，但集电极电流基本上保持在ICS 不再增加，集电极电压 VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。 这个电压称为 BJT 的饱和压降，它也基本上不随 iB 增加而改变。由于 VCES 很小，集电极回路中的 c、e 极之间近似于短路，相当于开关闭合一样。BJT 的这种工作状态称为饱和。 由于 BJ
7、T 饱和后管压降均为0.3V， 而发射结偏压为0.7V，因此饱和后集电结为正向偏置，即 BJT 饱和时集电结和发射结均处于正向偏置，这是判断 BJT 工作在饱和状态的重要依据。下图示出了型 BJT 饱和时各电极电压的典型数据。由此可见 BJT 相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的电流Ib（偏流），随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变。BJT 截止时相当于开关“断开”，而饱和时相当于开关“闭合”。型 BJT 截止、放大、饱和三种工作状态的特点列于下表中。结型场效应管（结型场效应管（N N N N 沟道沟道 JFETJ
8、FETJFETJFET）工作原理：）工作原理：可将 N 沟道 JFET 看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET 的 d 极、g 极、s 极。“人工”体现了开关的“控制”作用即 vGS。JFET 工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vGS0） ，使 N 沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动， 形成电流 iD。 iD 的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS 由零往负向增大时，PN 结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vGS 绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（iD）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流
9、了。“智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差（vDS）越大时，则人工开关自动智能“生长”。vDS 值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（iD）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。 理论上， 随着 vDS 逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流 iD 增加；另一方面，有了vDS，就在由源极经沟道到漏极组成的 N 型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。 由于N 沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处 PN 结的反向电压也越大，耗尽层也越
10、向 N 型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vDS）越大，则人工开关自动智能“生长”。当开关第一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后 id 趋于饱和。当 vGS0时，将使 PN 结处于正向偏置而产生较大的栅流， 破坏了它对漏极电流 iD 的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管(N(N 沟道增强型沟道增强型 MOSFET)MOSFET)工作原理：工作原理：可将 N 沟道 MOSFET 看作带“人工智能开关”的水龙头。 相对应情况同 JFET。与 JF
11、ET 不同的的是，MOSFET 刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。当在栅源之间加 vGS0， N 型感生沟道（反型层）产生后， 人工开关逐渐打开， 水流 （iD） 也就越来越大。 iD 的大小受“人工开关”vGS 的控制，vGS 由零往正向增大时，则栅极和 P 型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向P 型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子，P 型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的 P 型硅表面便形成了一个 N 型薄层，即导通源极和漏极间的 N 型导电沟道。栅源电压 vGS 越大则半导体表面的电场就越强，吸引到 P 型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。相当于人工开关越接近于打开，流出的水（iD）肯定越来越多了，当你把开关开到一定程度的时候水流就达到最大了。MOSFET的“智能”性与 JFET 原理相同，参上。绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管(N(N 沟道耗尽型沟道耗尽型 MOSFET)MOSFET)工作原理：工作原理：基本上与 N 沟道 JFET 一样， 只是当 vGS0时， N 沟道耗尽型 MOSFET由于绝缘层的存在，并不会产生 PN 结的正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使人工智能开关的控制作用更明显。
