全定制与半定制相结合的设计流程

上传人:mg****85 文档编号:44600059 上传时间:2018-06-14 格式:PDF 页数:8 大小:555.04KB
返回 下载 相关 举报
全定制与半定制相结合的设计流程_第1页
第1页 / 共8页
全定制与半定制相结合的设计流程_第2页
第2页 / 共8页
全定制与半定制相结合的设计流程_第3页
第3页 / 共8页
全定制与半定制相结合的设计流程_第4页
第4页 / 共8页
全定制与半定制相结合的设计流程_第5页
第5页 / 共8页
点击查看更多>>
资源描述

《全定制与半定制相结合的设计流程》由会员分享,可在线阅读,更多相关《全定制与半定制相结合的设计流程(8页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、全定制与半定制相结合的设计流程 -殷富有 一、 实验目的 完成存储器电路带寄生参数的电路网表(SPF 文件)提取,完成存储器 SRAM 的电路级功能验证,完成几何视图(LEF 视图)和时序视图(LIB 视图)的提取; 熟悉使用 hercules、 StarRCXT、 nc_verilog、 nanosim、 abstract等工具软件。 二、 实验过程 2.1 用用 hercules、StarRCXT 完成完成 spf 文件的提取文件的提取 1) 打开命令行终端; 2) 在终端中进入到“/home/vlsi/SRAM/drc_lvs”目录 3) 修改好 smic.lvs 文件中的相应语句。 工

2、艺厂家提供lvs文件名为smic.lvs, gds中的顶层模块名为SRAM,其中需要进行如下配置。 (a) STARRCXT 变量 VARIABLE string STARRCXT = “TRUE“; /导出数据库时使用; VARIABLE string STARRCXT = “FALSE“; /不导出数据库时使用; (b) Header 字段 HEADER FORMAT = GDSII INLIB = ./cdl_gds/SRAM.gds / 指向你的 gds 文件 OUTLIB = err.gds BLOCK = SRAM / gds 中模块的顶层单元名 OUTPUT_FORMAT = G

3、DSII OUTPUT_BLOCK = err SCHEMATIC = ./cdl_gds/SRAM.cdl / 指向你的 cdl 文件 layout_path = ./ SCHEMATIC_FORMAT = SPICE /*ENDOFHEAD*/ (c)端口标签识别规则 TEXT_POLYGON M1.TEXT / 图层为 M1.TEXT 的标签识别为端口 SIZE =0.01 CELL_LIST=SRAM / 在 SRAM 单元中的标签识别为端口 TEXT_LIST=* temp=m1_pin (d)导出 WRITE_EXTRACT_VIEW LIBRARY_NAME = SRAM LIB

4、RARY_PATH = . 4) 在终端中运行“hercules smic.lvs”命令,完毕后查看当前路径下是否生成了 SRAM 目录; 图(1) 生成的 SRAM 文件夹 5) 在终端中进入到“/home/vlsi/ SRAM /spf_ext”目录 6) 修改好 star_cmd 中的相应语句 (a)BLOCK 字段 BLOCK:SRAM / gds 中顶层模块名 (b) MILKYWAY_DATABASE MILKYWAY_DATABASE: ./drc_lvs/SRAM /生成的Milkway数据库文件夹的 路径 (c)指定工艺文件 TCAD_GRD_FILE: ./SmicSP14

5、P_018_log_p1mt6_tran_typ_1833.nxtgrd / 厂家给出的工艺文件 MAPPING_FILE: ./SmicSP14P_018_log_p1mt6_tran_1833.map / 厂家给出的工艺文件 (d)输出文件指定 NETLIST_FILE: SRAM.spf / 你所希望的 spf 文件名 (e)提取参数类型指定 EXTRACTION: R / 提取寄生电阻 EXTRACTION: C / 提取寄生电容 EXTRACTION: RC / 提取寄生电阻和电容 7) 在终端中运行“StarXtract clean star_cmd”命令,运行完毕后查看当前路径下

6、生成的 SRAM.spf 文件; 图(2)生成的 spf 文件 2.2 用用 ncverilog 和和 nanosim 完成电路级功能验证完成电路级功能验证 1) 打开命令行终端 2) 在终端中分别输入 cd SRAM 和 new_verilog v_sim 创建 v_sim 文件夹,将 SRAM.v 和 TESTER.v 复制进改文件夹下, 并修改好相应配置 3) 在终端中运行“run“命令,打开 ncverlog 的模拟界面; 图(3)NC_verilog 仿真波形 测试激励先对 SRAM 所有地址写数据, 然后再把所有地址对应的数据读出来,从波形文件看结果是对的。 4) 在 ncveri

7、log 界面中运行完模拟,查看当前路径下是否生成了SRAM.vcd 文件; 图(4)生成的 SRAM.vcd 文件 5) 在终端中运行“run_vec“命令,查看当前路径下是否生成了SRAM.vec 文件; 图(5)生成的 SRAM.vec 文件 6) 在终端中进入到”/home/vlsi/ SRAM /spf_sim”目录; 7) 在终端中运行“run_nanosim“命令,执行完毕后查看 sim.err 文件,看是否有错误被检测到; 图(6)生成的 sim.fsdb 文件 8) 在终端中运行“cscope“命令,打开 cscope 波形查看工具; 9) 在 cscope 的 file-op

8、en-Plotfile 菜单, 打开 sim.fsdb 波形文件,查看信号与 ncverilog 的模拟结果一致。 2.3 用用 abstract 完成几何视图(完成几何视图(LEF)的提取)的提取 1) 打开命令行终端 2) 在终端中进入到”/home/vlsi/SRAM/lef_ext”目录 3) 启动 icfb,将/home/vlsi/ SRAM /cdl_gds 目录下的 SRAM.gds 文件导入成为 icfb 的库文件。然后退出 图(7)SRAM.gds 文件导入 icfb 图(8)SRAM.gds 成功导入 icfb 4) 在终端中运行“abstract“命令,启动 abstra

9、ct 程序; 图(9)库导入 abstract 5) 在 abstract 程序界面下设置提取 LEF 的配置,按照流程产生 LEF文件 a) 对信号 PIN 设置,其他默认; b) 对信号 PIN 设置,设置 extract signal net,对 blockage设置为 detail 方式; c) 对信号 PIN 设置,设置 extract power net,对 blockage 设置为 shink 方式。 三种情况对应的.LEF 文件分别为附录中的 1.txt、2.txt、3.txt。 2.4 用用 nanosim 完成时序视图(完成时序视图(lib)的提取)的提取 1) 打开命令终端行 2) 在终端中进入到”/home/vlsi/BDC”目录 3) 在终端中运行“run“命令,完毕后查看生成的 bdc.lib 文件 4) 需提取出 Q3:0相对于 CLK 的延时,A0相对于 CLK 的建立保持时间,D0相对于 CLK 的建立保持时间

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 生活休闲 > 科普知识

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号