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1、 谋学网 (单选题) 1: 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ） 。 A: 电压串联负反馈 B: 电压并联负反馈 C: 电流串联负反馈 D: 电流并联负反馈(单选题) 2: 功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（ ） A: 都使输出电压大于输入电压 B: 都使输出电流大于输入电流 C: 都使输出功率大于信号源提供的输入功率(单选题) 3: 在深度负反馈时，放大器的放大倍数（ ） A: 仅与基本放大器有关 B: 仅与反馈网络有关 C: 与二者密切相关 D: 与二者均无关(单选题) 4: 欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入（ ） 。 A: 电压串联
2、负反馈 B: 电压并联负反馈 C: 电流串联负反馈 D: 电流并联负反馈(单选题) 5: 对于放大电路，所谓开环是指（ ） A: 无信号源 B: 无反馈通路 C: 无电源 D: 无负载谋学网 (单选题) 6: 在（ ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦， 近似为水平的直线。 A: 截止区 B: 放大区 C: 饱和区(单选题) 7: 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ） A: 将交流变为直流 B: 将高频变为低频 C: 将交、直流混合量中的交流成分滤掉(单选题) 8: 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( ) A: 输出电压约为 2UD B: 变为半波直流 C
3、: 整流管将因电流过大而烧坏(单选题) 9: 硅二极管完全导通后的管压降约为（ ）A: 0.3 B: 0.5 C: 0.7(单选题) 10: 杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为 （ ） 。 A: N 型半导体 B: P 型半导体 C: 电子型半导体谋学网 (单选题) 11: 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ） A: 前者反偏、后者也反偏 B: 前者正偏、后者反偏 C: 前者正偏、后者也正偏(单选题) 12: 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ） 。 A: 电压串联负反馈 B: 电压并联负反馈 C: 电流串联
4、负反馈 D: 电流并联负反馈(单选题) 13: 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ） A: 减小温漂 B: 增大放大倍数 C: 提高输入电阻(单选题) 14: PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ） A: 变窄 B: 基本不变 C: 变宽(单选题) 15: 通用型集成运放适用于放大( ) A: 高频信号 B: 低频信号 C: 任何频率信号谋学网 (单选题) 16: 使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ） ，电源的负 极接（ ） ，以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（） ，由于稳压管两端电 压变化量很小，使输出电压比较稳定。 A: N 区 P 区
5、串联 B: N 区 P 区 并联 C: P 区 N 区 串联 D: P 区 N 区 并联(单选题) 17: 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是 U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么 U1=2.8V 的那个极是（ ）. A: 发射极 B: 基极 C: 集电极(单选题) 18: 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情 况下，负载上可能获得的最大( ) A: 交流功率 B: 直流功率 C: 平均功率(单选题) 19: 稳压管的稳压区是其工作在（ ） A: 正向导通 B: 反向截止 C: 反向击穿(单选题) 20: 温度升高，晶体管输
6、出特性曲线( ) A: 上移 B: 下移谋学网 C: 不变(单选题) 21: 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ） 。 A: 电压串联负反馈 B: 电压并联负反馈 C: 电流串联负反馈 D: 电流并联负反馈(单选题) 22: 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 （ ） A: 输入电压幅值不变，改变频率 B: 输入电压频率不变，改变幅值 C: 输入电压的幅值与频率同时变化(单选题) 23: 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ） A: 可获得很大的放大倍数 B: 可使温漂小 C: 集成工艺难于制造大容量电容(单选题) 24: 双极型
7、三极管有两种类型：NPN 型和 PNP 型，无论何种类型，内部均包含（ ）PN 结，并引出（ ）电极。 A: 一个 两个 B: 两个 三个 C: 两个 两个 D: 三个 两个(单选题) 25: 直流负反馈是指（ ）谋学网 A: 直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B: 只有放大直流信号时才有的负反馈 C: 在直流通路中的负反馈(多选题) 1: 对比较器的基本要求主要包括（ ） A: 反应灵敏 B: 判断准确 C: 抗干扰能力强 D: 动作迅速,B,C,D(多选题) 2: 功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。 A: 前者比后者电源电压高 B: 前者比后者电压放大倍数数值大 C: 前者比后者效
8、率高 D: 在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大,D(多选题) 3: 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用 时放大倍数数值下降的原因是( )。 A: 耦合电容和旁路电容的存在 B: 半导体管极间电容和分布电容的存在 C: 半导体管的非线性特性 D: 放大电路的静态工作点不合适,B(多选题) 4: 欲实现 Au100 的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压， 应选用( )。 A: 反相比例运算电路 B: 同相比例运算电路 C: 积分运算电路 D: 微分运算电路谋学网 ,C(多选题) 5: 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别
9、注意的参数有( )。A: ICM B: ICBO C: PCM,C(判断题) 1: 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输 出都毫无变化；（ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 2: 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 3: 直接耦合多级放大电路各级的 Q 点相互影响。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 4: 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最 大交流功率。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 5: 运算电路中一般均引入负反馈。 （ ）谋学网 A: 错误 B:
10、正确(判断题) 6: 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 7: 线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在 开关状态。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 8: 当输入电压 UI 和负载电流 IL 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 9: 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 10: 在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变 为原来的一半。 （ ） A:
11、 错误 B: 正确谋学网 (判断题) 11: 有源负载可以增大放大电路的输出电流。( ) A: 错误 B: 正确(判断题) 12: 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 13: 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 14: 因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 15: 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 16: 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压
12、，才能保 证其 RGS 大的特点。 （ ） A: 错误 B: 正确谋学网 (判断题) 17: 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100，将它们连成两级 放大电路，其电压放大倍数应为 10000。( ) A: 错误 B: 正确(判断题) 18: 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （ ） A: 错误 B: 正确(判断题) 19: 运放的输入失调电流 IIO 是两端电流之差。( ) A: 错误 B: 正确(判断题) 20: 在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半 波整流电路输出电流的 2 倍。 （ ） A: 错误 B: 正确谋学网
