《2009年同等学力申硕电子科学与技术真题及答案》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2009年同等学力申硕电子科学与技术真题及答案（27页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、20092009 年同等学力申硕电子科学与技术真题及答案年同等学力申硕电子科学与技术真题及答案本文由考研知道分子贡献pdf 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。天津在职研究生网同等学力频道http:/ 年同等学力人员申请硕士学位 学科综合水平全国统一考试电子科学与技术试卷第一部分 必答题 数值分析 第二部分 选答题（以下课程任选两门） .电磁场与波 .半导体物理 . 激光物理与技术 . 现代电路技术 . 信号处理考生须知1. 本试卷满分为 100 分，包含必答题和选答题两部分，满分 100 分。数值分析满分 30 分， 每位考生必答；选答题满分
2、70 份，包括电磁场与波、半导体物理、激光物理与技术、现 代电路技术和信号处理五门课程，每门课程满分 35 分，考生从中任选 2 门作答，多选者 只按前选 2 门计分。 请考生务必将本人考号最后两位数字填写在本页右上角方框内。 考生一律用蓝色或黑色墨水笔在答题纸指定位置上按规定要求作答，未做在指定位置上 的答案一律无效。 监考员收卷时，考生须配合监考员验收，并请监考员在准考证上签字（作为考生交卷的 凭据） 。否则，若发生答卷遗失，责任由考生自负。 电子科学与技术试卷 第 1 页 共 13 页2. 3. 4.在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 必答题数值分析（满分 30 分） 一、填
3、空题（每空 1 分，共 8 分） 1已知勒让德（Legendre）多项式 P0 ( x) = 1 ， P1 ( x) = x ， P2 ( x) 1 (3x 2 ?1) 。如果近似求 2 = 积公式 f ( x)dx A0 f ( x0 ) + A1 f ( x1 ) (0 1 10下面关于维纳滤波器的说法，不正确的是。A维纳滤波器满足最小均方误差准则 B维纳滤波器的均方误 差与其冲激响应是二次函数关系 C维纳滤波器处于最优时， 估计值的能量等于期望信号的能量 D维纳滤波器仅适合平稳随机信号二、计算题（每小题 5 分，共 15 分） 1已知某离散系统的系统函数为 H ( z ) = ?1.5
4、z ，求它的冲激响应 h(n) 分别为左边 z ? 2.5 z + 12序列、右边序列和双边序列的表达式和相应的收敛域，并指出各序列的因果性和稳定性。 2已知 N = 5 的数据记录为 x(0) = 1, x(1) = 2, x(2) = 3, x(3) = 4, x(4) = 5 ，输入到二阶线性 预测滤波器中，试用莱文森递推法求最优预测滤波器的系数及 x(3) 的预测值 x? (3) 。 3已知平衡序列 x( n) 是 AR (2) 过程，由如下差分方程描述：x(n) = a1 x(n ?1) + a2 x(n ? 2) + w( n)其中 w(n) 是零均值、方差为 2 = 1 的白噪声
5、。求 x(n) 的功率谱密度 S ( ) 。w xx电子科学与技术试卷第 13 页 共 13 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 年同等学力人员申请硕士学位学科综合水平全国统一考试电子科学与技术答案第一 部 分 数值分析一、 （每空 1 分，共 8 分） 1 1 ? 1 3 ?5? ? ? ?9.5? 0.43 e?10 x 35 1 ? 2 ? ? ?1 15? 3 4 16 51 ? 5h 1 + 5h 二、 （10 分） （1） （6 分）选方法二( x) =10 ，验证收敛条件. （若选方法一， （1）的 6 分均不给分） 4+ x（） ? ( x) 是减函数，对一切 x
6、 1, 2 ，有 ? (2) R ? 3 3 ? ? 5 0 rs I (r ) = ? (V ) 2 ? 0 rs (cos 2 + 1 ) 0 rs R(V ) 0 rs R(V ) 0 rs R2设时间因子为 e jt 。采用复数形式的场定律，根据圆极化波的定义，将入射波、反射 波和透射波分别设为： 入射波：E? i = ji?x + i?y Eio e ? jk1 z ；()E H? i = ji?y ?ix io e? jk1 z ； 1()反射波：E? r = i?x E? rox + i? y E? roy e jk1 z ；()1 ? ? ?i y E H? r = 1(rox
7、+ i?y E? roy e jk1 z ；)电子科学与技术试卷参考答案 第 4 页共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ = i?x E?( ox+ i?y E? oy e? jk2 z ；)1 ? ? ? ? H = i E ? i E? e? jk2 z 2 y ox x oy()由电磁场切向分量在 z = 0 的边界面上满足的边界条件有： 1? ? 1? ? ? 得到： jEio = ?1 + 1 ? E ox , E? rox = ?1 ? 1 ? E? ox 2 ? 2 ? 2 ? 2 ? 1? Eio = ?1 + 1 2 ? 2 E? ox = j ? 1
8、? 1 ? ? E? oy , E? roy = ?1 ? ? E? oy 2 ? 2 ? ? ? ? ? ? 1 ? ? 2 Eio , E? rox = j ? 2 1 ? E?io , E? roy = ? 2 ? E io 1 + 2 ? 2 + 1 ? ? 2 + 1 ? ? 1 ? ? jk1 z ? 故，反射波电场为 Er = ji?x + ? y? 2 i ? Eio e + ? 2 1?()所以， E? io 为右旋圆极化波；而 E? ro 为左旋圆极化波。电子科学与技术试卷参考答案 第 5 页共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 35 分） 一、填空题
9、（每空 1 分，共 10 分） 1 饱和性； 2 4N； 3 补偿； 4 ?p = ? p0 ； 5 反阻挡层； 二、选择题（每小题 1.5 分，共 6 分） 1D； 2C； 3C； 4A 111 0 p0 = 指数 反阻挡层ni2 ND ? NA三、简答题（每小题 4 分，共 12 分） 1在电子填充能带上，0K 下，金属的最高填充带是未填满带,而半导体和绝缘体是全填 满电子的；半导体和绝缘体的区别在禁带宽度上，前者较窄，后者较宽。因而金属的 导电性能最好，半导体次之，绝缘体最差。 2反向偏置下，n 区边界处的空穴被势垒区的强电场驱向 p 区，p 区边界处的电子被驱 向 n 区。当这些少子被
10、驱走后，内部的少子就过来补充，形成了反偏下的空穴扩散流 和电子扩散流。这好象少子不断地被抽向对方，称为少子抽取。 3 （1） V = V msWs ? Wm q= 0.9V ；（1.5 分） （2）FB= ?V = ?0.9V ；（1.5 分） （3） V 一部ms ms电子科学与技术试卷参考答案 第 6 页共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 第 7 页共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 姅知搀漀挀 漀琀 漀电子科学与技 术试电子科学与技术试卷参考答案 第 8 页共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 第 9 页共 42 页在
11、新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 奱埥?傰 奸 埥?傰 10 奱电子科学与技术试卷参考答案 第 10 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 第 11 页共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 漀电子科学与技 术试佄? 傰 妅 埥? 傰电子科学与技术试卷参考答案 第 12 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 第 13 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 术试佄? 傰 妼 埥? 傰 孛 埥? 傰 妼 知搀漀挀 漀 ? 琀 漀电子科学与 技 术试 ?佄? 傰 孛 埥?傰 孥 埥?电子科学与技术试卷参考答案 第 14 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 第 15 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 孛 知搀漀挀 漀 琀 漀电子科学与技 术试佄? 傰 汳 埥 傰 泫 埥? 傰电子科学与技术试卷参考答案 第 16 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 第 17 页 共 42 页在新浪微博关注我们 zzyjs： http:/ 漀电子科学与技 术试佄? 傰 泫电子科学与技术试卷参考答案 第 18 页 共 42 页在新浪
