电子元器件标识

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1、附录一 直插电阻色环识别方法直插电阻色环识别方法色环电阻分为：4 色环电阻 5 色环电阻 6 色环电阻本文讲述 4 色环电阻和 5 色环电阻:阅读色环时先将电阻身上有金色或银色的一端放于右边，从左边向右边起，第 1 环代表数值的第 1 位数（即数目字列出在左边的第 1 个数） ，第 2 环代表数值的第 2 位数（即数目字向右的第 2 个数） ，第 3 环代表第 3 位数（即数目字的第 3 个数） ，第 4 环代表电阻值的误差值，常见的金色的误差率为 5 ，银色的为 10 ，当然能选购金色的品种是最好的，但价格会稍高。为便于阅读各颜色与数值的关系，将之列成下表，更易明白。至于半可变及可变电阻的阻

2、值，不会用色环来代表，而是将数值直接印在其外壳上。 当阻值过大时，要用数字列出不容易，常会看错读错，例如 1000000 ,百万欧姆，当写在电路图上，会妨碍电路图的空间，因此要将其简化，用 K 及 M 字来代替其位数，千位（10 3），百万位（10 6）。例如：100000 写成 100K ，上面的 1000000K 可写成 1M 。例：4 环电阻 依次为：棕黑黄银 读为 100000=100K 误差为 10 %例：4 环电阻 依次为：橙白棕银 读为 390 误差为 10 %例：4 环电阻 依次为：橙白红银 读为 3900=3.9K 误差为 10 % 例: 4 环电阻 依次为：橙橙金银 其中橙

3、橙为 33 在乘上 10-1=3.9 误差为10 % 例: 4 环电阻 依次为：黄紫银银 其中黄紫为 47 在乘上 10-2=0.47 误差为10 % 从以上得知,读 0.1-9.9电阻时一定要注意第三色环的标法，因为它是乘的负数。请使用在线色环电阻阻值计算器查询阻值四色环电阻读法四色环电阻读法颜色第 1 位数第 2 位数第 3 位 数第 4 位：误 差黑00 20% 棕111011% 红221022% 橙33103黄44104绿551050.5% 蓝661060.25% 紫771070.1% 灰881080.05% 白99109金 10-15% 银 10-210%五色环电阻读法色 彩数 值数

4、 值数 值乘数(倍率) 误差 代号黑000100 1、误差色环与阻值色环之间的 隔距较大。棕1111011% (F) 红2221022% (G) 橙333103 黄444104 绿5551050.5% (D)2、认色环时，从最边上一条开 始算起。蓝6661060.25%(C) 紫7771070.10%(B)灰8881080.05%例：(1)色环为：黄 紫 红 金阻值 =47102=4700=4.7K 误差 为5%白99910950% 金10-15% (J) 银10-210% (K) 无20% (2)色环为：黄 蓝 黄 棕 棕阻值 =46410=4640=4.64K 误 差为1%附录二附录二 贴

5、片电阻标识方法贴片电阻标识方法附录三附录三 贴片电容的型号命名方法及规则简介贴片电容的型号命名方法及规则简介贴片电容概述：全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，英文缩写：MLCC。贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异， COG 材质常规颜色是黄色，X7R 材质常规以灰色为主。 主要规格尺寸，按英制标准分为：0201、0402、0603、0805、1206；以及大规格的1210、1808、1812、2220、2225、3012、3035 等。 容量范围：0.5pF100uF，其中，一般认为容量在 1uF 以上为

6、大容量电容。 额定电压：从 4V 到 4KV（DC） ，当额定电压在 100V 及以上时，即归纳为中高压产品。片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在对应关系，主要分为三大类别： 一、是以 COG/NPO 为 I 类介质的高频电容器，其温度系数为30ppm/，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于 高频电子线路，如振荡、计时电路等；其容量精度主要为5，以及在容量低于 10pF 时，可选用 B 档（0.1pF） 、C 档（0.25pF） 、D 档 （0.5pF）三种精度。 二、是以 X7R 为 II 类介质的中频电容器，其温度系数为15，电容量相对稳定，适用于各

7、种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为 K 档（10） 。特殊情况下，可提供 J 档（5）精度的产品。 三、是以 Y5V 为 II 类介质的低频电容器，其温度系数为：3080，电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度主要为 Z 档（8020） ，也可选择20 精度的产品。 贴片电容的命名所包含的参数： 1、贴片电容的尺寸（0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225） 2、贴片电容的材质（COG、X7R、Y5V、Z5U、RH、SH） 3、要求达到的精度（0.1PF、0.25PF、0.5PF、5、10、20

8、） 4、电压 （4V 、6.3V、10V、16V、25V、 50V、 100V、 250V、500V、1000V、2000V、3000V） 5、容量 0PF-47UF 6、端头的要求：N 表示三层电极 7、包装的要求 T 表示编带包装，P 表示散包装 例风华系列的贴片电容的命名：如：0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的 08 表示长度是 0.08 英寸（换算成 mm=0.08*24.50=1.96mm） 、05 表示宽度 为 0.05 英寸换算成 mm=0.05*24.50=1.225ccm ，CG ： 是表示生产电容要求用的材质， 102 ：

9、 是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的 2 表示有多少个零 102 10102 也就是1000PF ，J ： 是要求电容的容量值达到的误差精度为 5，介质材料和误差精度是配对的 ，500 ： 是要求电容承受的耐压为 50V 同样 500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。 N ： 是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层） 、镍、锡 ；T ：是指包装方式，T 表示编带包装，B 表示塑料盒散包装。附录四附录四 GB 247081电子设备用电阻器、电容器型号命名方法电子设备用电阻器、电容器型号命名方法附录五附录五 SJ/T1050394电子设备用电位器型号命名方法电子设备用电

10、位器型号命名方法附录六附录六 半导体二极管半导体二极管/ /三极管的型号命名三极管的型号命名1N 是日本电子元件命名法：1 代表有一个 PN 节为二极管。2 代表有两个 PN 节为三极管。 1N4000 系列为硅整流二极管 相关参数如下： 型号 电流 A 耐压值 V 1N4001 1 50 1N4002 1 100 1N4003 1 200 1N4004 1 400 1N4005 1 600 1N4006 1 800 1N4007 1 1000电子行业常用的元件： 整流二极管：1N40014007 检波二极管：1N4148 三极管：9011、9012、9013、9014稳压 IC：7805、7

11、812、7905、7912 运放 IC：LM324、LM386、 （比较器 LM339） 、TD2822 功放 IC：TDA2002、2030 时基 IC：555、556 数字 IC：4001、4011、40106、4066、4017、4060（此类型号在管身都有所标记，具体型号请对应料单或样板进行查询比对）（此类型号在管身都有所标记，具体型号请对应料单或样板进行查询比对）半导体二极管的型号命名 1 国产半导体器件的命名方法 二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 74 规定，由五部分组成。 第一部分：用数字表示器件电极的数目。 第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。 第三部分：

12、用汉语拼音字母表示器件的类型。 第四部分：用数字表示器件序号。 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 1 所示。 表 5 1 国产半导体器件的命名方法 第一部分第一部分 第二部分第二部分 第三部分第三部分 第四部第四部 分分 第五部分第五部分 符号符号 意义意义 字母字母 意义意义 字母字母 意义意义 字母字母 意义意义 意义意义 意义意义 2 A N 型，锗材料 P 普通 B P 型，锗材料 W 稳压 管 X 低频小功率 (fa3MHz ， P c1W) C PNP 型，硅材 料 F 发光 管 D NPN 型，硅材 料 S 隧道 管 A 高频大功率 (fa3MHz ， P c1W)

13、反映二 极管、 三 极管参 数 的差别 反映二极 管、三极管承 受反向击穿电 压的高低。如 A 、 B 、 C 、 D 其 中 A 承受的反 向击穿电压最 低， B 稍高 三极管 E 化合物材料 U 光电 管 T 可控硅 CS 场效应管 BT 特殊器件 2 日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件命名型号由五部分组成。 第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三 极管。 第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。 第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。 第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。 第五部分：表示同一型号的改进型

14、产品。具体符号意义如表 5 2 所示。 表 5 2 日本半导体器件的命名 第一部分第一部分 第二部分第二部分 第三部分第三部分 第四部分第四部分 第五部分第五部分 序号序号 意义意义 符号符号 意义意义 序号序号 意义意义 序号序号 意义意义 序号序号 意义意义 A PNP 高频晶体 管 B NP 低频晶体管 O 光电二极 管 或三极 管 C NPN 高频晶体 管 1 二极管 D NPN 低频晶体 管 E P 控制极可控 硅 G N 控制极可控 硅 H N 基极单结晶 管 2 三极管或 有三个电 极的其他 器件 J P 沟道场效应 管 N 沟道场效应 管 3 四个电极 的器件 S 已在日本 电

15、子工业 协会注 册 登记的 半 导体 器件 M 双向可控硅 多 位 数 字 该器件在日 本电子工业 协会的注册 登记号 A B C D 该器件为原 型号产品的改 进产品 3 美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀。 第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。 第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 3 所示。 表 5 3 美国半导体器件的命名 第一部分第一部分 第二部分第二部分 第三部分第三部分 第四部分第四部分 第五部分第五部分 用符号表示器件用符号表示器件 的类别的类别 用数字表示用数字表示 PNPN 结数目结数目 美国电子工业协会注美国电子工业协会注 册标志册标志 美国电子工业协会登美国电子工业协会登 记号记号 用字母表示器分用字母表示器分 挡挡 序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 JAN 或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美 国电子工业协 会注册登记的 半导 体器件 多位 数 字 该器件在美国 电子工业协的 注册登记号 A B C D 同一