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1、1 A 1、设半导体某能带中电子能量为kE，则能带底部电子的倒有效质量为* nm1_，能带底部附近电子的能量均为E(k)-E(0)=_ 2 闪峰矿中，一个原子与周围4 个原子构成 _，一个原胞中包含 _个原子，3、半导体导带附近电子能量E(k)-E(0)=222 * n22MhzyxKKK，则 K 空间中该处等能面的形状为 _ 4，半导体中载流子的导电机制除了电子导电以外还有_导电5、当半导体的空位和间隙原子成对出现时，这样的缺陷称为_缺陷，若只形成空穴而无间隙原子，则这样的缺陷称为_ 缺陷6，半导体锗导带底部的等能面_个旋转椭球面，椭球的长轴沿_方向及其等价方向7，半导体导带底附近电子能量E
2、(k)=*22 c2/Enmkh，则该处的状态密度为q(E)=_ 8， 某本征半导体导带底和价带底的能级分别为cE 和vE ， 且电子和空穴有效质量相等，则它的费米能级FE =_ 9，根据温度的不同， n 型半导体的杂质浓度电离可分为_区、中间电离区、_区、过渡区、和 _区等五大区域 B 1，金刚石中一个碳原子和周围四个近邻原子构成_结构，它的晶格类型为_ 2、某平面波的表达式为wt)r(k,iAetr，根据德布罗意波长关系与之相联系的自由电能量 E=_，动量 P_ 3，在半导体中，导带底部的等能面是六个_面，当磁感应强度沿任意方向时，将观察到 _个共振吸收峰4，IV 族元素磷掺入半导体硅中，
3、 将形成 _型半导体，而族元素硼掺入硅中，将形成 _型半导体5， 设半导体体积为 V， 若计入电自旋，则在 k 空间中电子的状态密度为_ 6，与基原子具有相同价电子的杂质称为_杂质2 7，当温度T0k，电子能量等于费米能级FE 时，电子占据能级量子态的概率为_，而空穴占据能级量子态的概率为_ 8，本征半导体中电子浓度和空穴浓度的乘积与费米能级无关，而只与温度和_有关9，加入外电场后，半导体中的电子在_运动和 _的共同作用下最终达到恒定运动运动速度。 C 1，一维晶格原胞基矢为a，则它的第一布里渊区为 _ 2，在半导体结构中填满电子的最高能带称为_。未填入电子的最低能带称为_，两相邻能带间不存在
4、能级的能量区域称为_ 3， 半导体能带中的电子能量为E(k)，则位于该能带的电子运动速度V=_用有效质量表示则V=_ 5，半导体导带底部附近电子能量为E(k)-E(0)=*2*2222hlztyx mk mkk，则 k 空间中该处等能面的形状为 _面。7，在绝对零度下，当EFE 时，费米分布函数 f(E)=_ 8，在浅能级杂质中，施主能级很靠近于_，受主能级很靠近于 _ 9，电子和声子在碰撞时将遵从_和_守恒的原则。 D 1， 用半导体硅做回旋共振实验， 当磁场 B 沿1,1,1晶轴方向时，可观察到 _个吸收峰， B 沿1,1,0，晶轴方向，可观察到 _个吸收峰2，如果半导体既有施主杂质，又有
5、受主杂质，则有效浓度为二者_，这称为杂质的补偿作用3，2 00ninp(in 是本征半导体载流子浓度)表明导体处于 _状态，当半导体参杂含量改变时，00n p 的值是否改变？ _，当温度 T 增加时，00n p 的值是否改变？ _ 4，当存在外电场时，半导体中的载流子将做_运动，当载流子浓度不均匀时，将做 _运动5 当电场不是很强时，半导体中的载流子被晶格振动散射，主要发生_散3 射，电场强度达到一定程度时，可能发生_散射6， 将族元素掺入硅中， 所形成的杂质称为 _， 这样的半导体称为 _半导体7，半导体部分载流子电荷为q，温度为 T 时载流子的扩散负数D 和迁移率 u 之间存在的关系 _，
6、这一关系成为爱因斯坦关系8，半导体中的空穴在外电场的作用下，在寿命t 时间内所漂移的距离，称为空穴的_ E 1，在铅锌矿中每个原子和周围四个原子构成_，它具有 _ 对称性，而不是立方对称性2，原子在形成半导体的过程中，原来一系列简并的能级形成了准连续的_ 3，砷化镓的导带极小值位于布里渊区中的k=_，该处等能面的形状是_ 4，半导体费米能级为FE ，导带底和价带顶能量分别为cE 和vE ，导带底和价带顶有效状态密度分别为cN 和vN ，则导带电子浓度为n=_，价带空穴浓度为 P=_ 5， 含一种杂质的n 型半导体，在低温弱电离区电子的激发主要来源于_而_则可以忽略6，硅的导带底部存在六个等能面
7、，当一个等能面散射到另一个等能面时，这种散射称为 _散射，如果从 1,0,0方向的等能面散射到 - 1,0,0方向等能面，则这种散射称为 _散射 ,如果从 1,0,0方向的等能面散射到0,1,0方向的等能面，则这种散射称为 _散射7，半导体中的非平衡载流子，如通过导带和禁带的跃迁实现复合，则称为_，如通过禁带中的能级实现复合则称为：_ 8，深能级在职对非平衡载流子的复合作用比浅能级杂质更_ （填大或者小） F 1，锗的导带底部等能面形状为_，这样的等能面有 _个2，锑代铟的导带极小值位于k=_处，极小值附近等能面形状为_ 3，锗在砷化镓中既可以取代镓表现为_又取代砷表现为 _这称为杂质的双性行
8、为4 4，设半导体的费米能级为FE ，当温度为 T 时，占据能级 E 上量子状态的概率为f(E)=_ ，而占据受主能级AE 上的量子状态概率为 _ 5， 本征半导体导带底和价带顶的能量分别为cE 和vE ， 导带和价带有效状态密度为cN 和vN ，则当温度为 T 的时候载流子浓度为00n p =_ ，半导体的费米能级为FE =_ 6，当电场很强时， 半导体中载流子的有效温度T _半导体晶格温度 T（填高于或低于），这种载流子称为 _ 7，处于非平衡态的半导体，载流子浓度乘积np_平衡时载流子的浓度00n p (填大于或小于 ) 8，非平衡载流子复合过程中放出的的能量的方式有三种，分别是_，_和
9、俄歇复合 G 1，n 型半导体导带底附近等能面形状为_，这样的等能面共有 _个2，如果电荷 -q，则空穴所带电量为 _，空穴有效质量为 _（填正或负）3，族元素掺入硅中，所形成的杂质称为_杂质，族元素掺入硅中所形成的杂质称为 _ 杂质4，半导体导带底附近能带函数为)k(2E2 22 1 k ltCmmkhE，则在该处 K 空间中的电子的等能面形状为 _ 5，设半导体费米能级是FE ，则温度是 T 时，电子占据能量为 E 的量子态概率是f(E)=_, 若 施 主 杂 质 能 级 为DE则 电 子 占 据DE上 量 子 态 的 概 率 为_ 7，半导体中载流子被电离杂质散射时，杂质浓度越大散射概率
10、越_温度越高，散射概率越 _ 8，根据复合发生的位置，半导体中非平衡载流子的复合可分为_复合和5 _ 复合两种。 H 1，闪锌矿的晶格类型是 _，它的倒格子是 _而他的第一布里渊区形状为_ 2，晶体中电子波函数是一个被_所调制的晶格周期函数，这一结论称为_ 定理3, 已 知 半 导 体 的 费 米 能 级 为FE， 则T0k时 ， 若EFE 则分布函数 f(E)=_1/2 4，本征半导体电子浓度0n 和空穴浓度0p 的乘积与费米能级 _，与禁带宽度_ （填有关或无关），这一结论 _ 于掺杂半导体 （填适用或不适用）5，波尔兹曼方程严格解是困难的，通常运用_ 近似6，半导体内电流超过mv/103
11、3时，半导体内电流将以很高的频率振荡，这一现象称为 _ 7，从微观机制上看表面复合属于_（填直接或间接）8，非平衡载流子浓度减少初始值的_ 时，所经历的时间称为非平衡载流子寿命，它的复合概率 p 的关系为=_ I 1，从能带结构的观点看，若不考虑电子激发，导体的导带上_电子，半导体的导带上 _电子（有或没有）2，如果半导体的价带上存在一个未被电子填充的空状态，我们称价带上存在一个_ 3，体积为 V 的半导体导带底附近能带函数为E(k)=*222Encmkh，* nm 是导带底电子的有效质量， 则在 k 空间中的电子的状态密度为_，单位能量间隔内电子的状态密度为 _ 4，设半导体中电子浓度和空穴
12、浓度分别为0n 和0p ，则本征半导体电中性条件为_ 5，在外电场作用下半导体的载流子将作为_和_两种运动，最终以恒定速度运动6 6，载流子在连续两次散射之间的时间间隔称为_ ，它与散射概率p的关系为=_ 7，设半导体禁带中心能级为iE 复合中心能级为tE （tE tE 时称半导体处于 _区；当tE FE ， 则有 f(E)=_,， 半导体晶格振动引起的散射有_散射和 _ 散射两种4 设半导体的电导率为，外电场为 E，其闪电流密度为J，则欧姆定律可用于上述参量表述为 _ ，若半导体中的电子和空穴浓度分别为n 和 p，相应的迁移率为n和p，载流子所带电荷为q，则电导率=_ 5，半导体中晶格振动引起的散射主要有_ 散射和 _散射两种。6， 电子和声子的散射过程遵循能量守恒和_ 和守恒定律7，在半导体中产生非平衡载流子的主要有_ 和_ 两种8，非平衡载流子浓度越 _ ，准费米面能级离费米能级越远
