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1、太阳能光伏技术太阳能光伏技术 1太阳能概况2光伏效应3太阳能电池4多晶硅及其池光电转换材料5晶体硅太阳电池及材料6非晶硅太阳电池7非晶硅 (-硅)太阳能技术8多晶薄膜与薄膜太阳电池9多晶硅薄膜太阳电池10世界太阳能开发利用现状1121 世纪我国太阳能利用发展趋势12国内外太阳电池和光伏发电的进展与前景1320 世纪太阳能科技发展的回顾与展望14光伏板 :与太阳一同升起的希望15光伏水泵系统16光伏发电系统中逆变电源的原理与实现17平板玻璃工业新技术18热壁外延(HWE)在导电玻璃上生长 GaAs19科普知识1 1太阳能概况太阳能概况太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源,生物质能、风能、海洋
2、能、水能等都 来自太阳能,广义地说,太阳能包含以上各种可再生能源。太阳能作为可再生能源的一种, 则是指太阳能的直接转化和利用。通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳 能热利用技术,再利用热能进行发电的称为太阳能热发电,也属于这一技术领域;通过转 换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能光发电技术,光电转换装置通常是利用 半导体器件的光伏效应原理进行光电转换的,因此又称太阳能光伏技术。 二十世纪 50 年代,太阳能利用领域出现了两项重大技术突破:一是 1954 年美国贝尔 实验室研制出 6的实用型单晶硅电池,二是 1955 年以色列 Tabor 提出选择性吸收表面概 念和理论并研制
3、成功选择性太阳吸收涂层。这两项技术突破为太阳能利用进入现代发展时 期奠定了技术基础。 70 年代以来,鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加,世界上许多国家掀起了 开发利用太阳能和可再生能源的热潮。1973 年,美国制定了政府级的阳光发电计划,1980 年又正式将光伏发电列入公共电力规划,累计投入达 8 亿多美元。1992 年,美国政府颁布 了新的光伏发电计划,制定了宏伟的发展目标。日本在 70 年代制定了“阳光计划” ,1993 年将“月光计划” (节能计划) 、 “环境计划” 、 “阳光计划”合并成“新阳光计划” 。德国等 欧共体国家及一些发展中国家也纷纷制定了相应的发展计划。90 年代
4、以来联合国召开了一 系列有各国领导人参加的高峰会议,讨论和制定世界太阳能战略规划、国际太阳能公约, 设立国际太阳能基金等,推动全球太阳能和可再生能源的开发利用。开发利用太阳能和可 再生能源成为国际社会的一大主题和共同行动,成为各国制定可持续发展战略的重要内容。自“六五”以来我国政府一直把研究开发太阳能和可再生能源技术列入国家科技攻关 计划,大大推动了我国太阳能和可再生能源技术和产业的发展。二十多年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足 发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。 2 2光光 伏伏 效效 应应 光生伏特效应简称为光伏效应,指光照使不均匀半导体或半导体
5、与金属组合的不同部 位之间产生电位差的现象。产生这种电位差的机理有好几种,主要的一种是由于阻挡层的存在。以下以 P-N 结为 例说明。 热平衡态下的热平衡态下的 P-NP-N 结结 P-N 结的形成:同质结可用一块半导体经掺杂形成 P 区和 N 区。由于杂质的激活能量 E 很小,在室 温下杂质差不多都电离成受主离子 NA-和施主离子 ND+。在 PN 区交界面处因存在载流子的浓 度差,故彼此要向对方扩散。设想在结形成的一瞬间,在 N 区的电子为多子,在 P 区的电 子为少子,使电子由 N 区流入 P 区,电子与空穴相遇又要发生复合,这样在原来是 N 区的 结面附近电子变得很少,剩下未经中和的施
6、主离子 ND+形成正的空间电荷。同样,空穴由 P 区扩散到 N 区后,由不能运动的受主离子 NA-形成负的空间电荷。在 P 区与 N 区界面两侧产 生不能移动的离子区(也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层) ,于是出现空间电偶层,形成内 电场(称内建电场)此电场对两区多子的扩散有抵制作用,而对少子的漂移有帮助作用, 直到扩散流等于漂移流时达到平衡,在界面两侧建立起稳定的内建电场。热平衡下 P-N 结模型及能带图P-N 结能带与接触电势差:在热平衡条件下,结区有统一的 EF;在远离结区的部位,EC、EF、E之间的关系与结 形成前状态相同。从能带图看,N 型、P 型半导体单独存在时,EFN与 EFP有一
7、定差值。当 N 型与 P 型两者 紧密接触时,电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动,空穴流动的方向相反。 同时产生内建电场,内建电场方向为从 N 区指向 P 区。在内建电场作用下,EFN将连同整个 N 区能带一起下移,EFP将连同整个 P 区能带一起上移,直至将费米能级拉平为 EFN=EFP,载 流子停止流动为止。在结区这时导带与价带则发生相应的弯曲,形成势垒。势垒高度等于 N 型、P 型半导体单独存在时费米能级之差: qUD=EFN-EFP 得 UD=(EFN-EFP)/q q:电子电量 UD:接触电势差或内建电势 对于在耗尽区以外的状态: UD=(KT/q)ln(NAND/ni2
8、) NA、ND、ni:受主、施主、本征载流子浓度。 可见 UD与掺杂浓度有关。在一定温度下,P-N 结两边掺杂浓度越高,UD越大。 禁带宽的材料,ni较小,故 UD也大。 光照下的光照下的 P-NP-N 结结 P-N 结光电效应: 当 P-N 结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能 引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因 P 区产生的光生空穴,N 区产生 的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结。只有 P 区的光生电子和 N 区的光生空穴和 结区的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子 被拉向 N 区,光生空穴被拉向
9、P 区,即电子空穴对被内建电场分离。这导致在 N 区边界附 近有光生电子积累,在 P 区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡 P-N 结的内 建电场方向相反的光生电场,其方向由 P 区指向 N 区。此电场使势垒降低,其减小量即光 生电势差,P 端正,N 端负。于是有结电流由 P 区流向 N 区,其方向与光电流相反。实际上,并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。设 N 区中空穴在寿命 p的时间内扩散距离为 Lp,P 区中电子在寿命 n的时间内扩散距离为 Ln。Ln+Lp=L 远大 于 P-N 结本身的宽度。故可以认为在结附近平均扩散距离 L 内所产生的光生载流子都对光 电流有贡献
10、。而产生的位置距离结区超过 L 的电子空穴对,在扩散过程中将全部复合掉, 对 P-N 结光电效应无贡献。 光照下的光照下的 P-NP-N 结电流方程:结电流方程:与热平衡时比较,有光照时,P-N 结内将产生一个附加电流(光电流)Ip,其方向与 P-N 结反向饱和电流 I0相同,一般 IpI0。此时 I=I0eqU/KT - (I0+Ip) 令 Ip=SE,则 I=I0eqU/KT - (I0+SE) 开路电压 Uoc:光照下的 P-N 结外电路开路时 P 端对 N 端的电压,即上述电流方程中 I=0 时的 U 值: 0=I0eqU/KT - (I0+SE) Uoc=(KT/q)ln(SE+I0
11、)/I0(KT/q)ln(SE/I0) 短路电流 Isc:光照下的 P-N 结,外电路短路时,从 P 端流出,经过外电路,从 N 端流入的电流称为 短路电流 Isc。即上述电流方程中 U=0 时的 I 值,得 Isc=SE。Uoc与 Isc是光照下 P-N 结的两个重要参数,在一定温度下,Uoc与光照度 E 成对数关系, 但最大值不超过接触电势差 UD。弱光照下,Isc与 E 有线性关系。a)无光照时热平衡态,NP 型半导体有统一的费米能级,势垒高度为 qUD=EFN-EFP。 b)稳定光照下 P-N 结外电路开路,由于光生载流子积累而出现光生电压 Uoc不再有统 一费米能级,势垒高度为 q(
12、UD-Uoc)。 c)稳定光照下 P-N 结外电路短路,P-N 结两端无光生电压,势垒高度为 qUD,光生电子 空穴对被内建电场分离后流入外电路形成短路电流。 d)有光照有负载,一部分光电流在负载上建立起电压 Uf,另一部分光电流被 P-N 结因 正向偏压引起的正向电流抵消,势垒高度为 q(UD-Uf)。3 3太阳能电池太阳能电池电池行业是世纪的朝阳行业,发展前景十分广阔。在电池行业中,最没有污染、 市场空间最大的应该是太阳能电池,太阳能电池的研究与开发越来越受到世界各国的广泛 重视。太阳的光辉普照大地,它是明亮的使者,太阳的光除了照亮世界,使植物通过光合作 用把太阳光转变为各种养分,供人们食
13、用,产生纤维质供人们做衣 服,生长木材给我们建筑房屋以外,太阳的光还可以通过太阳能电 池转变为电。太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池。太阳 能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为 电能的一种器件,这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”, 因此太阳能电池又称为“光伏电池”,用于太阳能电池的半导体材 料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊物质,和任何物质的原子一样,半导体的原子也是 由带正电的原子核和带负电的电子组成,半导体硅原子的外层有 4 个电子,按固定轨道围 绕原子核转动。当受到外来能量的作用时,这些电子就会脱离轨道而成为自由电子,并在 原来的位置上留下一个“空穴”,
14、在纯净的硅晶体中,自由电子和空穴的数目是相等的。 如果在硅晶体中掺入硼、镓等元素,由于这些元素能够俘获电子,它就成了空穴型半导体, 通常用符号 P 表示;如果掺入能够释放电子的磷、砷等元素,它就成了电子型半导体,以 符号 N 代表。若把这两种半导体结合,交界面便形成一个 PN 结。太阳能电池的奥妙就 在这个“结”上,PN 结就像一堵墙,阻碍着电子和空穴的移动。当太阳能电池受到阳光 照射时,电子接受光能,向 N 型区移动,使 N 型区带负电,同时空穴向 P 型区移动,使 P 型区带正电。这样,在 PN 结两端便产生了电动势,也就是通常所说的电压。这种现象 就是上面所说的“光生伏打效应”。如果这时
15、分别在 P 型层和 N 型层焊上金属导线,接通 负载,则外电路便有电流通过,如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就 能产生一定的电压和电流,输出功率。制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此 太阳电池的种类也很多。目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。1953 年美国贝尔研究所首先应用这个原理试制成功硅太阳电池,获 得 6%光电转换效率的成果。太阳能电池的出现,好比一道曙光,尤 其是航天领域的科学家,对它更是注目。这是由于当时宇宙空间技 术的发展,人造地球卫星上天,卫星和宇宙飞船上的电子仪器和设 备,需要足够的持续不断的电能,而且要求重量轻,寿命长,使用 方
16、便,能承受各种冲击、振动的影响。太阳能电池完全满足这些要 求,1958 年,美国的“先锋一号”人造卫星就是用了太阳能电池作 为电源,成为世界上第一个用太阳能供电的卫星,空间电源的需求 使太阳电池作为尖端技术,身价百倍。现在,各式各样的卫星和空 间飞行器上都装上了布满太阳能电池的“翅膀”,使它们能够在太 空中长久遨游。我国 1958 年开始进行太阳能电池的研制工作,并 于 1971 年将研制的太阳能电池用在了发射的第二颗卫星上。以太 阳能电池作为电源可以使卫星安全工作达 20 年之久,而化学电池 只能连续工作几天。空间应用范围有限,当时太阳电池造价昂贵,发展受到限。70 年代初,世界石油危机促进 了新能源的开发,开始将太阳电池转向地面应用,技术不断进步,光电转换效率提高,成 本大幅度下降。时至今日,光电转换已展示出广阔的应用前景。太阳能电池近年也被人们用于生产、生活的许多领域。从 1974 年世界上第一架太阳 能电池飞机在美国首次试飞成功以来,激起人们对太阳能