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1、电脑硬件入门知识全解之电脑硬件入门知识全解之 四四电脑硬件入门知识全解之 四.txt 大人物的悲哀在于他们需要不停地做出选择；而小人物的悲哀在于他们从来没有选择的机会。男人因沧桑而成熟，女人因成熟而沧桑。男人有了烟，有了酒，也就有了故事；女人有了钱，有了资色，也就有了悲剧。电脑硬件入门知识全解之二：内存篇！2008-01-12 00:56 电脑硬件入门知识全解之二：内存篇！内存对整体运行速度是很有影响的，2.4G 的 P4 如果只有 128M 的内存还比不上 1.7G 的 384M 赛扬，可见内存影响很大，也许 256 的赛扬也可以比得上 2.4G 的 P4，可能，后者没试过。 。 。下面具体
2、说说内存方面。 。 。 还是写一下顺序吧：动态随机存取内存 DRAM，随机存取内存 RAM，内存双通道，延迟描述(CL)，SPD ，DDR1(2，3) =动态随机存取内存 DRAM：DRAM 是 Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见=随机存取内存 RAM：随机存取内存 RAM ( Random Access Memory)：RAM 是可被读取和写入的内存，我们在写资料到 RAM 内存时也同时可从 RAM 读取资料，这和 ROM 内存有所不同。但是
3、RAM 必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在 RAM 里头的资料将随之消失。=内存双通道：双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的 i820 芯片组，它与 RDRAM 内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后
4、被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对 RDRAM 的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道 DDR 内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875 系列，而 AMD 方面则是NVIDIA Nforce2 系列。 双通道内存技术是解决 CPU 总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在 CPU 的 FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4 比 AMD Athlon XP 对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4 处理器与北桥芯片的数据传输采用 QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其 FSB 是外频的 4
5、倍。英特尔 Pentium 4 的 FSB 分别是 400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec 和 6.4GB/sec，而 DDR 266/DDR 333/DDR 400 所能提供的内存带宽分别是 2.1GB/sec，2.7GB/sec 和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR 内存无法提供 CPU 所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道 DDR 266、DDR 333、DDR 400 所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec 和 6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400 内存刚
6、好可以满足 800MHz FSB Pentium 4 处理器的带宽需求。而对 AMD Athlon XP 平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用 DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB 是外频的 2 倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4 平台，其 FSB 分别为 266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec 和 3.2GB/sec，使用单通道的 DDR 266、DDR 333、DDR 400 就能满足其带宽需求，所以在 AMD K7 平台上使用双通道 DDR 内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如
7、英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。 NVIDIA 推出的 nForce 芯片组是第一个把 DDR 内存接口扩展为 128-bit 的芯片组，随后英特尔在它的 E7500 服务器主板芯片组上也使用了这种双通道 DDR 内存技术，SiS 和 VIA 也纷纷响应，积极研发这项可使 DDR 内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道 DDR（128 bit 的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM 内存和 RDRAM 内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道 RDRAM
8、内存芯片组的难度和成本都不算太高。但 DDR SDRAM 内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当 DDR SDRAM 工作频率高于400MHz 时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道 DDR 内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。 普通的单通道内存系统具有一个 64 位的内存控制器，而双通道内存系统则有 2 个 64 位的内存控制器，在双通道模式下具有 128bit 的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双 64 位内存体系所提供的带宽等同于一个 1
9、28 位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为 B。当控制器 B 准备进行下一次存取内存的时候，控制器 A 就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性“可以让等待时间缩减 50%。双通道 DDR 的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM 内存条，此时双通道 DDR 简单地调整到最低的内存标准来实现128
10、bit 带宽，允许不同密度/等待时间特性的 DIMM 内存条可以可靠地共同运作。 支持双通道 DDR 内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的 865P、865G、865GV、865PE、875P 以及之后的 915、925 系列；VIA 的 PT880，ATI 的 Radeon 9100 IGP 系列，SIS 的 SIIS 655，SIS 655FX 和 SIS 655TX；AMD 平台方面则有 VIA 的KT880，NVIDIA 的 nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。 AMD 的 64 位 CPU，由于集成了内存控制器
11、，因此是否支持内存双通道看 CPU 就可以。目前 AMD 的台式机 CPU，只有 939 接口的才支持内存双通道，754 接口的不支持内存双通道。除了 AMD 的 64 位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。 内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在 BIOS 做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以
12、可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如 cpu-z，比较小巧。在“memory“这一项中有“channels“项目，如果这里显示“Dual“这样的字，就表示已经实现了双通道。两条 256M 的内存构成双通道效果会比一条 512M 的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。 =延迟描述(CL)：CL 反应时间是衡定内存的另一个标志。CL 是 CAS Latency 的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU 的指令后的反应速度。一般的参数值是 2 和 3 两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的 PC133 内存标准中，这个数值规定为 3
13、，而在 Intel 重新制订的新规范中，强制要求 CL 的反应时间必须为 2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及 PCB 的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。 打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。 这条规则双双适用于基于英特尔以及 AMD 处理器的系统中。由于没有比 2-2-2-5 更低的延
14、迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现 0 或者 1 的延迟。 通常情况下，我们用 4 个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如 2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是 CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是 RAS-CAS 延迟，接下来的两个数字分别表示的是 RAS 预充电时间和 Act-to-Precharge 延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。 如图所示，我们可以看到 Crucial DDR333 内存的延迟图表。通过这张图表，我们可以看出延迟数字所表示的含义。以最上面的 CL=2的内存为例，图中分别
15、有 CAS2，CAS2.5 以及 CAS3 三种延时。注意垂直的虚线，它表示的是时钟信号的上升沿或下降沿。由于这是一款 DDR 内存，因此，一个时钟周期内含有两个点。 CAS latency 是注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟。CAS latency 的单位是时钟周期。 一块延迟设置为 2-2-2-5 的 DDR 内存，其性能要高出延迟为 3-4-4-8 的 DIMM。这是因为前者接收到一条指令，找回数据以及送回数据的延迟要比后者要短。 体现在 BIOS 设置里，还有很多相关的选项： 在 BIOS 主界面的 Advanced Chipset Features 选项子界面中大家可以看到： SDRAM Frequency Configure SDRAM Timing by SPD SDRAM CAS# Latency 简称 CL SDRAM RAS# Precharge 简称 TRP SDRAM RAS# to CAS# Delay 简称 TRCD SDRAM Precharge Delay 简称 TRAS SDRAM Burst Length 简称 BL 具体在选项的描述上可能有差异，更多详细请参考附录 1。 其实内存延迟的调节一定意义上也是超频的一种手段，但是它是在最低危险程度下根据内存的自身条件做出的调节，也就是说，在内存的反应程度
