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1、晶体管的发展历史晶体管的发展历史1947 年年 12 月,美国贝尔实验室贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶锗晶体管体管。晶体管的问世,是 20 世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件,来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。 晶体管的发明晶体管的发明,最早可以追溯到 1929 年年,当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是,限于当时的技术水平,制造这种器件的材料达不到足够的纯度,而使这种晶体管无法制造出来。 在为这种器件命名时,布拉顿想到它的电阻
2、变换特性,即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的,于是取名为 trans-resister(转换电阻),后来缩写为 transister,中文译名就是晶体管。 1956 年,肖克莱、巴丁、布拉顿肖克莱、巴丁、布拉顿三人,因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖诺贝尔物理学奖。 【晶体管的发展历史及其重要里程碑晶体管的发展历史及其重要里程碑】1947 年 12 月 16 日:威廉邵克雷(William Shockley)、约翰巴顿(John Bardeen)和沃特布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管第一个晶体管。1950 年:威廉邵克雷开
3、发出双极晶体管双极晶体管(Bipolar Junction Transistor),这是现在通行的标准的晶体管。1953 年:第一个采用晶体管的商业化设备投入市场,即助听器。1954 年 10 月 18 日:第一台晶体管收音机 Regency TR1 投入市场,仅包含 4 只锗晶体管。1961 年 4 月 25 日:第一个集成电路专利被授予罗伯特诺伊斯(Robert Noyce)。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够,但是新的电子设备要求规格更小的晶体管,即集成电路。1965 年:摩尔定律诞生。当时,戈登摩尔(Gordon Moore)预测,未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10 年
4、后修正为每两年),摩尔定律在 Electronics Magazine 杂志一篇文章中公布。1968 年 7 月:罗伯特诺伊斯和戈登摩尔从仙童(Fairchild)半导体公司辞职,创立了一个新的企业,即英特尔公司,英文名Intel为“集成电子设备(integrated electronics)”的缩写。1969 年:英特尔成功开发出第一个 PMOS 硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质,但是引入了新的多晶硅栅电极。1971 年:英特尔发布了其第一个微处理器第一个微处理器4004。4004 规格为 1/8 英寸 x 1/16 英寸,包含仅 2000 多个晶体管,采用英特尔 10
5、 微米 PMOS 技术生产。1978 年:英特尔标志性地把英特尔 8088 微处理器微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部,武装了 IBM新产品 IBM PC 的中枢大脑。16 位 8088 处理器含有 2.9 万个晶体管,运行频率为 5MHz、8MHz 和10MHz。8088 的成功推动英特尔进入了财富(Forture) 500 强企业排名, 财富(Forture)杂志将英特尔公司评为“七十大商业奇迹之一(Business Triumphs of the Seventies)”。1982 年:286 微处理器(又称 80286)推出,成为英特尔的第一个 16 位处理器,可运行为英特尔前一代产
6、品所编写的所有软件。286 处理器使用了 13400 个晶体管,运行频率为 6MHz、8MHz、10MHz 和12.5MHz。1985 年年:英特尔 386微处理器微处理器问世,含有 27.5 万个晶体管,是最初 4004 晶体管数量的 100 多倍。386 是 32 位芯片,具备多任务处理能力,即它可在同一时间运行多个程序。1993 年:英特尔奔腾处理器问世,含有 3 百万个晶体管,采用英特尔 0.8 微米制程技术生产。1999 年 2 月:英特尔发布了奔腾III 处理器。奔腾 III 是 1x1 正方形硅,含有 950 万个晶体管,采用英特尔 0.25 微米制程技术生产。2002 年 1
7、月:英特尔奔腾 4 处理器推出,高性能桌面台式电脑由此可实现每秒钟 22 亿个周期运算。它采用英特尔 0.13 微米制程技术生产,含有 5500 万个晶体管。2002 年 8 月 13 日:英特尔透露了 90 纳米制程技术的若干技术突破,包括高性能、低功耗晶体管,应变硅,高速铜质接头和新型低-k 介质材料。这是业内首次在生产中采用应变硅。2003 年 3 月 12 日:针对笔记本的英特尔迅驰移动技术平台诞生,包括了英特尔最新的移动处理器“英特尔奔腾奔腾 M 处理器”。该处理器基于全新的移动优化微体系架构,采用英特尔 0.13 微米制程技术生产,包含 7700 万个晶体管。2005 年 5 月
8、26 日:英特尔第一个主流双核处理器双核处理器“英特尔奔腾 D 处理器”诞生,含有2.3 亿亿个晶体管,采用英特尔领先的 90 纳米制程技术生产。2006 年 7 月 18 日:英特尔安腾2 双核处理器双核处理器发布,采用世界最复杂的产品设计,含有 17.2 亿亿个晶体管。该处理器采用英特尔 90 纳米制程技术生产。2006 年 7 月 27 日:英特尔酷睿2 双核处理器诞生。该处理器含有 2.9 亿多个晶体管,采用英特尔 65 纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。2006 年 9 月 26 日:英特尔宣布,超过 15 种 45 纳米制程产品正在开发,面向台式机、笔记本和企业级计算市场,
9、研发代码 Penryn,是从英特尔酷睿微体系架构派生而出。2007 年 1 月 8 日:为扩大四核 PC 向主流买家的销售,英特尔发布了针对桌面电脑的 65 纳米制程英特尔酷睿2 四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特尔英特尔酷睿酷睿2 四核处理器四核处理器含有 5.8 亿亿多个晶体管。2007 年 1 月 29 日:英特尔公布采用突破性的晶体管材料即高-k 栅介质和金属栅极。英特尔将采用 这些材料在公司下一代处理器英特尔酷睿2 双核、英特尔酷睿2 四核处理器以及英特 尔至强系列多核处理器的数以亿计的 45 纳米晶体管或微小开关中用来构建绝缘“墙”和开关“门”, 研发代码 Penryn。采用了这些先进的晶体管,已经生产出了英特尔 45 纳米微处理器。