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1、场效应管场效应管, ,三极管三极管, ,可控硅可控硅- -怎样辨别场效应管,三极管,可控硅一般地说先从型号上来分辨类型:IRFxxxx.IRFPxxxx.IRFUxxxx.NxxNxx. PxxPxx.Kxxxx.Jxxxx 等的通常是场效应管 BT 通常是可控硅(当然也会有部分欧美管是其它前缀开头:例如 2NxxxxTNYxxxx.Sxxxx 等)2SAxxxx.2SBxxxx. 2SCxxxx.2SDxxxx.Axxxx.Bxxxx.Cxxxx.Dxxxx.2Nxxxx.BFxxxx.MJxxxx. MJExxxx.PHxxxx.TIxxxx.TIPxxxx.通常是三极管(但其中也会有少
2、部分型号是可控硅或场效应管的).这样一来就能大概的进行分类其中部分场效应管和可控硅是可以根据型号来确定其基本参数的当然具体参数还是查参考资料 三极管 三极管判断口决 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，四句口诀：“三颠倒，找基极；PN 结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。 ”.一、 三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个 PN 结的半导体器件。根据两个PN 结连接方式不同，可以分为 NPN 型和 PNP 型两种不同导电类型的三极管，图 1 是它们的电路符号和等效电路。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择 R100 或 R1k挡位。图 2 绘出了万用电表欧姆挡的等
3、效电路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是 NPN 型还是 PNP 型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为 1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取 1、3两个电极和 2、3 两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极.二、 PN 结，
4、定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间 PN 结的方向来确定管子的导电类型(图 1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为 NPN 型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为 PNP 型。三、 顺箭头，偏转大找出了基极 b，另外两个电极哪个是集电极 c，哪个是发射极 e呢?这时我们可以用测穿透电流 ICEO 的方法确定集电极 c 和发射极e。(1) 对于 NPN 型三极管，穿透电流的测量电路如图 3 所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻 Rce和 Rec，虽然两次测量中
5、万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔c 极b 极e 极红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极 c，红表笔所接的一定是发射极 e。(2) 对于 PNP 型的三极管，道理也类似于 NPN 型，其电流流向一定是：黑表笔e 极b 极c 极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极 e，红表笔所接的一定是集电极 c(参看图 1、图 3 可知)。四、 测不出，动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“
6、动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极 b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极 c 与发射极 e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。 注意:机械式万用表的红表笔是和内部的电源的负极相连,黑色是连接电源的正极;而数字式的刚好相反:红表笔是和内部的电源的正极相连,黑色是连接电源的负极.因此判断是应根据使用的万用表的型号做出调整. 场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗
7、非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于 R1k 档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数 K 时，则这两个管脚为漏极 D 和源极 S（可互换） ，余下的一个管脚即为栅极 G。对于有 4 个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地） 。 2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表
8、笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N 沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到 R100 档，红表笔接源极 S，黑表笔接漏极 D，相当于给场效应管加上 1.5V 的电源电压。这时表针指示出的是 D-S 极间电阻值。然后用手指
9、捏栅极 G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS 和 ID 都将发生变化，也相当于 D-S 极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的 50Hz 交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子 RDS 减小，使表针向右摆动，多数管子的 RDS 增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测 MOS 管。为了保护 MOS 场效应管，
10、必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 MOS 管每次测量完毕，G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起电压 UGS，再接着测时表针可能不动，此时将 G-S 极间短路一下即可。目前常用的结型场效应管和 MOS 型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。 场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D 是 P 型硅，反型层是 N 沟道；C 是 N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D 是结型 N 沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型
11、N 沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS#，CS 代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G 等。 三、场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： 1、I DSS 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 U GS=0 时的漏源电流。 2、UP 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM 跨导。是表示栅源电压 U GS 对漏极电流 I D 的控制能力
12、，即漏极电流 I D 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS 漏源击穿电压。是指栅源电压 UGS 一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 BUDS。 6、PDSM 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM并留有一定余量。 7、IDSM 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 可控硅检测方
13、法与经验可控硅（SCR）国际通用名称为 Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极 A、阴极 K、控制极 G 三个引出脚。双向可控硅有第一阳极 A1（T1） ，第二阳极A2（T2） 、控制极 G 三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极 A 与阴极 K 之间加有正向电压，同时控制极G 与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K 间呈低阻导通状态，阳极 A 与阴极 K 间压降约 1V。单向可控硅导通后
14、，控制器 G 即使失去触发电压，只要阳极 A 和阴极 K 之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极 A电压拆除或阳极 A、阴极 K 间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极 A 和阴极 K 间又重新加上正向电压，仍需在控制极 G 和阴极 K 间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极 A1 与第二阳极 A2 间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极 G 和第一阳极 A1 间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通
15、呈低阻状态。此时 A1、A2 间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极 A1、第二阳极 A2 电流减小，小于维持电流或 A1、A2 间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。 2. 单向可控硅的检测。 万用表选电阻 R*1 挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极 G，红表笔的引脚为阴极 K，另一空脚为阳极 A。此时将黑表笔接已判断了的阳极 A，红表笔仍接阴极 K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极 A 和控制极 G，此时万用表电阻
16、挡指针应向右偏转，阻值读数为 10 欧姆左右。如阳极 A 接黑表笔，阴极 K 接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻 R*1 挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极 A1 和控制极 G，另一空脚即为第二阳极 A2。确定 A1、G 极后，再仔细测量 A1、G 极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极 A1，红表笔所接引脚为控制极 G。将黑表笔接已确定的第二阳极 A2，红表笔接第一阳极 A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将 A2、G 极瞬间短接，给 G 极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约 10 欧姆左右。随后断开 A2、G 间短接线，万用表读数应保持 10 欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极 A2，黑表笔接第一阳极 A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线
