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1、怎样从内存芯片上识别怎样从内存芯片上识别 DDR400-1GDDR400-1G 的内存条的内存条怎样从内存芯片上识别 DDR400-1G 的内存条.txt 如果我能够看到自己的影子，我想它一定很忧伤，因为我把快乐都留在了前面。容易伤害别人和自己的人，总是对距离的边缘模糊不清的人。内存条芯片参数整个 DDR SDRAM 颗粒的编号，一共是由 14 组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1 HY 是 HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3 处理工艺及供电：（V：VDD
2、=3.3V DDDR SDRAM. b 表示电压,V3.3V; U-2.5V; 空白5V. CCC 表示容量,1616M; 6564M; 129129M; 256256M. dd 表示带宽。 f 表示界面，0LVTTL； 1SSTL（3） ； 2SSTL_2. g 表示版本号，B第三代。 h 表示电源功耗， L低功耗； 空白普通型。 ii 表示封装形式， TC400mil TSOPH. jj 表示速度，7143MHZ; 75133MHZ;8125MHZ; 10P100MHZ(CL=2);10S100MHZ(CL=3) 10100MHZ(非 PC100)。 例：1） HY57V651620B T
3、C-75 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 2) HY57V653220B TC-7 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ 全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)： 序号 品牌 国家/地区 标识 备注 1 三星 韩国 SAMSUNG 2 现代 韩国 HY 3 乐金 韩国 LGS 已与 HY 合并 4 迈克龙 美国 MT 5 德州仪器 美国 Ti 已与 Micron 合并 6 日电 日本 NEC 7 日立 日本 HITACHI 8 冲电气 日本 OKI 9 东芝 日本
4、TOSHIBA 10 富士通 日本 F 11 西门子 德国 SIEMENS 12 联华 台湾 UMC 13 南亚 台湾 NANYA 14 茂矽 台湾 MOSEI SAMSUNG 内存体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第 1 位芯片功能 K，代表是内存芯片。第 2 位芯片类型 4，代表 DRAM。第 3 位芯片的更进一步的类型说明，S 代表 SDRAM、H 代表DDR、G 代表 SGRAM。第 4、5 位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A 代表64Mbit 的容量；28、27、2A
5、代表 128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表 256Mbit 的容量；51 代表 512Mbit 的容量。第 6、7 位数据线引脚个数，08 代表 8 位数据；16 代表 16 位数据；32 代表 32 位数据；64 代表 64 位数据。第 11 位连线“-” 。第 14、15 位芯片的速率，如 60 为 6ns；70 为 7ns；7B 为7.5ns (CL=3)；7C 为 7.5ns (CL=2) ；80 为 8ns；10 为 10ns (66MHz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星 DDR 内存，使用 18 片 SAMS
6、UNG K4H280838B-TCB0 颗粒封装。颗粒编号第 4、5 位“28”代表该颗粒是 128Mbits，第 6、7 位“08”代表该颗粒是 8 位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是 128Mbits（兆数位） 16 片/8bits=256MB（兆字节） 。注：“bit”为“数位” ， “B”即字节“byte” ，一个字节为 8 位则计算时除以 8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非 ECC 内存，每 8 片 8 位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种 ECC 内存，在每 64 位数据之后，还增加了 8 位的 ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存
7、数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有 ECC 功能的 18 片颗粒的内存条实际容量按 16 乘。在购买时也可以据此判定 18 片或者 9 片内存颗粒贴片的内存条是 ECC 内存。 Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY 代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mb
8、its、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位 6、BANK 数量：1、2、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank，是 2的幂次关系 7、I/O 界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或 A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗
9、：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP- 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266AInfineon（亿恒）Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司 Infineon 生产的内存颗粒只有两种容量：容量为 128Mbits 的颗粒和容量为 256Mbits 的颗粒。编号中详细列出了其
10、内存的容量、数据宽度。Infineon 的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由 4 个Bank 组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。HYB39S128400 即 128MB/ 4bits， “128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即 128MB/8bits；HYB39S128160 即 128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。Infineon 内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。-7.5表示该内存的工作频率是 133MHz；-8表示该内存的工作频率是
11、 100MHz。例如：1 条 Kingston 的内存条，采用 16 片 Infineon 的 HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）16 片/8=256MB（兆字节） 。1 条 Ramaxel 的内存条，采用 8 片 Infineon 的 HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） 8 片/8=128MB（兆字节） 。 KINGMAX、ktiKINGMAX 内存的说明Kingmax 内存都是采用 TinyBGA 封装（Tiny ball grid array） 。并且该封装模式是专利产品，所以
12、我们看到采用 Kingmax 颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax 内存颗粒有两种容量：64Mbits和 128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。容量备注：KSVA44T4A0A64Mbits，16M 地址空间 4 位数据宽度；KSV884T4A0A64Mbits，8M 地址空间 8 位数据宽度；KSV244T4XXX128Mbits，32M 地址空间 4 位数据宽度；KSV684T4XXX128Mbits，16M 地址空间 8 位数据宽度；KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空间 16 位数据宽度。Kingmax 内存的工作速率有四种状态，是
13、在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7APC133 /CL=2；-7PC133 /CL=3；-8APC100/ CL=2；-8PC100 /CL=3。例如一条 Kingmax 内存条，采用 16 片 KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）16 片/8=128MB（兆字节） 。Micron（美光）以 MT48LC16M8A2TG-75 这个编号来说明美光内存的编码规则。含义：MTMicron 的厂商名称。48内存的类型。48 代表 SDRAM；46 代表 DDR。LC供电电压。LC 代表 3V；C 代表 5V；V 代表 2.5V。16M8内
14、存颗粒容量为 128Mbits，计算方法是：16M（地址）8位数据宽度。A2内存内核版本号。TG封装方式，TG 即 TSOP 封装。-75内存工作速率，-75 即 133MHz；-65 即 150MHz。实例：一条 Micron DDR 内存条，采用 18 片编号为 MT46V32M4-75 的颗粒制造。该内存支持 ECC 功能。所以每个 Bank 是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量 32M 4bit 16 片/ 8=256MB（兆字节） 。Winbond（华邦）含义说明：W XX XX XX XX 1 2 3 4 51、W 代表内存颗粒是由 Winbond 生产 2、代表显存类型：98 为 SDRAM，94 为 DDR RAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为 B 和 H； 4、代表封装，H 为 TSOP 封装，B 为 BGA 封装，D 为 LQFP 封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
